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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 203 毫秒

1.  直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究  被引次数:6
   吕文中  贾小龙  何笑明《人工晶体学报》,2004年第33卷第1期
   ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射。本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响。结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1:4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性。本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜。    

2.  ZnO薄膜的制备和结构特性及应变  
   邓雷磊  吴孙桃  李静《发光学报》,2006年第27卷第6期
   在SiO2/Si衬底上面,利用射频磁控溅射方法,在不同的工艺条件下生长ZnO薄膜,然后进行热处理(600 ~1 000℃退火)。研究了氩氧比和退火温度对薄膜结晶性能的影响。薄膜的表面结构和晶体特性通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)来进行表征。结果表明:所制备的薄膜为多晶纤锌矿结构,具有垂直于衬底的c轴(002)方向的择优取向性。热处理可使ZnO(002)衍射峰相对强度增强,半峰全宽(FWHM)变小,即退火使c轴生长的薄膜取向性增强。未经退火的ZnO薄膜存在张应力,经过热处理后应力发生改变,最后变成压应力,并且随着退火温度的升高,压应力逐渐增大。    

3.  反应溅射氧化锌薄膜的结构特点及性质  
   刘建  刘佳宇《发光学报》,2006年第27卷第6期
   以金属Zn(纯度为99.99%)作为靶材,采用离子束反应溅射法在玻璃衬底上溅射沉积了一系列ZnO薄膜样品。通过对薄膜样品X射线衍射(XRD)谱的分析,发现尽管溅射条件不同,但是ZnO薄膜只沿(0002)晶面取向生长。衬底温度和溅射气体的氧分压对薄膜沿c轴取向生长有影响,其中衬底温度的影响较明显。溅射过程中发现衬底温度为360℃最适合(0002)晶面的生长,在此温度下溅射获得了完全沿c轴取向生长且衍射峰最强的ZnO薄膜。室温下测量了ZnO薄膜的发射光谱,发现薄膜在紫外区(364nm附近)、蓝绿区(470nm附近)有较强的发光峰,在紫光区(398nm附近)、蓝光区(452nm附近)和红外区(722nm附近)有较弱的发光峰。ZnO薄膜在空气中退火,对薄膜的结构、发光和电学性质都有一定影响。合适的退火温度可以促进薄膜沿c轴的取向生长;退火后ZnO多晶薄膜的晶粒比未退火的略大;退火使部分发光峰的位置发生偏移并使薄膜的发光强度增强;退火使薄膜的电阻率显著增大,薄膜的电阻率随氧分压的增大而增大。    

4.  射频反应磁控溅射制备ZnO薄膜的微结构及其光学性能  
   夏齐萍  汪小小  吕建国  宋学萍  孙兆奇《人工晶体学报》,2011年第40卷第2期
   采用射频反应磁控溅射技术在石英和Si衬底上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,样品的氧氩流量比分别为10:40,20:40,30:40,40:40.利用X射线衍射仪、表面轮廓仪、原子力显微镜和紫外-可见分光光度计研究了样品的微结构与光学特性.研究表明:氧氩流量比为30:40的样品结晶质量最好.所制备的ZnO薄膜的可见光平均透射率均大于87%.随着氧氩流量比的增大,薄膜的透射率呈非单调变化,氧氩流量比为30:40的样品在可见光范围的平均透射率可达93%.光学带隙随着氧氩流量比的增大,先增大后减小.与块材ZnO的带隙(3.37 eV)相比,ZnO薄膜的带隙均变窄.    

5.  磷扩散法制备高掺磷p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺的探索  
   丁瑞钦  曾庆光  陈毅湛  朱慧群  丁晓贵  齐德备《人工晶体学报》,2010年第39卷第2期
   在前期通过n+-Si衬底中的磷向沉积于其上面的ZnO薄膜的扩散制备高掺磷p型ZnO薄膜的研究基础上,探索了较有普遍应用意义的扩散法制备p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺.结果表明,当磁控溅射的氧氩质量流量比与衬底温度满足特定的低阶指数函数的匹配关系时,所制备的ZnO薄膜为p型,而且薄膜中磷原子的深度分布是均匀的;另外,这种薄膜的厚度随着氧氩流量比的增加而减小,而薄膜中氧锌原子浓度比都大于1,比值大小与氧氩质量流量比和衬底温度有关.    

