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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
Al/Cu薄膜真空扩散连接技术   总被引:7,自引:2,他引:7       下载免费PDF全文
 针对惯性约束聚变(ICF)物理实验要求,提出并采用真空扩散连接技术,在高温环境下对Al/Cu薄膜进行连接研究。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪以及台阶仪等方法对连接样品基体组织和表面质量进行分析。结果表明:铝铜薄膜通过界面原子间的范德华力、冶金结合以及界面反应实现无胶连接。  相似文献   

2.
采用近空间升华法(CSS)在氩/氧气氛中制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜.利用XRD,XPS,AFM,UV-VIS光谱和四探针技术等测试和分析手段系统研究了氧对薄膜的成分、结构、光学和电学等性质的影响.结果表明,用近空间升华法制备的CdS薄膜具有六方相结构,膜层致密、均匀,平均晶粒大小约为40 nm,富硫.氧掺入后部分与镉生成氧化镉,并随着氧含量的增加,薄膜的成分有趋于化学计量比的趋势,光学带隙加宽,光暗电导比增加.此外,还利用扫描电镜(SEM)观察了CdS/CdTe断面结合光谱响应(QE)的结果讨论了氧对CdS/CdTe界面互扩散的影响.发现,随着CdS薄膜制备气氛中氧分压的升高,CdS/CdTe界面的互扩散程度降低,有利于提高器件在500—600 nm波长范围内的光谱响应.认为,氧含量的增加不但使CdS薄膜在光伏应用方面的质量得到改善,而且CdTe太阳电池器件中的CdS/CdTe界面也得到了优化. 关键词: CdS多晶薄膜 近空间升华法 窗口层 界面  相似文献   

3.
在纯氧条件下,采用直流磁控溅射技术在单晶硅基片上沉积氧化铪(HfO2)薄膜,并研究了沉积过程中基片温度对薄膜结构和性能的影响规律。利用X射线衍射仪(XRD)和X射线能谱(XPS)表征了薄膜的晶体结构和组分,利用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,利用纳米力学测试系统表征了薄膜的纳米硬度和弹性模量。结果表明:磁控溅射制备的HfO2薄膜样品呈(111)择优生长,其晶粒尺寸随着基片温度的升高而增大,但其晶型并不发生转变。随着基片温度的增加,基片中的硅元素向薄膜内扩散,影响了薄膜的化学计量比。沉积薄膜的表面形貌和力学性能亦受到其结构和组分变化的影响。在200 ℃条件下制备的HfO2薄膜纯度高,O、Hf元素化学计量达到了1.99,其表面质量和力学性能均达到了最佳值,随着基片温度升高至300 ℃以上,薄膜纯度下降,表面质量和力学性能均产生劣化。  相似文献   

4.
用电子束热蒸发技术制备ZnO薄膜   总被引:13,自引:8,他引:5       下载免费PDF全文
本文报道了用电子束热蒸发技术制备ZnO薄膜,薄膜具有(002)取向,通过电子扫描显微镜确认晶粒大小在150nm左右,现有的薄膜在525nm处有强的光致发光。  相似文献   

5.
随着状态方程物理实验的深入,对靶的制备精度和要求不断提高,采用原有的工艺制备的EOS靶已经不能满足物理实验的要求。考虑现有设备情况,采用轧机轧制法制备金属薄膜,精密切削加工楔形靶,真空扩散连接法制备Al-Cu阻抗匹配靶。  相似文献   

6.
多辊轧机冷轧技术在靶材料制备中的应用   总被引:9,自引:1,他引:9       下载免费PDF全文
 叙述了多辊轧机轧制金属薄膜原理,以Ti膜制备为例,借助多辊轧机冷轧技术进行1.5 μm厚钛薄带的制备工艺研究。对薄膜的特性测试结果表明:工作辊的表面粗糙度对于轧制薄膜的表面粗糙度的影响很大,降低工作辊表面的粗糙度可以得到粗糙度为25.2 nm的金属薄膜。  相似文献   

