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相似文献
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1.
一维氧化锌柱阵列空间取向激发的荧光光谱研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
用两步气相沉积一氧化法制备了具有高度一致指向性的一维纤锌矿六方结构的氧化锌单晶柱阵列,探测它的不同空间取向激发条件下的荧光光谱。结果表明,一维阵列样品在不同空间取向的激发光照射下,其荧光光谱有明显变化。当低功率355nm激光对一维方向进行横向激发时,激子发光的相对强度较大;当用1064nm激光取向激发时,发射光谱的差异更明显。除了荧光光谱的发射峰强弱发生变化外,在一维横向激发时上转换发射光谱产生了新的发射峰,表明在不同的取向激发下一维阵列样品对激发光的吸收有明显变化。由此产生的荧光发射的差异非常明显,表明一维氧化锌柱阵列对能量吸收、能量传递等有很强的方向性。上转换偏振光谱表明,当偏振光的振动方向与阵列的一维方向平行时,发射光谱中400nm的发光峰强度比偏振方向与一维方向垂直时要大,表明偏振方向对一维阵列的空间取向激发荧光光谱是有影响的。在讨论阵列发光性质如发光光谱,发射强度的时候,必须明确激发光的强度、取向以及激发光的偏振方向。  相似文献   

2.
气相沉积法生长不同结构ZnO纳米线及其发光   总被引:6,自引:4,他引:2  
用Zn粉、Zn/In2O3/C粉作为不同锌源,通过气相沉积法在空气或N2/O2混合气氛下生长出多种形貌的ZnO纳米线(如:四脚状、多脚状、梳子状、绒棒状,以及纳米棒、纳米丝、纳米带等多种形貌),直径约为50-1000nm,长度约为1—20μm。测量了样品的XRD谱、扫描电镜、透射电镜和选区电子衍射像,证明这些样品都是六方纤锌矿结构的ZnO单晶。四脚状样品的PL光谱显示样品存在近紫外峰(380nm)和绿峰(500nm)两个发射带,半峰全宽分别约为15,90nm,其峰值强度比其他方法(如溶液法)制得样品的峰值强。样品的尺寸对光谱强度有一定影响,但对谱峰位置并无影响。用He-Cd激光器的325nm激光对四脚状样品进行发射光谱分析,发现其近紫外激子发光大大增强而绿色缺陷发光相对较弱,近紫外的峰值位于383nm,半峰全宽约为16nm;绿峰峰值位于515nm,半峰全宽约为76nm。  相似文献   

3.
利用飞秒脉冲激光激发Cu掺杂ZnO纳米棒,研究其特有的非线性光学性质和激发机制。在激发波长为750 nm的荧光光谱中,二次谐波峰非常弱,几乎可以忽略,存在非常强的激子发光峰和Cu掺杂导致缺陷发光峰。激发强度的增大会导致这两个发光峰强度呈非线性增大,激子发光峰位产生明显红移,而缺陷发光峰位没有变化。进一步增大激发强度,缺陷发光峰强度会出现饱和甚至有所下降,而激子发光峰强度持续增大。当激发波长增加到760 nm时,从样品的荧光光谱可以清楚地识别到二次谐波峰和激子发光峰以及缺陷发光峰并存。随着激发波长的进一步增加,二次谐波强度不断增大,而激子发光峰和缺陷发光峰的强度却随之下降。当激发波长为790 nm和800 nm时,未发现激子发光峰和缺陷发光峰,非线性光谱以二次谐波为主导。研究结果表明,通过选择合适的激发波长和激发强度,可以实现发光颜色的转变,使得Cu掺杂ZnO纳米棒在全光显示方面具有潜在的发展前景。  相似文献   

4.
硼酸掺量对SrAl2O4长余辉发光材料的发光性能影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
用燃烧法制备了Eu2 ,Dy3 共掺杂SrAl2O4长余辉发光材料,研究了不同硼酸掺量对Eu2 ,Dy3 共掺杂SrAl2O4长余辉发光材料发光性能的影响。为了分析B2O3在材料制备中的作用,用XRD对所合成材料进行物相分析,用荧光光谱仪记录其发射光谱,并在暗室里拍摄紫外激发下的发光照片。结果表明:硼酸掺量为0.8的样品的发光光谱,其发射峰峰值位于518 nm,是典型的Eu2 的4f5d→4f的特征发射,为一宽谱带发光光谱。硼酸掺量为2的样品的发光光谱,其在518 nm位置的峰十分弱,而在487 nm处同时出现了一个弱峰,整个谱线呈一斜坡状。随着硼酸加入量的不同,Eu2 ,Dy3 共掺杂铝酸锶的发光效果、形貌特征均不同。在某一范围内,随着硼酸添加量的增加,合成了发光主晶相,烧结温度有所降低,材料的发光性能和发光亮度均有所提高。  相似文献   

