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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 156 毫秒

1.  锯齿型单壁碳纳米管束中管间相互作用对能隙的影响  
   何焕典  王新强  罗强《人工晶体学报》,2006年第35卷第3期
   本文采用基于广义梯度近似(GGA)的第一性原理方法,对锯齿型单壁碳纳米管束(7,0)、(8,0)、(9,0)、(12,0)及其相应的孤立管的能带结构和能隙进行理论计算。结果表明,各管束与相应的各孤立管相比,能隙都发生了不同程度的减小。目前尚未见有类似的报道,我们分析认为这是由于管束存在管间相互作用,电子的束缚度减小,改变了原来的能带结构,导致能隙减小。    

2.  单壁纳米管的弹性性质  被引次数:3
   张立云  彭永进  金庆华  王玉芳  李宝会  丁大同《物理学报》,2006年第55卷第8期
   基于第一性原理计算了一系列单壁碳纳米管(椅型、锯齿型)和氮化硼锯齿型纳米管的杨氏模量.用实际的数值结果显示了杨氏模量与纳米管管径之间的依赖关系.还讨论了各类纳米管卷曲形变能以及平衡基矢长度a随管型的变化.    

3.  锯齿型单壁碳纳米管的广义层错能计算  被引次数:1
   张福州  王少峰  张慧力  刘瑞萍  郭平波  叶金琴《原子与分子物理学报》,2008年第25卷第6期
   基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了两种不同半径的锯齿型单壁碳纳米管以及单层石墨的广义层错能曲线。对小位移处广义层错能曲线进行斜率拟合所得切变模量与其它文献值一致。对三条广义层错能曲线的对比可知,锯齿型碳纳米管与单层石墨的广义层错能曲线相近,锯齿型单壁碳纳米管的曲率效应不明显。    

4.  基于扩展Wannier基函数讨论单壁碳纳米管的能隙  
   黄秋萍  童国平  蒋永进《原子与分子物理学报》,2008年第25卷第6期
   根据单壁碳纳米管(SWCNTs)的几何结构计算了π电子局域波函数。在不等性 杂化方案下,构建扩展的Wannier基函数,在此基下取有效核电荷数Z=2.930,轨道指数 ,计算得到锯齿(9,0)管的能隙值是0.17eV,这一结果与用第一性原理得到的结果非常接近。    

5.  单壁碳纳米管能带及其电子特性研究  
   托合提江  阿不都热苏力  艾尔克·扎克尔《光学与光电技术》,2014年第12卷第3期
   从能带理论出发,采用电子紧束缚能量色散关系,推导锯齿,扶手椅和手性单壁碳纳米管(SWCNT)的电子能带结构表达式,指出单壁碳纳米管或为金属或为半导体的判据。结果表示:单壁碳纳米管的电子结构与其几何结构密切相关,如扶手椅型单壁碳纳米管是金属性的,而对其它类型的单壁碳纳米管是与碳纳米管的手性指数有关,只有手性指数n和m的差别等于3的倍数时,单壁碳纳米管是金属性的,否则会显出有带隙的半导体特性。这意味着单壁碳纳米管是由特殊的电子传输和光学性质,在纳米电子学领域具有巨大的潜在应用价值。    

6.  锯齿型ZnO单壁纳米管电子结构的第一性原理研究  
   雷哲锋  王发展  赵超  陈霞  王博《人工晶体学报》,2011年第40卷第4期
   采用基于密度泛函理论(Density functional theory)的计算方法,研究了n--4,6,9的锯齿型(n,0)ZnO单壁纳米管的电子结构,结果表明:锯齿型ZnO单壁纳米管是一种直接宽禁带半导体,其能隙随着横截面的增大而小量增大,并分析了锯齿型单壁纳米管的核外电子分布.    

7.  硼磷掺杂小直径单壁碳纳米管的第一性原理研究  
   罗福生  邵庆益  周宝艳  邵彩茹  夏江《原子与分子物理学报》,2013年第30卷第6期
   利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了小直径锯齿形单壁碳纳米管(3,0)的硼(B)、磷(P)单个原子掺杂和B/P共掺杂效应. 计算了B、P单原子掺杂的形成能、能带结构和电子态密度,分析得出B、P掺杂(3,0)单壁碳纳米管是可行的,并且碳纳米管的导电性没有发生明显改变. 本文还计算了在不同掺杂位点,(3,0)金属性碳纳米管的形成能和能带结构,发现B/P共掺杂也是可行的,B和P趋于形成B/P对,并且B/P的掺入使(3,0)金属性碳纳米管的能带打开,由金属性变成半导体性.    