7.
报道了在蓝宝石衬底上制备CeO2缓冲层的原位双温工艺法及其对Tl2Ba2CaCu28(Tl-2212)薄膜超导特性的影响.XPS和AFM测试结果表明,采用原位双温工艺法制备缓冲层,具有工艺简单,薄膜表面光滑,衬底材料原子扩散量少等特点.在先驱膜的高温后退火过程中,40 nm厚的CeO2薄膜就能有效地阻挡衬底材料对超导薄膜底层的扩散.随后制备厚度为530 nm的Tl-2212 关键词: Tl-2212超导薄膜 蓝宝石 氧化铈缓冲层 原位双温工艺法  相似文献   

8.
本文通过倾斜衬底沉积技术在Hastelloy基底上成功生长出具有双轴织构的MgO缓冲层。系统研究了衬底倾角分别为30°和55°,薄膜厚度对MgO双轴织构、织构角以及表面形貌的影响。ISD-MgO薄膜最小面内、外半高宽分别为11.0°和6.6°。另外,800℃下,在ISD-MgO上自外延300 nm厚的MgO薄膜可以优化其表面质量,为涂层导体的制备提供高质量缓冲层。  相似文献   

9.
聚酰亚胺薄膜表面粗糙度的影响因素   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 采用热蒸发气相沉积聚合方法(VDP)制备了聚酰亚胺(PI)薄膜,研究了设备、衬底温度、升温过程和单体配比因素对PI薄膜表面形貌的影响。利用干涉显微镜和扫描电镜对薄膜表面形貌进行了分析;利用原子力显微镜测定了薄膜表面粗糙度。结果表明:设定蒸发源-衬底距离为74 cm时可成连续膜;蒸发源采用一段升温和多段升温时,膜表面均方根粗糙度分别为291.23 nm和61.99 nm;采用细筛网可防止原料的喷溅;均苯四甲酸二酐和4,4′-二氨基二苯醚(PMDA和ODA)单体沉积速率比值为0.9∶1时,膜表面均方根粗糙度值可减小至3.30 nm;沉积衬底温度保持30 ℃左右时,膜表面均方根粗糙度为4.01 nm, 随温度的上升,膜表面质量会逐渐变差。  相似文献   

10.
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品,研究了AlN缓冲层厚度对GaN外延层的应力、表面形貌和晶体质量的影响。研究结果表明:厚度为15 nm的AlN缓冲层不仅可以有效抑制Si扩散,而且还给GaN外延层提供了一个较大的压应力,避免GaN薄膜出现裂纹。在该厚度AlN缓冲层上制备的GaN薄膜表面光亮、无裂纹,受到的张应力为0.3 GPa,(0002)和(1012)面的高分辨X射线衍射摇摆曲线峰值半高宽分别为536 arcsec和594 arcsec,原子力显微镜测试得到表面粗糙度为0.2 nm。  相似文献   

11.
选取纯度较高的1100铝棒作为加工模芯的原材料,利用金刚石车床精加工出表面粗糙度均方根值小于20 nm的铝模芯,采用磁控溅射的方法在铝模芯上制备厚度大于5 m的铜防护层,得到铝铜复合芯轴。对制备的铜防护层的表面微观结构、结晶性能、厚度一致性进行了分析测试,结果表明磁控溅射法制备的铜防护层沿(111)面择优生长,表面粗糙度均方根值小于30 nm,厚度一致性优于95%,圆柱度小于1 m。镀层与基底结合力强,可满足大厚度黑腔涂层的制备需求。  相似文献   

12.
状态方程实验用铜多台阶靶制备工艺   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 采用单点金刚石切削技术,通过合理的刀具设计、夹具设计及工艺过程设计,确定了加工工艺参数,完成了厚度几μm至几十μm的无氧铜多台阶靶的制备。通过触针式轮廓仪,台阶仪,白光干涉仪对表面轮廓及粗糙度进行了测量。结果表明:通过单点金刚石切削技术加工成形的铜多台阶靶,各台阶表面均方根粗糙度小于50 nm,工件表面轮廓平直,台阶垂直度较好。采用阿基米德原理对材料密度进行测量,加工成形后密度为(8.945±0.074) g/cm3,接近材料理论密度。  相似文献   