6.  RF磁控溅射条件对ZnO薄膜结构的影响  被引次数:1
   张源涛 殷宗友 杨树人 马艳 杜国同《光子学报》,2002年第31卷第Z2期
   采用RF磁控溅射法在Si(001)衬底上制备ZnO薄膜。研究发现了工作中溅射频率、氧气和氩气流量比对样品结构的影响。样品的XRD图谱显示了强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长。比较不同条件下制备的ZnO薄膜,研究发现当氧气和氩气的流量比相同时,随着溅射功率的增加,样品的(002)衍射峰增强,半高全宽变小。而当溅射功率相同时,随着氧气和氩气的流量比增加,样品的(002)衍射峰也增强,半高全宽同样变小。此外,本文还分析了溅射工艺和薄膜晶体质量之间关系,发现在相同的功率条件下,溅射率低时晶粒尺寸更大且薄膜的结晶性更好。    

7.  ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响  
   王晓华  范希武  单崇新  张振中  张吉英  刘益春  吕有明  申德振《发光学报》,2003年第24卷第1期
   研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响。当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退火条件变化时,从X射线衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)中可见,ZnSe(111)膜的晶体质量有较大的变化。变温的PL谱表明,Si衬底上生长的具有ZnO缓冲层的ZnSe膜的近带边发射峰起源于自由激子发射。    

8.  退火对ZnO薄膜的结构和光学性质的影响  
   朱桂芳  徐军  孔令剑  曹付允  李喜来《光学技术》,2006年第32卷第Z1期
   采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火对ZnO薄膜的晶粒尺度和发光光谱的影响。XRD结果显示退火可以改善ZnO薄膜的结构特性,PL谱结果显示退火对ZnO薄膜的发光强度产生很大影响。    

9.  在不同衬底上制备的ZnO薄膜透射率的研究  被引次数:1
   袁广才  徐征  张福俊  王勇  赵德威  许洪华《光谱学与光谱分析》,2007年第27卷第7期
   采用反应磁控溅射在不同结构衬底上生长ZnO薄膜,通过X-ray衍射(XRD)及透射光谱来分析薄膜的成膜情况,并得出在Al2O3/AlN复合基上溅射沉积的ZnO薄膜比单独在AlN薄膜衬底的结晶质量好且透过率也较高.而经不同的快速热退火温度验证,发现在400 ℃时,ZnO薄膜的结晶化及在(002)方向上的择优取向达到最好,并在可见光范围内的平均透过率达到88%以上.当退火温度超过450℃时,温度过高改变了ZnO薄膜的内部结构,使其氧原子和锌原子发生了较大距离的位移,导致薄膜内部缺陷的增多,从而存在过多的晶界,增加了其薄膜的散射机制,使光的透过性变差,退火温度为500℃时,薄膜的平均透过率为80%.    

10.  退火对多晶ZnO薄膜结构与发光特性的影响  被引次数:18
   方泽波  龚恒翔  刘雪芹  徐大印  黄春明  王印月《物理学报》,2003年第52卷第7期
   用射频反应溅射法在Si(111)衬底上制备了C轴取向的多晶ZnO薄膜,通过不同温度的退火处理,研究了退火对多晶ZnO薄膜结构和发光特性的影响.由x射线衍射得知,随退火温度的升高,晶粒逐渐变大,薄膜中压应力由大变小至出现张应力.光致发光测量发现,样品在430nm附近有一光致发光峰, 峰的强度随退火温度升高而减弱,联合样品电阻率随退火温度升高而逐渐变大的测量及能级图,推测出ZnO薄膜中的蓝光发射主要来源于锌填隙原子缺陷能级与价带顶能级间的跃迁.    

