|
1.
|
薄膜物理及其应用讲座——第十讲 低维材料的X射线衍射(Ⅱ)
|
|
|
|
|
|
|
麦振洪《物理》,1996年第5期
|
|
|
３．４ 横向周期结构薄膜制备工艺的不断发展，目前已能制备几个原子层厚度的超薄结构，因此人们越来越关注这些低维结构中的量子限制效应，如量子线、量子点等．它们不仅具有丰富的物理内涵，而且具有巨大的应用潜力．表面周期结构的周期可以应用光学干涉方法来测定，但其分辨率受到光波波长的限制，高分辨Ｘ射线衍射提供了一种对低维材料横向周期结构高精度、非破坏的测定方法．３．４．１皱折的表面近年来，Ｔａｐｆｅｒ等人对皱折表面的Ｘ射线衍射在理论上和实验上都作了研究［９，１０］．他们应用光刻和腐蚀方法，在ＧａＡｓ表面刻出…
|
|
2.
|
磁控溅射法制备极紫外6.8～11.0nm波段Mo/B_4C横向梯度多层膜（英文）
|
|
|
|
|
|
|
朱京涛 李淼 朱圣明 张嘉怡 冀斌 崔明启《强激光与粒子束》,2018年第6期
|
|
|
用直流磁控溅射法结合掩模板控制膜厚的方法在Si衬底上制备了工作于6.8～11.0nm波段的[Mo/B_4C]60横向梯度多层膜。利用X射线掠入射反射测试以及同步辐射反射率测试对梯度多层膜的结构及性能进行了测试。X射线掠入射反射测试结果表明,多层膜周期厚度沿着长轴方向从4.39nm逐渐增加到7.82nm,周期厚度平均梯度为0.054nm/mm。对横向梯度多层膜沿长轴方向每隔5mm进行了一次同步辐射反射率测试,结果显示,横向梯度多层膜在45°入射角下的反射率约为10%,反射峰的半高全宽介于0.13nm到0.31nm之间。
|
|
3.
|
InAs/GaAs透镜形量子点超晶格材料的纵向和横向周期对应变场分布的影响
|
|
|
|
|
|
|
刘玉敏 俞重远 杨红波 黄永箴《物理学报》,2006年第55卷第10期
|
|
|
对量子点超晶格材料中量子点纵向周期和同层量子点的横向周期间距对量子点及其周围应变场分布的影响进行了系统的研究.结果表明，横向和纵向周期通过衬底材料之间的长程相互作用对量子点沿中心轴路径应变分布的影响效果正好相反，在适当条件下，两者对量子点应变场分布的影响可以部分抵消.同时也论证了在单层量子点和超晶格量子点材料中，计算量子点的电子结构时，应综合考虑量子点空间周期分布对载流子限制势的影响，不能简单的利用孤立量子点模型来代替.
|
|
4.
|
23.4nm软X射线多层膜反射镜研制
|
|
|
|
|
|
|
Liu Z Li X Ma YY Chen B Cao JL《光谱学与光谱分析》,2011年第31卷第4期
|
|
|
为了满足类氖-锗X射线激光研究的需要,设计制备了23.4 nm软X射线多层膜反射镜.依据多层膜选材原则并考虑材料的物理化学特性选择新的材料Ti与Si组成材料对.设计优化材料多层膜的周期厚度(d),材料比例(Γ),周期数(N),计算出Ti/Si反射率曲线.通过实验优化各种镀膜工艺参数,制备出了23.4 nm的Ti/Si多层膜反射镜.利用X射线衍射仪和软X射线反射率计对Ti/Si多层膜结构和反射率进行枪测,测量结果为Ti/Si多层膜反射镜中心波长λ0=23.2nm,正入射峰值反射率为R=25.8%.将Ti/Si多层膜反射镜与软X射线波段常用的Mo/Si多层膜反射镜相比,在23.4 nm处,Ti/Si多层膜反射镜的反射率提高10%,而带宽减小1.8 nm,光学性能显著提高.
|
|
5.