5.
采用高温固相法在1100℃下合成了Eu3 掺杂的CdxZn1-xO发光材料。采用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征。分析了不同浓度Cd2 的掺杂对于样品发光及激发峰位置的影响。通过对荧光光谱的测试,表明Cd2 的引入使得体系的禁带宽度变窄,并且通过Cd2 掺杂浓度的变化,可以对样品的激发光谱峰值在380~410nm进行调制,样品的发光以520nm处的宽带发射为主,并没有明显的Eu3 的特征发射,表明基质与Eu3 之间的能量传递并不有效。在加入Li 作为电荷补偿剂之后,出现了来自Eu3 的特征发射,相应的发射光谱的发射主峰位于609nm。样品380~410nm的激发峰范围覆盖了紫外LED芯片的输出波长。因此,这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料。  相似文献   

6.
MOCVD生长的InGaN合金的发光特性   总被引:5,自引:4,他引:1  
研究了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石基底上生长的InGaN样品的发光特性。样品XRD谱中存在InGaN、In、InN相,表明样品中存在相分离;透射谱能看到由于F-P腔调制引起的震荡;相对氙灯激发发光谱,激光激发的发光谱其发光峰位置发生蓝移。由于样品上下表面形成F-P腔,对发光谱产生强烈的调制,在较高强度激发下,在室温下带边峰分成三个峰,其中波长较短的两个发光峰表现出相同的特征,其发光机制可能为以In量子点为局域中心的局域化激子复合发光,而波长较长的发光峰,是一个超线性受激发光峰,其发光机制可能是电子-空穴等离子的散射。不同温度的PL谱表明两个主要的发光峰表现出不同的温度特征,利用F-P干涉理论分析可知,当温度高于120K后样品折射率随着温度的升高而增大。  相似文献   

7.
多孔硅中的蓝色发光谱带   总被引:1,自引:1,他引:0  
孙甲明  韩力 《发光学报》1994,15(2):122-126
采用YAG:Nd激光器的1.06μm谱线的三倍频355nm激光激发多孔硅样品时,观测到一个峰值位于465nm的发光谱带,通过样品的发光光谱、透射光谱、以及时间分辨光谱的测量,初步探讨了新谱带的起源.  相似文献   

8.
用脉冲激光沉积(PLD)法在不同温度的Si(111衬底上成功制备了c轴择优取向的Mg0.05Zn0.95O薄膜.通过X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)研究了衬底温度对Mg0.05Zn0.95O薄膜结构和发光特性的影响,探讨了膜的结晶质量与发光特性之间的关系.结果表明,在衬底温度为450℃时生长的Mg0.05Zn0.95O薄膜具有很好的轴取向和较强的光致发光峰.室温下分别用激发波长为240,300和325nm的氙灯作为激发光源得到不同样品的PL谱,分析表明紫外发光峰和紫峰来源于自由激子的复合辐射且发光强度与薄膜的结晶质量密切相关,蓝绿发光峰与氧空位有关.此外,探讨了衬底温度影响紫外光致发光峰红移和蓝移的可能机理.  相似文献   

9.
采用高温固相法在1 100 ℃下合成了Eu3+掺杂的CdxZn1-xO发光材料.采用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征.分析了不同浓度Cd2+的掺杂对于样品发光及激发峰位置的影响.通过对荧光光谱的测试,表明Cd2+的引入使得体系的禁带宽度变窄,并且通过Cd2+掺杂浓度的变化,可以对样品的激发光谱峰值在380~410 nm进行调制,样品的发光以520 nm处的宽带发射为主,并没有明显的Eu3+的特征发射,表明基质与Eu3+之间的能量传递并不有效.在加入Li+作为电荷补偿剂之后,出现了来自Eu3+的特征发射,相应的发射光谱的发射主峰位于609 nm.样品380~410 nm的激发峰范围覆盖了紫外LED芯片的输出波长.因此,这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料.  相似文献   

10.
报道了以飞秒脉冲激光为激发光源的水溶性CdTe量子点(QDs)的稳态荧光光谱和纳秒时间分辨荧光光谱.实验发现CdTe量子点的荧光光谱峰值位置随激发波长变化发生明显移动,激发脉冲波长越长,荧光峰位红移越大.荧光动力学实验数据显示,在400nm和800nm脉冲激光激发下,水溶性CdTe量子点的荧光光谱中均含有激子态和诱捕态两个衰减成分,两者的发射峰相距很近,诱捕态的发射峰波长较长.在800nm脉冲激光激发下的诱捕态成分占总荧光强度的比重比400nm激发下的约高3倍,其相对强度的这种变化导致了稳态荧光发射峰位的红移. 关键词: CdTe 量子点 时间分辨 荧光光谱 上转换荧光  相似文献   