11.  退火对ZnO薄膜光学特性的影响  被引次数:3
   张锡健  王国强  王卿璞  龚小燕  吴小惠  马洪磊《发光学报》,2008年第29卷第3期
   用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备出ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱等研究了退火温度对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。测量结果显示,所制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度和平均晶粒尺寸增大,(002)XRD峰半高宽(FWHM)减小,光致发光紫外峰强度增强。结果证明,用射频磁控溅射法通过适当控制退火温度可得到高质量ZnO薄膜。    

12.  Si(111)衬底上ZnO薄膜的磁控溅射法制备及表征  
   汪洪  周圣明  宋学平  刘艳美  李爱侠《人工晶体学报》,2005年第34卷第3期
   采用磁控溅射法在(111)单晶硅衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了退火温度对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小、应力和光致发光谱的影响。X射线衍射(XRD)表明薄膜为高度c轴择优取向。不同退火温度下的ZnO薄膜应力有明显变化。应力分布最为均匀的退火温度为500℃。室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,可观测到明显的紫光发射(波长为380nm左右)。实验结果表明,用磁控溅射法在单晶硅衬底上能获得高质量的ZnO薄膜。    

13.  生长和退火温度对磁控溅射法制备的ZnO薄膜性能的影响  被引次数:1
   王彬  赵子文  邱宇  马金雪  张贺秋  胡礼中《人工晶体学报》,2010年第39卷第5期
   利用磁控溅射法于500 ℃、550 ℃、600 ℃和650 ℃下在Al2O3(001)衬底上生长ZnO薄.对生长的ZnO薄膜后分别进行了800 ℃退火和1000 ℃退火处理.利用X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪和透射谱仪对薄膜的结构、电学和光学性质进行了研究,结果表明合适的生长温度和退火温度能够提高ZnO薄膜的结晶质量和性能.    

14.  退火温度对ZnO薄膜结构和内应变的影响  
   赵勇  俞进  于鹏  侯硕  梁晓军  方利广  盛广沪《南昌大学学报(理科版)》,2011年第35卷第3期
   采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积技术(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD),以Si(100)单晶片为衬底,在衬底温度400℃、氧气压力4×10-2Pa、靶负压400 V的条件下制备了具有c轴取向的ZnO薄膜。采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)研究了退火温度对ZnO薄膜结构和内应变的影响。研究结果表明:由于薄膜制备过程中的atom peening机制导致大量的原子被束缚于非平衡位置,未退火的ZnO薄膜呈压应力;薄膜压应力随退火温度的升高而降低,当退火温度升高至约530℃,薄膜的内应变由压应力转变为张应力;升高退火温度还促进了ZnO薄膜晶粒生长。为通过退火控制PFCVAD制备的ZnO薄膜内应变提供了依据。    

15.  离子束增强沉积制备p型氧化锌薄膜及其机理研究  
   袁宁一  李金华  范利宁  王秀琴  谢建生《物理学报》,2006年第55卷第7期
   采用离子束增强沉积方法在Si和SiO2/Si衬底上制备In-N共掺杂ZnO薄膜(INZO),溅射靶是用ZnO和2 atm% In2O3粉体均匀混合并压制而成,在氩离子溅射ZnO靶的同时,氮、氩混合离子束垂直注入沉积的薄膜.实验结果显示INZO薄膜具有(002)的择优取向,并且为p型导电,电阻率最低为0.9Ωcm.薄膜在氮气、氧气气氛下退火,对薄膜的结构和电学特性与成膜和退火条件的关系进行了分析.    

16.  Ti缓冲层及退火处理对Si(111)基片上生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响  
   魏玮  刘明  曲盛薇  张庆瑜《物理学报》,2009年第58卷第8期
   采用反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了带有Ti缓冲层的高c轴取向ZnO薄膜.通过X射线衍射分析和光致荧光光谱测量,研究了Ti缓冲层厚度和退火处理对ZnO薄膜结晶质量和光致荧光特性的影响.研究结果表明,Ti缓冲层的引入可以有效改善Si基片上ZnO薄膜的发光性能,但缓冲层存在一个最佳的厚度.薄膜应力是影响ZnO薄膜紫外荧光发射性能的重要因素,较小的残余应力对ZnO薄膜的紫外荧光发射是有利的,残余应力的存在可以改变ZnO薄膜紫外荧光发射能量.随着退火温度的增加,薄膜中的张应力增大,导致带隙宽度减小以及激子复合跃迁峰逐渐向低能方向移动.    