8.  硼磷掺杂小直径单壁碳纳米管的第一性原理研究  
   罗福生  邵庆益  周宝艳  邵彩茹  夏江《原子与分子物理学报》,2014年第31卷第1期
   利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了小直径锯齿形单壁碳纳米管(3,0)的硼(B)、磷(P)单个原子掺杂和B/P共掺杂效应.计算了B、P单原子掺杂的形成能、能带结构和电子态密度,分析得出B、P掺杂(3,0)单壁碳纳米管是可行的,并且碳纳米管的导电性没有发生明显改变.本文还计算了在不同掺杂位点,(3,0)金属性碳纳米管的形成能和能带结构,发现B/P共掺杂也是可行的,B和P趋于形成B/P对,并且B/P的掺入使(3,0)金属性碳纳米管的能带打开,由金属性变成半导体性.    

9.  自旋轨道耦合作用对碳纳米管电子能带结构的影响  
   杨杰  董全力  江兆潭  张杰《物理学报》,2011年第60卷第7期
   本文考虑自旋轨道耦合作用的情况下,采用紧束缚近似螺旋对称模型计算了单壁碳纳米管的电子能带结构.研究发现:对于Armchair型单壁碳纳米管,自旋轨道耦合作用和弯曲效应共同导致了费米面Dirac点附近电子能带结构的能隙;对于Zigzag型和手性单壁碳纳米管,自旋轨道耦合作用使得电子最高占据态和最低未占据态产生能级劈裂,能级劈裂的大小不但与碳纳米管的直径和手性角密切相关,而且相对于费米面是不对称的;根据指数(n,m)可以将Zigzag型和手性单壁碳纳米管分为金属性碳纳米管(ν=0)    

10.  单壁碳纳米管杨氏模量的掺杂效应  
   袁剑辉  程玉民《物理学报》,2007年第56卷第8期
   用分子动力学方法研究了N,O,Si,P,S等5种杂质对扶手椅型(5,5)和锯齿型(9,0)单壁碳纳米管杨氏模量的影响.结果表明:直径为0.678和0.704 nm的扶手椅型(5,5)和锯齿型(9,0)碳纳米管在无掺杂时其杨氏模量分别为948和804 GPa.在掺杂浓度10%以下,碳纳米管的拉伸杨氏模量均随掺杂浓度增加近似呈线性下降规律,下降率以Si掺杂最大,N掺杂最小.对与C同周期的元素掺杂,随原子序数增加碳纳米管的杨氏模量下降率增大;与C不同周期的元素掺杂,碳纳米管的杨氏模量随掺杂浓度增加下降率更大,但    

11.  石墨炔管能带和力学性质的第一性原理研究  
   邓运发  曹觉先《原子与分子物理学报》,2013年第30卷第6期
   基于第一性原理计算,这篇文章研究了单壁锯齿型和扶手型石墨炔管的几何结构、电子结构以及杨氏模量.计算表明:石墨炔管是一类具有一定能隙的直接带隙半导体管,其带隙在0.4-1.3eV的能量范围,且随管径的增大而变小.而石墨炔管的杨氏模量在0.44-0.50Tpa区间变化.对于锯齿型石墨炔管,其杨氏模量随着半径的增大而变小而锯齿型石墨炔管的杨氏模量随其半径的增大而增大.    

12.  水分子链受限于单壁碳纳米管结构的密度泛函理论研究  
   范冰冰  王利娜  温合静  关莉  王海龙  张锐《物理学报》,2011年第60卷第1期
   本文采用第一性原理的密度泛函理论,主要以(6,6)Armchair型,(11,0)Zigzag型单壁碳纳米管为研究对象,研究了水分子链在碳纳米管内部吸附的稳定结构,以及结合能随其结构的变化.结果表明:当水分子链受限于碳纳米管内部时,引起碳纳米管直径收缩,这主要是由于水分子链与碳纳米管之间的氢键作用以及范德华弱相互作用所引起的.随着碳纳米管半径的增加,两种单体之间的结合能逐渐减小,但当碳纳米管半径增加至6.78时,其结合能又有所增加,这是由于在优化过程中,水分子链单体之间的氢键作用大于水分子链与碳纳米管之    

13.  苯环共价功能化碳纳米管电性理论研究  
   王云霞  杨照地  高莉娟《分子科学学报》,2016年第3期
   通过4种键连方式将苯环共价连接到超晶胞为1×1×3的锯齿型单壁碳纳米管CNT(8,0)上.在密度泛函理论基础上,通过Siesta软件计算苯环共价功能化碳纳米管的几何结构、能带结构、态密度和波函数,分析键连方式对碳纳米管电性的影响.结果表明苯环通过4种键连方式共价功能化的碳纳米管都是在Γ点具有直接带隙的半导体.其中直接键连和酰胺键连得到的苯环功能化碳纳米管在费米能级附近产生杂质带,比纯CNT带隙减小约0.4 eV.而通过2个亚甲基键连和吡咯烷键连2种方式功能化的碳纳米管,其带隙仅比纯CNT带隙减小0.1~0.15 eV.    