|
在19.5 nm处高反在30.4 nm处抑制的双功能薄膜
|
|
|
|
|
|
|
蒋励 王晓强 谭默言 黄秋实 李浩川 周斯卡 朱京涛 王占山《强激光与粒子束》,2011年第23卷第5期
|
|
|
研究了极紫外波段的双功能光学元件。采用周期膜叠加的思想，运用遗传方法优化设计了在19.5 nm处高反，在30.4 nm处抑制的双功能多层膜。采用磁控溅射技术制备了多层膜，利用X射线衍射仪测试了多层膜的结构，在国家同步辐射实验室测试了双功能多层膜的反射特性。结果表明：制备出的双功能膜性能与设计相符，在入射角13°，19.5 nm处的反射率达到33.3%，接近传统的19.5 nm周期高反膜的反射率，并且在30.4 nm附近将反射率由1.1%降到9.6×10-4。
|
|
6.
|
同步辐射X射线掠入射衍射实验技术及应用 被引次数：3
|
|
|
|
|
|
|
姜晓明 贾全杰 郑文莉 刘鹏 冼鼎昌 蒋最敏 王迅《中国物理 C》,2000年第24卷第12期
|
|
|
利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪,建立了掠入射X射线衍射实验方法.对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应变进行了成功测量,表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号.实验结果表明,Ge/Si量子点的形成除了在Si衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外,还在Si衬底中形成了具有横向压缩应变的区域.
|
|
7.
|
窄阱ZnSe—ZnS应变多量子阱的制备和鉴定 被引次数：1
|
|
|
|
|
|
|
关郑平 范广涵《发光学报》,1992年第13卷第4期
|
|
|
本文报导了利用常压MOCVD法制备窄阱ZnSe•ZnS应变多量子阱的方法,经X射线衍射、光致发光(PL)及扫描电镜(SEM)实验测定表明,该结构具有较好的结晶质量,阱宽约为0.5nm。
|
|
8.
|
Mo/B4C软X射线多层膜结构特性研究 被引次数：1
|
|
|
|
|
|
|
吕俊霞 马月英 裴舒 陈星旦 曹健林《光子学报》,2000年第29卷第5期
|
|
|
在6.7<λ<10.0nm波段选择Mo/B4C作为多层膜材料,并采用磁控溅射法制备出多层膜样品.这些多层膜样品的周期结构为3.35nm～5.52nm.采用X射线衍射仪和透射电镜(TEM)对样品的微观结构进行研究.结构表明,这些多层膜样品的结构质量很高,并有很好的热稳定性.
|
|
9.
|
ZnSe(ZnS)纳米晶与MEH-PPV的共掺有机电致发光器件 被引次数：1
|
|
|
|
|
|
|
殷月红 邓振波 伦建超 吕昭月 杜海亮 王永生《发光学报》,2012年第33卷第2期
|
|
|
采用水相法合成核壳结构ZnSe/ZnS 纳米晶,经X射线衍射(XRD)分析和透射电子显微镜(TEM)表征,证实所制备的样品为立方晶型闪锌矿结构ZnSe/ZnS量子点。按照一定的质量比将ZnSe/ZnS 纳米晶和有机聚合物MEH-PPV(poly ) 共掺并将其作为发光层,分别制备单层和多层有机电致发光器件,结构为ITO/MEH-PPV∶ZnSe(ZnS)(50 nm)/Al和 ITO/PEDOT∶PSS(70 nm)/ MEH-PPV∶ZnSe(ZnS)(50 nm)/BCP(15 nm)/Alq3(12 nm) /LiF(0.5 nm)/Al。实验结果表明,多层发光器件的发光特性与单层器件不同,工作电压的增大使其发光峰发生了明显的蓝移。
|
|
10.
|
低压-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量子阱
|
|
|
|
|
|
|
于广友 范希武《发光学报》,1997年第18卷第2期
|
|
|
本文报道了用低压(LP)-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量子阱结构.通过X-射线衍射谱证实了所制备的样品具有比较好的多层结构,并通过77K下的光致发光(PL)光谱,观测到了大的垒层对电子的限制效应及由大的应变引起的阱层带边变化所导致的发光峰蓝移.
|
|
11.
