含负折射率材料的异质结构光子晶体的光学传输特性

利用传输矩阵法研究了正负折射率材料构成的异质结构光子晶体的光学传输特性。结果表明:当入射波正入射时,在这种异质结构光子晶体内出现了光子带隙,并且带隙内出现了3个极窄的透射峰,这是正负交替光子晶体和常规材料构成的同周期一维异质结构光子晶体所不具有的新颖物理特性。计算了这种异质结构光子晶体的透射谱。发现:这3个透射峰不敏感于入射角的变化,而在带隙两侧的透射峰则会随着入射角增大统一向带隙靠近;能带敏感于晶格厚度和周期数的变化。     

含负折射率材料一维光子晶体的全方位带隙和缺陷模

运用光学传输矩阵理论,研究了含负折射率材料一维二元光子晶体的禁带特性和局域模特性,发现了一种新型全方位光子带隙.与传统的Bragg带隙相比,这种新型全方位光子带隙的中心频率和带宽对入射角的变化不敏感.讨论了引入缺陷层后,入射角变化和各层介质厚度做一定比例的缩放时对缺陷模位置的影响.这种特性在具有固定带宽的全方位反射器和微波技术中全方位或大入射角滤波器方面有重要的应用价值.     

含左手材料的一维三元准周期光子晶体带隙特性研究

选用LiF、Si和左手材料为介质构成了一维三元光子晶体,并在考虑其色散关系和几何厚度随机误差的基础上,利用传输矩阵法,计算了该光子晶体的带隙结构.结果表明:各介质厚度的变化率相同时,主带隙的相对宽度的变化率也相同,而折射率最大的介质厚度的变化对带隙绝对宽度的影响最大.光线入射角度的变化对主带隙的绝对宽度和相对宽度的影响较小.     

基于传输线技术的零平均折射率(zero-)带隙的实验研究

基于传输线方法,制备了含左手材料和右手材料的一维光子晶体.通过仿真软件ADS的模拟和矢量网络分析仪的测量,研究了光子晶体的传输特性.实验结果表明:由左手材料和右手材料构成的一维光子晶体具有零平均折射率(zero-)带隙,这一带隙处于左手通带和右手通带之间.zero-带隙分别由零平均介电常量和零平均磁导率决定,进而对晶格尺度不敏感.     

基于传输线技术的零平均折射率(zero-n-)带隙的实验研究

基于传输线方法,制备了含左手材料和右手材料的一维光子晶体.通过仿真软件ADS的模拟和矢量网络分析仪的测量,研究了光子晶体的传输特性.实验结果表明:由左手材料和右手材料构成的一维光子晶体具有零平均折射率(zero-n-)带隙,这一带隙处于左手通带和右手通带之间.zero-n-带隙分别由零平均介电常量和零平均磁导率决定,进而对晶格尺度不敏感.     

含复合缺陷层的光子晶体的光学特性

运用传输矩阵法研究了在一维光子晶体中插入缺陷层的透光特性。在无缺陷层的一维光子晶体中能产生467~510 nm、1 279~1 715 nm两处明显的光子带隙。重点研究了插入缺陷层后,在1 279~1 715 nm的光子带隙中缺陷层厚度和入射角度大小分别与透射光谱变化的关系。研究发现：缺陷模的位置对入射角变化很敏感;出现缺陷模的数量和插入缺陷层的数量相同;一维光子晶体厚度的增大不会改变缺陷模的数量和位置,只改变透射峰的宽度和透射率。     

异质三周期光子晶体的光子带隙特性

利用传输矩阵法研究了由TiO₂和SiO₂两种材料构成的异质三周期一维光子晶体的传光特性,发现该结构能在波长为200~ 2 000 nm的范围内形成7处比较明显的光子带隙,并且波长越大,带隙的宽度越大。重点研究了这种结构的光子晶体的透射谱线与入射角度、介质层数及介质层厚度的关系,发现该结构形成的光子带隙的大小和位置对介质层的循环周期数不敏感,但对入射角度和介质层的厚度很敏感。     