13.
采用单点金刚石车削技术制备加工铝楔形靶,发现金刚石车削加工楔形靶实际轮廓为圆锥面。通过Veeco NT1100白光干涉仪对表面轮廓及粗糙度进行了测量,结果表明平面部分表面粗糙度小于50 nm,最大峰谷值小于100 nm,斜面部分表面粗糙度小于200 nm。分析认为斜面部分粗糙度测量数值较大是由刀具工作角度变化导致的,而测量轮廓线非圆锥体母线又导致粗糙度测量结果大于实际值。  相似文献   

14.
用金刚石车削技术制备EOS实验用铝薄膜和铜薄膜   总被引:2,自引:3,他引:2       下载免费PDF全文
 具有材料理论密度的金属薄膜对于材料高压状态方程(EOS)研究而言具有重要的意义。本文提出采用金刚石车削技术,利用超精密金刚石车床、金刚石圆弧刀具及真空吸附夹持技术,对纯铝和无氧铜进行端面车削,完成了EOS实验用铝薄膜和铜薄膜的车削加工,实现了薄膜密度接近材料理论密度。精加工工艺参数为:进给量0.001 mm/r,主轴转速3000 r/min,切削深度1 μm。采用Form Talysurf series 2型触针式轮廓仪进行测量,结果表明:铝薄膜、铜薄膜厚度可以达到小于10 μm水平,表面均方根粗糙度小于5 nm,原始最大轮廓峰-谷高度小于50 nm,厚度一致性好于99%。  相似文献   

15.
研究了在硫酸甲醇体系中进行电解抛光制备状态方程(EOS)靶用钨薄膜。分析了钨的阳极极化曲线,对薄膜的表面形貌、晶粒取向、密度和厚度一致性进行了测试和分析,并制备出均方根粗糙度小于50nm、厚度一致性好于99%、能够保持原材料密度的钨箔膜,满足激光驱动材料高温高压状态方程研究的标准靶材料的需求,证明电解抛光是制备低表面粗糙度、块材密度的EOS所用金属箔材的有效手段。  相似文献   

16.
Plasma splashing from Al and Cu target materials and the growth of thin films on Cu and Al, respectively, has been studied using a Q-switched Nd:YAG laser with a 1064-nm, 80-mJ, 8-ns pulse width as the source of ablation. The target kept rotating and the substrate, Cu for Al and vice versa, was placed at an angle of 15° with respect to the beam axis. During the laser-matter interaction, the targets absorbed thermal energy within the thermal region depth of 4.7 (1.1) nm, yielding an ablated skin depth of 6.7 (4.2) nm. The surface morphology of the exposed targets was studied by analyzing SEM micrographs obtained using a ZEISS SUPRA 35 VP. The obtained results are explained on the basis of different sputtering/ablation mechanisms. Comparatively severe damage forming a bigger crater is seen on the Al target surface in contrast to the crater on the Cu surface. This observation is correlated with the blustering effect and/or debris formation. Energy dispersive spectroscopy (EDX) of the substrates yielded the deposition of micrometric grain-size particles.  相似文献   