11.
两步溶液法制备亚微米ZnO棒阵列及其退火后的发光   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
通过改变溶液浓度、酸碱度等生长条件,用两步化学溶液沉积法在玻璃衬底上制备出有序排列的亚微米级ZnO棒阵列,棒的截面呈正六边形,直径约为200~500nm。测量了样品的XRD谱和扫描电镜像,证明这些样品都是六方纤锌矿结构的ZnO单晶,且以[002]方向择优生长。将样品退火前后的PL光谱进行比较分析,发现退火后样品的发射光谱中紫外峰消失而长波段的红色发光峰红移并且增强(峰位由630nm左右移到720nm),而其激发光谱中的室温激子激发峰也增强。当退火时间增加到6h后,出现了由430nm的蓝峰和505nm绿峰组成的宽谱带蓝绿色发射。并对发光机理进行了讨论。  相似文献   

12.
利用溶胶-凝胶法,在普通载玻片上使用旋转涂膜技术制备了具有c轴择优取向生长的Na-Mg共掺杂的ZnO薄膜。用XRD、SEM、光致发光(PL)及透射光谱对薄膜样品进行了表征。结果表明:Na-Mg共掺杂有利于ZnO薄膜的c轴择优取向生长,并且随着Na+掺杂浓度的增加,晶粒尺寸先增大后减小;通过比较不同掺杂浓度ZnO薄膜的PL谱,推测发光峰值位于380nm的紫外发射与ZnO的自由激子复合有关;发现掺入Mg的确能使ZnO禁带宽度增大,掺杂组分为Na0.04Mg0.2Zn0.76O时,其PL谱只有一个很强的紫光发射峰,其近带边紫外光发射强度较未掺杂的ZnO增强了近10倍,极大地提高了薄膜紫外发光性能;并且随Na+浓度增加薄膜透光性减弱。  相似文献   

13.
纳米ZnO薄膜的光致发光性质   总被引:14,自引:5,他引:9  
宋国利  孙凯霞 《光子学报》2005,34(4):590-593
利用溶胶-凝胶法制备了纳米ZnO薄膜,室温下测量了样品的光致发光谱(PL)、吸收谱(ABS)、X射线衍射谱(XRD).X射线衍射(XRD)的结果表明:纳米ZnO薄膜呈多晶状态,具有六角纤锌矿晶体结构和良好的C轴取向.观察到二个荧光发射带,中心波长分别位于395 nm的紫带、524 nm的绿带和450 nm附近的蓝带.证实了纳米ZnO薄膜绿光可见发射带来自氧空位(VO)形成的浅施主能级和锌空位(VZn)形成的浅受主能级之间的复合;450 nm附近的蓝带来自电子从VO的浅施主能级到价带顶或锌填隙(Zni) 到价带顶或导带底到VZn的浅受主能级的复合.  相似文献   

14.
氧气流量对脉冲激光沉积ZnO薄膜的形貌及光学性质影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
使用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英(SiO2)和单晶Si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜。测试结果显示:在30~70sccm氧气流量范围内,氧气流量50sccm时制备的ZnO薄膜具有较好的结晶质量、较高的光学透过率(≥80%)、较高的氧含量(~40.71%)、较快的生长速率(~252nm/h)和较好的发光特性:450~580nm附近发射峰最弱,同时~378nm附近的紫外发光峰最强,表明薄膜材料中含有较少的氧空位等缺陷。  相似文献   

15.
《Physics letters. A》2006,355(3):228-232
We have fabricated a multiply layer SiC/ZnO on Si substrates using the RF-magnetron sputtering technique with the targets of a single crystalline SiC and a polycrystalline ZnO. The as-deposited films were annealed in the temperature range of 600–1000 °C under nitrogen ambient. We have observed a strong ultraviolet (UV) emission (370 nm) from the as-deposited SiC/ZnO film and an intense violet emission (412 nm) from the film annealed at high temperature (1000 °C) under nitrogen ambient. The SiC film quality and the PL intensities are considered to be strongly dependent on the crystalline quality of the ZnO buffer layer. With the increase of the annealing temperature, the crystalline quality of the ZnO buffer layer is improved, resulting in the improvement of the SiC film quality and the increase of the PL intensities. The thin films have been characterized by X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and scanning electron microscopy (SEM) to provide the evidences of photoluminescence (PL). We suggest that the UV emission could be attributed to the nanocrystal silicon particles, that the 395 nm band is related to ZnO buffer layer and has a great relation to the crystalline quality of the ZnO film, and that the violet emission is associated with the emission luminescence from 6H-SiC, which bears on the SiC film quality. The obtained results are expected to have important applications in modern optoelectronic devices.  相似文献   