14.  管长和管径对单壁碳纳米管电导的影响  被引次数:6
   唐娜斯  颜晓红  丁建文《物理学报》,2005年第54卷第1期
   基于紧束缚模型,发展转移矩阵方法研究了单壁碳纳米管的导电性质.研究表明,由于卷曲效应,锯齿型(3k,0)管(k为整数)出现窄的电导沟,其大小与能隙一致.在费米能附近,电子输运不仅与管径和管长紧密相关,而且电子在不同能量下可能出现弹道的、扩散的和经典的三种不同输运特征.    

15.  BN纳米管内含C纳米管——结构与电学性质  
   贾建峰  武海顺《物理化学学报》,2006年第22卷第12期
   运用密度泛函理论的PW91/DNP方法对C(6,0)@BN(n,0)体系的结构与稳定性进行了研究, 发现最适合与C(6,0)纳米管形成的嵌套体系的锯齿型BN纳米管是BN(15,0)和BN(16,0), 在形成的C(6,0)@BN(15,0) 和 C(6,0)@BN(16,0)中, 碳壁与氮化硼壁之间的距离分别为0.36和0.40 nm. 在最稳定的C(6,0)@BN(16,0)体系中, 发现内层碳纳米管的电子结构并未受到外层氮化硼纳米管的影响, 然而氮化硼纳米管的能隙缩小了0.5 eV. 对C(6,0)@BN(16,0)的轨道分析表明, 碳纳米管与氮化硼纳米管之间的作用力为范德华力.    

16.  P掺杂硅纳米管电子结构与光学性质的研究  被引次数:1
   余志强  张昌华  郎建勋《物理学报》,2014年第6期
   采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了P掺杂对单壁扶手型硅纳米管电子结构和光学性质的影响.结果表明:经过P掺杂,单壁扶手型硅纳米管的能带结构从间接带隙变为直接带隙,其价带顶主要由Si-3p态电子构成,导带底主要由Si-3p态电子和Si-3s态电子共同决定;同时通过P掺杂,使单壁扶手型硅纳米管的禁带宽度变窄,导电性增强,吸收光谱产生红移.研究结果为硅纳米管在光电器件方面的应用提供了理论基础.    

17.  单壁碳纳米管端口结构的热稳定性  
   陈伟  叶军《原子与分子物理学报》,2008年第25卷第4期
   利用紧束缚势分子动力学模拟方法,研究了温度在1000 K-3000 K之间单壁碳纳米管端口结构的变化趋势.计算表明,温度对整个管端口结构有重要影响,温度升高容易使理想单壁碳管端口封闭.温度在3000 K下碳管端口达到封闭,而且端口封闭导致碳管系统能量的降低.碳纳米管长度越长,端口封闭越快,且扶手型碳纳米管比锯齿型碳纳米管更容易形成端口封闭的结构.    

18.  单壁碳纳米管中电子的有效质量  被引次数:1
   陆地  颜晓红  丁建文《物理学报》,2004年第53卷第2期
   解析研究了单壁碳纳米管中电子的有效质量,以及导带底的电子有效质量与其管径和螺旋度的关系.结果表明,单壁碳纳米管的几何结构对其电子有效质量有重要的影响.特别是锯齿形窄隙半导体管,发现其导带底的电子有效质量与管径的平方成反比.    

19.  钯金属吸附对半导体性碳纳米管电输运的影响  
   赵华波  王亮  张朝晖《物理学报》,2011年第60卷第8期
   利用物理蒸发技术,在半导体性的碳纳米管上沉积钯金属,利用导电原子力显微镜检测钯吸附对碳纳米管电输运的影响.结果表明:沉积的钯在碳纳米管上形成纳米颗粒,随着钯颗粒密度的增加,半导体性碳纳米管逐渐向金属性转变.利用第一性原理计算了吸附有钯原子的半导体性单壁碳纳米管的能带结构.研究发现,钯的覆盖率越高,其禁带宽度越窄,直至为零,定性说明了实验结果的合理性.    

20.  单壁碳纳米管径向形变对介电常数和吸收光谱的影响  
   王利光  郭良  王畅  颜浩然《人工晶体学报》,2009年第38卷第3期
   采用广义梯度近似方法中的PBE(J. Perdew、K.Burke和M. Ernzerhof)技术,对结构为(10,0)的锯齿型单壁碳纳米管在径向发生0.0~0.5扁率时的介电常数ε和光谱特性进行了理论研究.结果显示:(10,0)型单壁碳纳米管的径向形变对其介电常数峰值及光谱峰值的大小、位置和频率范围都有较大的影响.当入射光偏振方向垂直管轴时,介电常数峰值向低频区偏移,光谱峰值则依赖于初始位置.当入射光的偏振方向平行于管轴时,主要特征是介电常数幅值的变化和光谱范围的拓宽,同时,介电常数峰值向低频区偏移.    

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