17.
硅橡胶复合绝缘子是高压输电线路的关键设备,长期在复杂外界环境条件下带电运行后会发生表面老化,表现为粉化、褪色、粗糙度和硬度上升等现象。粗糙度作为复合绝缘子的老化特征量之一,其测量是复合绝缘子在线带电检测的难题。激光诱导击穿光谱技术(laser-induced breakdown spectroscopy, LIBS)适用于开展输电线路复合材料的远程在线检测,但粗糙度对LIBS信号的影响还没有得到系统的研究,利用这种基体效应进行绝缘子表面粗糙度的测量尚无报道。制备了不同粗糙度的硅橡胶新样品,与500 kV线路退运的复合绝缘子样品进行对比分析,研究了硅橡胶材料的粗糙度对LIBS信号的影响,结果表明,对于新制备硅橡胶材料随着粗糙度的增加,各主体元素特征谱线强度会随之增强,不同主体元素之间的原子谱线强度比(Si 288.2 nm/C 247.9 nm和Al 394.4 nm/Si 288.2 nm)随之下降,说明样品粗糙度对LIBS测量结果影响显著。但特征谱线强度及不同主体元素原子谱线强度比与粗糙度之间的函数关系不明显,难以用于粗糙度测量。硅橡胶的主体元素为Si,Al,C和O等,考虑元素含量及特征谱线的选取方便选择Si为主要分析元素。对于Si原子谱线强度比,选取了两条上能级相近(Eki=40 991.88, 39 955.05 cm-1)的原子谱线(SiⅠ288.2 nm,SiⅠ250.7 nm)作为分析线,在满足局部热力学平衡与光学薄的条件下两条谱线的强度比应为定值,但样品粗糙度的改变会影响脉冲激光烧蚀材料表面的过程,从而改变等离子体的状态,使得谱线强度比值也随之变化。上述两条硅原子谱线强度比和粗糙度建立的定标关系,线性相关系数为0.88。对于500 kV输电线路退运的老化硅橡胶材料,其表面由于老化有部分氢氧化铝填料析出,使得基体成分不均匀性更为显著,其表面也变得更为粗糙,这导致一对谱线强度比值作为定标函数,实用性降低。因此针对老化硅橡胶材料,除了选择Si元素谱线(SiⅠ250.7 nm,SiⅠ251.4 nm,SiⅠ251.9 nm)以外,还引入了Al元素谱线(AlⅠ305.7 nm, AlⅠ305.9 nm),利用三组谱线强度比进行多元回归分析,对于两个实测粗糙度为2.659和2.523 μm老化硅橡胶样品,LIBS测量的相对误差分别为0.218和0.189。结果表明对同样成分的复合材料,表面粗糙度对LIBS信号的影响是必须考虑的,而利用这种基体效应,开展远程在线测试复合绝缘子表面粗糙度,对于高压输电线路检测运维具有重要的应用价值。  相似文献   

18.
Laser-induced plasma is used as an X-ray source for the growth of hillocks like nanostructures on platinum surface. To generate X-rays, plasma is produced by Nd:YAG laser, which is operated at second harmonics (λ?=?532?nm, E?=?400?mJ). Analytical grade 5?N pure Al, Cu and W are used as laser targets for X-rays production. X-rays produced from Al, Cu and W plasmas are used to irradiate three analytical grade (5?N pure) platinum substrates, respectively, under the vacuum ~10?4 torr. XRD analysis shows considerable structural changes in the exposed platinum. The decrement in reflection intensities, increment in dislocation line density, change in d-spacing and disturbance in the periodicity of planes evidently prove these structural changes. Atomic force microscope AFM topographic analysis of the platinum exposed to X-rays emitted from Al, Cu and W targets showed that nanometer-size hillocks are produced on the platinum surface irrespective of the source. It has also been observed that due to these hillocks, the roughness of the surface has increased. Conductivity of hillocks produced from X-rays produced by Al, Cu and W targets is compared and it is shown that the hillocks produced by Al target X-rays have better conductivity compared to the hillocks produced by X-rays from Cu and W targets.  相似文献   

19.
Fe/Al混合膜的PLD法制备及表面分析   总被引:2,自引:1,他引:2  
 采用脉冲激光气相沉积(PLD)技术制备了Fe/Al混合膜,测量了该混合膜的光电子能谱(XPS),并采用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)对Fe/Al混合膜作了表面分析。结果表明:Fe/Al混合膜的表面粗糙度对衬底温度有明显的依赖性, 随着衬底温度的升高,薄膜的表面逐渐变得平滑,膜层变得致密,在200 ℃衬底温度下制得了均方根(rms)粗糙度为0.154 nm、具有原子尺度光滑性的Fe/Al混合膜, 膜中Fe和Al分布比较均匀,其成分比约为1∶3,同时XPS分析也表明Fe/Al混合膜暴露在空气中后表面形成了Al2O3和FeO氧化层。  相似文献   

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