含负磁导率或双负材料的一维光子晶体的全方位带隙中波的反射相位特性

运用传输矩阵法研究了含负磁导率或双负材料的一维光子晶体结构在全方位光子禁带中波的反射相位谱.研究发现"负磁导率材料-正折射率材料"光子晶体和"双负材料-正折射率材料"光子晶体,在所述带隙中,对TE波而言,反射相位随入射角的增大而增大;对TM波而言,禁带频率范围内波的反射相位随入射角的增大而减小;TE波和TM波,两种结构的反射位相均随介质层的厚度缩放因子增大而增大,且都与周期数无关.     

含各向异性左手材料一维光子晶体的传输特性分析

采用光学传输矩阵方法,研究了由各向异性左、右手材料交替排列构成的一维人工周期结构的带隙结构和传输特性,讨论了反射率随入射角度的变化关系。结果表明,含各向异性左手材料的光子晶体比传统的光子晶体有更宽的禁带;含各向异性左手材料的一维光予晶体具有更好的角度特性,可以用来实现对某一低频波段的全方位反射;通过适当选取左手材料的参数,禁带中会出现狭窄的透射峰。     

平均折射率为零的光子晶体中缺陷模频率特性的实验研究

利用传输线技术制备了左手材料,将左手材料与正常材料交替排列组合成平均折射率为零的一维光子晶体.该光子晶体在特定频段具有光子带隙,带隙不随晶格尺度和入射角的变化而改变.通过掺杂技术破坏光子晶体的周期性,可在禁带中引入缺陷模,这种结构的光子晶体可用于实现滤波器小型化和超强耦合.研究表明,通过调节缺陷的厚度可以控制缺陷模的频率,这为调节频率提供了一种方法.实验与仿真结果相符. 关键词： 左手材料 复合左右手传输线 光子晶体     

电沉积掺铝氧化锌纳米柱的光学带隙蓝移与斯托克斯位移

使用电沉积方法在溶解有Zn(NO3)2、NH4NO3、Al(NO3)3的水溶液中制备出Al掺杂的ZnO纳米柱阵列。电解液中添加的NH4NO3抑制了添加Al(NO3)3导致的层状纳米结构的生长,可得到高质量的ZnO纳米柱阵列。通过控制电解液中Al(NO3)3的浓度可操控所制备的ZnO纳米柱阵列的直径、密度、间距和Al/Zn的重量比。Al掺杂引起ZnO纳米柱内部载流子浓度增加,在布尔斯坦-莫斯效应作用下,纳米柱的光学带隙蓝移至3.64~3.65 eV。ZnO纳米柱内部的非辐射复合导致其近带边发射产生215~225 meV的斯托克斯位移。     

光子晶体线缺陷波导中的折射率相位移调制增强效应

在传统的基于全内反射原理的低折射率比介质波导所构建的相位移调制型光学器件中,调制区域的长度通常在毫米到厘米量级.由于器件横向尺寸保持在微米量级,因此狭长结构成为了传统光波导器件的典型特征,这限制了光学器件集成度的提高,严重制约了集成光路的进一步发展.光子晶体的出现为高密集成光路的发展提供了一条新的途径.本文使用平面波展开方法计算了光子晶体线缺陷波导中的色散曲线.研究发现:在色散曲线下边缘处,材料折射率的一个微小变化可以引起传输常数的较大变化,如果工作频率点选择在带下边缘附近,则可以大幅度减小相位移调制型器件调制区域的长度.本文使用时域有限差分方法进一步验证这种增强效应,计算结果表明,对于0.46%的折射率变化,光子晶体线缺陷波导中的相位调制长度仅为均匀媒质中相位移调制长度的11.7%.通过以进一步研究,这种增强效应有望应用与高密度集成光路.     

Band filters-spectrodividers

Translated from Zhurnal Prikladnoi Spektroskopii, Vol. 54, No. 2, pp. 295–298, February, 1991.     