17.  退火对Ge诱导晶化多晶Si薄膜结晶特性的影响  
   康昆勇  邓书康  申兰先  孙启利  郝瑞亭  化麒麟  唐润生  杨培志  李明《物理学报》,2012年第61卷第19期
   本文采用磁控溅射法, 衬底温度500 ℃下在硅衬底上分别制备具有Ge填埋层的a-Si/Ge 薄膜和a-Si薄膜, 并进行后续退火, 采用Raman光谱、X射线衍射、原子力显微镜及场发射扫描电镜等对所制薄膜样品进行结构表征. 结果表明, Ge有诱导非晶硅晶化的作用, 并得出以下重要结论: 衬底温度为500 ℃时生长的a-Si/Ge薄膜, 经600 ℃退火5 h Ge诱导非晶硅薄膜的晶化率为44%, 在相同的退火时间下退火温度提高到700 ℃, 晶化率达54%. 相同条件下, 无Ge填埋层的a-Si薄膜经800 ℃退火5 h薄膜实现晶化, 晶化率为46%. 通过Ge填埋层诱导晶化可使在相同的条件下生长的非晶硅晶薄膜的晶化温度降低约200 ℃. Ge诱导晶化多晶Si薄膜在Si(200)方向具有高度择优取向, 且在此方向对应的晶粒尺寸约为76 nm. 通过Ge诱导晶化制备多晶Si薄膜有望成为制备高质量多晶Si薄膜的一条有效途径.    

18.  衬底温度对反应磁控溅射W掺杂ZnO薄膜的微观结构及光电性能的影响  被引次数:1
   张翅  陈新亮  王斐  闫聪博  黄茜  赵颖  张晓丹  耿新华《物理学报》,2012年第61卷第23期
   采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO(WZO)透明导电氧化物薄膜并研究了衬底温度对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响.实验结果表明,WZO薄膜具有良好的(002)晶面择优取向,且适当的衬底温度是制备优质WZO薄膜的关键因素.随着衬底温度升高,薄膜表面粗糙度先增大后减小;衬底温度较高时,薄膜的结构致密,结晶质量好,电子迁移率高.当衬底温度为325℃时,WZO薄膜获得最低电阻率9.25×10-3Ω·cm,方块电阻为56.24Ω/□,迁移率为11.8 cm2 V-1·s-1,其在可见光及近红外区域(400—1500 nm)范围的平均透过率达到85.7%.    

19.  退火温度和β-FeSi_2薄膜厚度对n-β-FeSi_2/p-Si异质结太阳电池的影响  被引次数:2
   郁操  侯国付  刘芳  孙建  赵颖  耿新华《人工晶体学报》,2009年第38卷第3期
   本文采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并通过后续退火温度的优化得到了单一相高质量的β-FeSi2薄膜.结果表明,在本实验条件下得到的未掺杂的β-FeSi2薄膜在室温下是n型导电的,其电学特性存在一个退火温度的最优点:800 ℃.而且在这个最佳温度点上,在Si(111)衬底上外延得到的薄膜载流子迁移率比在Si(100)上高出了一倍多.在上述研究的基础上,采用p-Si(111)单晶片作为外延生长β-FeSi2薄膜的衬底,并通过退火温度和薄膜厚度的优化制备出了国内第一个n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池,其Jsc=7.90 mA/cm2 ,Voc=0.21 V,FF=0.23,η=0.38%.    

20.  溅射参数对ZnO薄膜物性的影响  
   张丽明  王莹《化学研究》,2007年第18卷第4期
   采用磁控溅射方法分别在ITO玻璃和硅片上成功制备了具有良好C轴取向的ZnO薄膜.并研究了溅射气压,基底温度,以及氧偏压对ZnO薄膜物性的影响,从而确定了制备ZnO薄膜的最佳溅射条件.    

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