|
GaN基蓝光VCSEL的制备及光学特性
|
|
|
|
|
|
|
蔡丽娥 张保平 张江勇 沈汉鑫 朱文章《发光学报》,2016年第37卷第4期
|
|
|
利用金属有机物气相沉积技术(MOCVD)在(0001)蓝宝石衬底上生长了 GaN 基垂直腔面发射激光器(VCSEL) 的多量子阱腔层结构。X射线衍射测量显示该多量子阱具有良好周期结构和平整界面。运用键合及激光剥离技术将该外延片制作成 VCSEL,顶部和底部反射镜为极高反射率的介质膜分布布拉格反射镜 (DBR)。在室温、紫外脉冲激光的泵浦条件下,观察到了VCSEL明显的激射现象,峰值波长位于447.7 nm,半高宽为0.11 nm,自发辐射因子约为6.0×10-2,阈值能量密度约为8.8 mJ/cm2。在大幅度降低制作难度的情况下,得到目前国际最好结果同样数量级的激射阈值。降低器件制作难度有利于制备的重复性,有利于器件的产品化。
|
|
12.
|
氧化处理的蓝宝石基片上沉积的ZnO/MgO多量子阱的结构及光学性质研究
|
|
|
|
|
|
|
栾田宝 刘明 鲍善永 张庆瑜《物理学报》,2010年第59卷第3期
|
|
|
采用射频反应磁控溅射的方法，在经过氧化处理的Al2O3（0001）基片上制备了具有良好调制结构的ZnO/MgO多层膜量子阱.利用X射线反射率测量、X射线衍射分析、电子探针显微分析、原子力显微镜、透射光谱以及光致发光光谱等表征技术，研究了ZnO/MgO多量子阱的结构、表面形貌和光致发光等特性.XRD以及扫描的结果表明多层膜样品具有高c轴择优取向并且与蓝宝石基片有良好的外延关系.通过X射线反射率测量的结果得到多量子阱的调制周期，结合电子 关键词： ZnO/MgO 多量子阱 反应磁控溅射 变温光谱
|
|
13.
|
正入射Mo/B_4C软X射线多层膜 被引次数：2
|
|
|
|
|
|
|
吕俊霞 马月英 张俊平 曹健林《光学学报》,1998年第18卷第1期
|
|
|
采用Ｍｏ／Ｂ４Ｃ材料在短波长波段（λ＜１０．０ｎｍ）进行软Ｘ射线多层膜实验研究。在指定波长（８．０ｎｍ附近）处对多层膜进行结构设计，并制备出了周期结构准确的Ｍｏ／Ｂ４Ｃ多层膜样品。
|
|
14.
|
LB技术组装聚合物／有机染料多层膜的光致发光和电致发光 被引次数：2
|
|
|
|
|
|
|
黄金满 杨毅《高等学校化学学报》,1995年第16卷第7期
|
|
|
半导体超晶格材料由于其特殊的光电性质引起人们的关注,So和Tokito等人用分子束沉积的方式制备了有机及有机无机复合的超晶格材料器件,但分子沉积中有机小分子染料的结晶影响薄膜的质量及器件的寿命。最近,我们用两亲性聚合物分子成功地将有机染料分子组装在聚合物LB膜中,有效地限制有机小分子染料结晶,实验证明此多层LB膜具有超晶格结构和较好的稳定性及发光特性。为制备多量子阱结构器件提供了一种新方法。 两亲性聚合物(ES)是由环氧氯丙烷、乙二胺和硬脂酸共聚而成。将染料分子四苯基丁二烯(TPB)与ES相混合的氯仿溶液(TPB与ES质量比为2:10)分散在去离子水亚相表面,在20mN/m的膜压下将其转移到单晶硅片上。用小角X射线衍射实验观察其多层结构,在小角衍射区存在一个Bragg衍射峰(图1),根据Bragg衍射方程得到其层状周期结构为5.8nm。考虑到ES的分子尺寸,我们认为每一周期结构是由两层聚合物的LB膜组成。由于TPB分子是疏水的,通过分子间的相互作用,TPB分子可能镶嵌或吸附在ES的疏水脂肪链中,与无机半导体超晶格结构对照,聚合物ES的亲水网络由于是绝缘材料,带隙很宽相当于能垒,而镶嵌有TPB的疏水层则相当于势阱,这就很可能形成聚合物/有机染料的超晶格结构。考察其发光特性(图2)时,发现聚合物/有机染#0;
|
|
15.
