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基于对实验和理论的分析,提出一种异质结量子点隧穿(HQD)模型,并导出了纳米硅薄膜电导率完整的表达式.其主要思想是,纳米硅薄膜中的微晶粒(几个纳米大小)具有量子点特征,在微晶粒与界面之间由于两者能隙的差异构成晶间势垒,这类似于多晶硅中经常使用的晶间势垒模型(GBT).考虑到量子点中的单电子隧穿特征,认为纳米硅薄膜中的电传导是由微晶粒中电子弹道式输运与单电子越过势垒的隧穿构成的.这就是HQD模型的主要内容,理论结果与实验相符
关键词: 相似文献
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基于第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了单空位缺陷对单层石墨纳米带(包括zigzag型和armchair型带)电子性质的影响.研究发现,单空位缺陷使石墨纳米带在费米面上出现一平直的缺陷态能带;单空位缺陷的引入使zigzag型半导体性的石墨纳米带变为金属性,这在能带工程中有重要的应用价值;奇数宽度的armchair型石墨纳米带表现出金属特性,有着很好的导电性能,同时,偶数宽度的armchair型石墨带虽有金属性的能带结构,但却有类似半导体的伏安特性;单空位缺陷使得奇数宽度的armchair石墨纳米带导电
关键词:
石墨纳米带
单空位缺陷
电子结构
输运性质 相似文献
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超热电子的产生及其转化效率是快点火中的重要研究内容,也是优化快点火中的激光等离子体参数、降低对点火脉冲能量需求等方面的重要依据.纳米丝靶是提高激光一超热电子转化效率的一种有效途径,为了进一步理解激光.纳米丝靶相互作用中超热电子的产生过程以及加热方式,本文应用二维PIC(Flips2D)程序进行了相关的数值模拟.通过研究电子在丝靶中的运动轨迹发现了远离互作用面的冷电子通过回流的方式向互作用面运动,然后在互作用面附近与激光场相互作用被加热;研究了单个激光周期内电子密度和电子能量密度的变化,确定了反向运动的电子的能量要远小于前向运动的电子能量,确定了反向运动的电子大部分是冷电子的回流;通过研究场与电子空间位置随时间变化的关系,确定了丝靶中超热电子的加热机理为J×B机理. 相似文献
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通过第一性原理计算研究了具有锯齿状边沿并且具有反铁磁构型的单层石墨纳米带的自旋极化输运.研究发现,在中心散射区同一位置掺入单个B和N原子,尽管对整个体系磁矩的影响完全相同,但对两个自旋分量电流的影响却完全相反.掺B时,自旋向上的电流显著大于自旋向下的电流;而掺N时,自旋向下的电流显著大于自旋向上的电流.这是由于不管掺B还是掺N都将打破自旋简并,使得导带和价带中自旋向上的能级比自旋向下的能级更高.掺B引入空穴,使完全占据的价带变为部分占据,从而自旋向上的能级正好处于费米能级,使得电子透射能力更强、电流更大,而自旋向下的能级则离费米能级较远使电子透射的能力较弱.掺N则引入电子,使得原来全空的导带变为部分占据,从而费米能级穿过导带中自旋向下的能级,使得自旋向下的电子比自旋向上的电子透射能力更强.
关键词:
自旋极化输运
单层石墨纳米带
第一性原理
非平衡格林函数 相似文献
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研究了倒置器件结构以及CdSe量子点发光材料与金属纳米粒子之间的相互作用对量子点的电致发光性能的影响。利用TiO2作为电子传输/注入层,成功地制备了倒置结构的量子点电致发光器件。通过对单载流子器件电压-电流特性的分析,证明了ITO作为阴极到TiO2的电子注入特性与Al作为阴极时的效果几乎相同。观察到金属纳米粒子产生的局域等离子体效应提高了器件的效率,使得效率随电流增大而降低的速度明显减小。在电流密度为200 mA/cm2时,电致发光器件的效率大约提高了42%。 相似文献