16.
采用溶胶-凝胶法在n-Si(100)衬底上制备ZnO薄膜并从三个方面对其研究。X射线衍射结果表明,在含氧气氛中退火的ZnO薄膜为多晶六角纤锌矿结构,有明显的c轴择优结晶取向;退火时间的长短和温度的高低对结晶取向性和粒径均有较大影响,通过进一步的研究发现最佳处理温度在500℃左右。用扫描电子显微镜观察样品的表面和侧面形貌,晶体的生长比较均匀,粒径平均在70~160nm范围内,与XRD测量结果相一致。室温下ZnO胶体的光致发光谱表明,随着胶体老化时间的延长,胶体的紫外峰位发生了蓝移。室温下ZnO薄膜的光致发光谱表明,紫外部分的发光峰位在365,390nm,发光强度较强;在可见光区的发光强度相对较弱,但是还没有被氧完全抑制掉。  相似文献   

17.
采用磁约束电感耦合等离子体增强溅射法(ICP-PVD)在Si(100)和石英玻璃衬底上沉积了Zn0.95Co0.05O薄膜。XRD谱显示薄膜具有较强的(002)衍射峰,表明Zn0.95Co0.05O薄膜为c轴择优取向生长;透过光谱显示Zn0.95Co0.05O薄膜具有良好的透过性,其在可见光和红外波段的平均透过率大于80%,吸收光谱表明Co2+取代了Zn2+处于四配位晶体场中;喇曼光谱证明Zn0.95Co0.05O薄膜具有良好的六方纤锌矿结构;室温PL谱测量发现在可见光的蓝光波段和绿光波段存在较宽的发光带,却没有发现本征的近紫外光发射,这是由于Co掺杂后引入较多的缺陷导致的。  相似文献   

18.
Highly orientated polycrystalline ZnO films were deposited on sapphire, silicon and quartz substrates at room temperature by r.f. magnetron sputtering. Different photoluminescence (PL) spectra were observed when excited with different wavelength light. A UV emission peak (356 nm) and a blue peak (446 nm) were generated for the films on sapphire, silicon and quartz substrates, and only the 446 nm blue emission appeared for the films on glass substrates when the wavelength of the excitation light was 270 nm. With increasing the wavelength of the excitation light up to 300 and 320 nm, the UV emission disappeared for films on various substrates and the wavelength of the PL peaks increased up to 488 and 516 nm, respectively. When the wavelength of the excitation light increased to 398 nm, the PL spectrum becomes a wide band that is consistent with three emission peaks.  相似文献   

19.
采用电子束蒸发沉积成膜工艺在单晶Si(111)衬底上制备出Co,Cu共掺杂的Zn0.85-xCo0.15CuxO(x=0,0.04,0.06)多晶膜。采用X射线衍射(XRD)研究了Co、Cu掺杂对其微结构的影响;室温下测量了Zn0.85-xCo0.15CuxO薄膜的光致发光谱,发现随着Cu掺杂量的增加,样品发光增强,当Cu掺杂x=0.06时,Zn0.85-xCo0.15CuxO薄膜的PL谱中出现了较强的双峰蓝光发射;分析了掺杂含量对其发光性能的影响,并对样品的发光机制进行了探讨,并推断出蓝光峰来源于电子由导带底到锌空位(VZn)能级的跃迁及锌填隙(Zni)能级到价带顶的跃迁。  相似文献   

20.
The luminescence properties of zinc oxide (ZnO) nanocrystals grown from solution are reported. The ZnO nanocrystals were characterized by scanning electron microscopy, X-ray diffraction, cathodo- and photoluminescence (PL) spectroscopy. The ZnO nanocrystals have the same regular cone form with the average sizes of 100-500 nm. Apart from the near-band-edge emission around 381 nm and a weak yellow-orange band around 560-580 nm at 300 K, the PL spectra of the as-prepared ZnO nanocrystals under high-power laser excitation also showed a strong defect-induced violet emission peak in the range of 400 nm. The violet band intensity exhibits superlinear excitation power dependence while the UV emission intensity is saturated at high excitation laser power. With temperature raising the violet peak redshifts and its intensity increases displaying unconventional negative thermal quenching behavior, whereas intensity of the UV and yellow-orange bands decreases. The origin of the observed emission bands is discussed.  相似文献   

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