|
磁控溅射制备横向梯度分布的Mo/Si周期多层膜 被引次数：1
|
|
|
|
|
|
|
涂昱淳 宋竹青 黄秋实 朱京涛 徐敬 王占山 李乙洲 刘佳琪 张力《强激光与粒子束》,2011年第23卷第9期
|
|
|
采用磁控溅射方法在Si基板上镀制了横向梯度分布的Mo/Si周期多层膜。以X射线掠入射反射测量了横向梯度多层膜的膜系结构，在基板65 mm长度范围内，多层膜周期从8.21 nm线性减小到6.57 nm，周期梯度为0.03 nm/mm。国家同步辐射实验室反射率计的反射率测试结果表明：该横向梯度分布周期多层膜上不同位置，能反射在13.3~15.9 nm波段范围内不同波长的极紫外光，反射率为60%~65%。
|
|
16.
|
脉冲功率对含硅量子点SiC_x薄膜物相结构及光谱特性的影响
|
|
|
|
|
|
|
张志恒 赵飞 杨雯 莫镜辉 葛文 李学铭 杨培志《光谱学与光谱分析》,2019年第2期
|
|
|
基于硅量子点(Si-QDs)的全硅叠层太阳电池被认为是最有潜质的高效太阳电池之一。目前所报道的硅量子点薄膜存在硅量子点数密度低、缺陷多等问题,限制了硅量子点太阳电池的光电转换效率。微波退火(microwave annealing,MWA)被认为是一种有益于制备纳米结构材料的方法。微波退火的非热效应可以降低形核能,改善薄膜的微结构和光电性能。因此,采用磁控共溅射技术并结合微波退火工艺,在不同的脉冲功率下制备了含硅量子点SiCx薄膜;采用掠入射X射线衍射(GIXRD)、拉曼(Raman)光谱、紫外-可见-近红外分光光度计和光致发光(PL)光谱表征薄膜的物相结构及光谱特性;研究不同脉冲功率对硅量子点数密度和性能的影响,进而改进磁控共溅射工艺,制备硅量子点数密度较高和性能良好的薄膜。样品的GIXRD谱和Raman谱均显示其中存在硅量子点,其强度先增大后减小;通过谢乐(Scherrer)公式估算出硅量子点尺寸呈现先增大后减小的规律,脉冲功率为80W时尺寸达到最大(8.0nm)。在Raman光谱中还观察到中心位于511cm-1处出现硅量子点Si-Si横向光学振动模式的拉曼峰,其强度也呈现先增大后减小的趋势;对拉曼光谱做最佳高斯(Gauss)分峰拟合,得出薄膜的晶化率均高于62.58%,脉冲功率为80W时制备的薄膜具有最高的晶化率(79.29%)。上述分析表明薄膜中均有硅量子点的形成,且数量先增加后减小,脉冲功率为80 W时硅量子点数量最多。通过测量样品的透射率T、反射率R等光学参数,利用Tauc公式估算出薄膜的光学带隙,发现带隙值随溅射功率的增加先减小后增大,在脉冲功率为80W时最小(1.72eV)。硅量子点尺寸与光学带隙成反比,说明薄膜中的硅量子点具有良好的量子尺寸效应。通过PL光谱分析样品的发光特性,对其做最佳高斯拟合,发现样品中均有6个发光峰。结合Raman光谱的分析结果,可以得出波长位于463～624nm的发光峰源于硅量子点的作用;而波长位于408和430nm的发光峰则源于薄膜内部的缺陷态,峰位没有偏移,但强度有变化。根据发光峰对应的波长可计算其能带分布,从而确定缺陷态类型:408nm的发光峰归因于≡Si°→Ev电子辐射跃迁,430nm的发光峰则归因于≡Si°→≡Si-Si≡的缺陷态发光。还研究了硅量子点的尺寸对发光峰移动的影响。结果表明,随硅量子点尺寸变小(大),发光峰蓝移(红移)。综上,溅射功率为80W时制备的含硅量子点SiCx薄膜性能最佳。研究结果为硅量子点太阳电池的后续研究奠定了基础。
|
|
17.