同位素位移实验测量

利用光栅光谱仪测量了氢－氘灯谱线的同位素位移。利用具有高分辨、选择性激发等特点的共线快离子束－激光光谱学方法测量了^142-146,148,150Nd^ 同位素位移，结合King-plot和理论计算得到质量位移、场位移和特殊质量位移。     

Calculation of the Isotope Shifts on 5S1/2 → 4D3/2,5/2 Transitions of 87,88Sr+

A simple method is applied to calculating the isotope shifts (ISs) on 5S1/2 → 4D3/2,5/2 transitions of 87,88Sr+. First we have calculated the ISs of lower transitions on a series of alkali-like systems such as B2+, Ca+ and Ba+, which are in agreement with other works. Then the ISs on 5S1/2 → 4D3/2,5/2 transitions of 87,88Sr+, which are useful to study the Sr+ optical frequency standard, are evaluated.     

Effect of Band Nonparabolicity on the Inter Band Tunneling in Semiconductors

A simple yet generalized theory is developed to study inter band tunneling property of narrow band gap III–V compound semiconductors. The band structures of these low band gap semiconductors with sufficiently separated split-off valance band are usually described by the three energy band model of Kane, so this has been adopted here for the analysis of interband tunneling property in the case of InAs, InSb, and In_1-xGa_xAs_yP_1-y lattice matched to InP as representative direct band gap semiconductors having varied split-off valence band compared to their bulk state band gap energy. It has been found that the magnitude of tunneling rate from heavy hole decreases with increasing band nonparabolicity and the impact is more significant at high electric field in the three-band model of Kane than those with simple parabolic energy band approximations reflecting the direct influence of energy band parameters on inter band tunneling transitions. With proper consideration of band nonparabolicity, the results of the analysis of tunneling rate of these narrow gap materials show significant deviations from the results when simple parabolic band approximation is considered. The exact physical basis of the sources of deviation in the nonparabolic case from the corresponding parabolic band approximations is discussed in association to band coupling effect, transverse energy dependence, and the interplay between them. Moreover, under certain limiting conditions, our results reduce to the well-known results of parabolic band approximation and thus providing an indirect test to the accuracy of our generalized formulations.     

Enlargement of Photonic Band Gaps and Physical Picture of Photonic Band Structures

Light propagation in a one-dimensional photonic crystal （PC）, consisting of alternative slabs with refractive indices （layer thicknesses） nl （a） and n2 （b）, is investigated. An important optimal parameter matching condition, n1a ≈ n2b, is obtained for the largest photonic band gap （PBG）. Moreover, we find that the exact analytical solutions for the electric/magnetic field eigenmodes at the band edges are standing waves with odd or even symmetry about the centre of each layer. The electric/magnetic field eigenfunctions at the top and bottom of the nth band have n and n - 1 nodes in one period of PC, respectively. The PBG arises from the symmetric differences of the field eigenfunctions at the band edges.     

Band structure of AlSb

A combination of the pseudopotential method with thek. p method was used to calculate the complete band structure of AlSb. The pseudopotential form factors were determined by fitting to reliably assigned optical transition energies. Optical critical points and effective masses were evaluated and compared with experimental data so far as possible.This work was performed in the Arbeitsgemeinschaft A_IIIB_V-Halbleiter of the Karl-Marx University Leipzig. The authors are indebted to Dr. K.Unger for stimulating discussions.     

146Ce核的八级形变带和准γ带

通过测量²⁵²Cf自发裂变所产生的瞬发γ射线, 对¹⁴⁶Ce核的高自旋结构进行了重新研究, 结果更新了以前报道的能级纲图, 把八级形变集体带扩展到更高的自旋, 并且重新构建了可能的准γ带结构. 此外, 用反射不对称壳模型(RASM)对¹⁴⁶Ce核的八级形变带进行了计算, 低自旋处的计算结果与实验数据符合得很好.