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相似文献
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1.
李春密 《物理实验》2000,20(12):36-36
介绍了电容“通交流、阻直流”、“通高频,阻低频”特性在中学物理实验中的两例应用。  相似文献   

2.
电阻、电容和电感是电路中用得最多的基本元件,在交流电路中它们各有自己的作用:电阻可以降压、分压、发热;电容可以隔直流、通交流,通高频、阻低频;电感可以通直流、阻交流,通低频、阻高频.由它们有机地组合在一起,各自发挥特长,可以完成许多我们想要达到的目标.下面就是由它们组成的几个基本电路.  相似文献   

3.
为实现频率选择表面(FSS)谐振频率的光电可调控特性,提出一种光电可调控频率选择表面.利用光电导薄膜光照导电特性控制金属FSS结构尺寸变化,实现FSS的主动可调.理论阐述了光电导及FSS选频特性原理,采用CST软件分别仿真了"Y"形带通型、"圆"形带通型和"Y"形带阻型三种FSS在光照时的频选特性.结果表明:随着结构尺寸变化,FSS的中心谐振频率分别从18 GHz、25 GHz、20.5GHz变为20.5GHz、29GHz、16.5GHz.采用镀膜、刻蚀及电子束蒸发等技术分别制作了单元结构尺寸变化前的金属FSS,以及变化后的金属与光电导薄膜结合的FSS,并对样件进行测试,结果表明:中心谐振频率分别从18GHz、24GHz、20GHz变为20GHz、28GHz、17GHz,与仿真变化趋势基本一致.采用该方法既可实现FSS中心谐振频率的可调控,也可从结构上实现FSS带通型和带阻型的转变.  相似文献   

4.
为满足射电天文观测接收系统的工程应用,在高温超导带通滤波器频段(1.2GHz-5GHz)内要求实现部分频段(1.8 GHz-2.6GHz)带阻滤波功能。采用带通滤波器和带阻滤波器串联组合的集成化设计方法,通过折叠微带线、终端短路等方式对滤波器进行小型化设计。通过理论计算和模拟仿真,最终设计并制作出符合指标要求的高温超导组合滤波器,测试结果与仿真计算一致,满足工程应用需求。  相似文献   

5.
在传统的RC串联电路稳态特性实验基础上,提出包含RC低通、高通、带通、带阻、以及全通滤波电路的实验方案设计。实验采用示波器和相位计直接测量输入输出信号的幅值及相位差。测得各种RC滤波电路幅频特性及相频特性并和理论计算曲线相比较。  相似文献   

6.
多层光子晶体滤波器研究   总被引:34,自引:6,他引:28  
从双层结构出发研究了一种由多块不同的单周期光子晶体组合而成的多层结构的滤波器,论述了这种滤波器的工作原理,研究表明这种结构适于制作带通、窄带通过、带阻、宽带带阻、高通以及其它各种性能的滤波器。实验和理论研究的结果相一致。  相似文献   

7.
双锥光纤滤波器的研制   总被引:4,自引:1,他引:3  
陈智浩  彭江得 《光学学报》1997,17(8):117-1120
实验研究了熔锥条件对双锥光纤滤波器的影响。提出一个高斯模型,预测锥的几何形状。获得了窄带带通双锥光纤滤波器以及带阻中心波长分别为135nm和1559nm的带阻双锥光纤滤波器。  相似文献   

8.
王显  张德伟  王树兴  吕大龙  张毅 《强激光与粒子束》2019,31(9):093206-1-093206-8
提出了一种数学建模方法用来分析折叠半模基片集成波导(FHMSIW)结构的场分布。基于多线理论首次计算了FHMSIW结构的衰减常数和相位常数,验证其与传统波导和基片集成波导的等效性。提出了FHMSIW结构具有高通特性和带阻特性,同时该结构的上下层具有近似奇对称的性质。通过在FHMSIW结构的中间金属层蚀刻缝隙或者添加金属过孔,就可以实现器件由带通到带阻的性能转换,给出了FHMSIW结构带阻、带通特性的产生和变换机理。利用其独特的性质,分别设计了等效HMSIW四分之一谐振枝节加载的FHMSIW均衡器和FHMSIW带通滤波器,设计的FHMSIW均衡器无需附加额外的馈电机制。测量结果显示出器件具有良好的性能,与仿真结果具有很好的一致性。相比于其他的平面电路,该设计的结构具有小型化、低损耗以及高Q值等优势。  相似文献   

9.
一种巴特沃斯型FIR数字滤波器的新设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
用傅立叶级数展开式研究了巴特沃斯型FIR半带低通数字滤波器系数和通用带通数字滤波器系数之间的联系,将其应用于巴特沃斯型FIR带通/带阻和低通/高通数字滤波器的设计,给出了滤波器系数的明晰公式。所设计的数字滤波器以幅度频率响应的平滑度为代价,减小了过渡带宽,具有与切比雪夫型FIR数字滤波器相比拟的性能指标。  相似文献   

10.
在液相外延生长的n型层上用扩散法形成p—n结制成了一种新型的发绿光的负阻磷化镓二极管。外廷生长层包含一狭窄的由深受主突然加入引起的高阻层。指出,负阻是由发射结和光敏的高阻区之间的光反馈形成。在固定偏压为5V,通断脉冲为4V时,从这些器件中得到在565nm,电流密度为11Acm~(-2)时的外部量子效率可达0.08%。  相似文献   

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