|
反应磁控溅射ZnO/MgO多量子阱的光致荧光光谱分析
|
|
|
|
|
|
|
辛萍 孙成伟 秦福文 文胜平 张庆瑜《物理学报》,2007年第56卷第2期
|
|
|
采用反应射频磁控溅射方法，在Si(001)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO/MgO多量子阱.利用X射线反射、X射线衍射、电子探针，光致荧光光谱等表征技术，研究了ZnO/MgO多量子阱的结构、成份和光致荧光特性.研究结果表明，多量子阱的调制周期在1.85—22.3 nm之间，所制备的多量子阱具有量子限域效应，导致了室温光致荧光峰的蓝移，并观测到了量子隧穿效应引起的荧光效率下降.建立了基于多声子辅助激子复合跃迁理论的室温光致荧光光谱优化拟合方法，通过室温光致荧光光谱拟合发现，ZnO/MgO比ZnO/ZnMgO多量子阱具有更大的峰位蓝移，探讨了导致光致荧光光谱展宽的可能因素. 关键词： ZnO/MgO 多量子阱 磁控溅射 光致荧光 量子限域效应
|
|
18.
|
50~110 nm波段高反射率多层膜的设计与制备 被引次数：1
|
|
|
|
|
|
|
李存霞 王占山 王风丽 朱京涛 吴永荣 王洪昌 程鑫彬 陈玲燕《光子学报》,2007年第36卷第10期
|
|
|
阐述了50~110 nm强吸收波段亚四分之一波长多层膜的设计方法.这种膜系是由强吸收材料叠加而成，每层膜光学厚度小于四分之一个波长.与常规周期多层膜相比，这种膜系更适用于提高强吸收波段的反射率.利用该方法设计了50 nm处高反射多层膜，并以此为初始条件通过Levenberg-Marquart优化方法完成了50~110 nm强吸收波段宽带高反射率Si/W/Co多层膜的设计，其平均反射率达到45%.采用直流磁控溅射方法制备了Si/W/Co多层膜,用X射线衍射仪(XRD)对膜层结构进行了测试，测试结果表明制作出的多层膜结构与设计结构基本相符.
|
|
19.
|
50～11O nm波段高反射率多层膜的设计与制备 被引次数：4
|
|
|
|
|
|
|
李存霞 王占山 王风丽 朱京涛 吴永荣 王洪昌 程鑫彬 陈玲燕《光子学报》,2007年第36卷第10期
|
|
|
阐述了50～110 nm强吸收波段亚四分之一波长多层膜的设计方法.这种膜系是由强吸收材料叠加而成,每层膜光学厚度小于四分之一个波长.与常规周期多层膜相比,这种膜系更适用于提高强吸收波段的反射率.利用该方法设计了50 nm处高反射多层膜,并以此为初始条件通过Levenberg-Marquart优化方法完成了50～110 nm强吸收波段宽带高反射率Si/W/Co多层膜的设计,其平均反射率达到45%.采用直流磁控溅射方法制备了Si/W/Co多层膜,用X射线衍射仪(XRD)对膜层结构进行了测试,测试结果表明制作出的多层膜结构与设计结构基本相符.
|
|
20.
|
基于多层膜技术的硬X射线Laue透镜衍射效率的理论研究 被引次数：1
|
|
|
|
|
|
|
黄秋实 李浩川 朱京涛 桑田 王占山 陈玲燕《光子学报》,2009年第38卷第9期
|
|
|
采用耦合波理论分析了X射线在多层膜Laue透镜中的传播,选择Cu的Kα线作X射线光源,计算了多层膜Laue透镜的衍射效率.材料为WSi2/Si,最外层宽度为10 nm,深度为8 500 nm的多层膜Laue透镜,倾斜情况下外层区域局部光栅的衍射效率可达59%,理论上证明了多层膜Laue透镜是实现X射线聚焦的有效手段.
|
