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1.
用数值方法证实了亮、暗屏蔽光伏孤子在有外加电场的LiNbO3晶体中都可以发生大自偏转,并验证了这种自偏转现象不但与晶体中受主浓度NA有关而且还与外加电场E0有关. 在E0相同的条件下,NA越小这种自偏转现象越明显,在NA相同的条件下,E0越大自偏转现象越明显. 还发现亮、暗屏蔽光伏孤子的自偏转现象不同:亮屏蔽光伏孤子整体都发生明显偏转,暗屏蔽光伏孤子的偏转只是发生在一侧,其极值位置和另一侧几乎不发生偏转.
关键词:
自偏转
空间孤子
光折变效应 相似文献
2.
双光子光折变介质中非相干耦合亮-暗屏蔽光伏孤子对 总被引:1,自引:1,他引:0
对有外加电场的双光子光伏光折变晶体中两束偏振方向和波长都相同的互不相干光束的耦合进行研究,给出产生亮-暗双光子光折变屏蔽光伏孤子对需满足的条件.以Cu:KNSBN晶体作为研究对象,选取α=117.3,β=83.79,η=1.5×10-4,σ=104,δ=0.005,r=10时,给出双光子光折变晶体中的非相干耦合亮-暗屏蔽光伏孤子对2个孤子分量光强的空间分布,证明有外加电场的双光子光伏光折变晶体中存在非相干耦合亮-暗屏蔽光伏孤子对,指出孤子对是由偏振态和波长都相同的两束互不相干光形成的,当外加电场方向和晶体中光伏电场的方向与晶体光轴方向相同时,双光子光折变晶体中可支持亮孤子峰值光强稍大于暗孤子最大光强的非相干耦合亮-暗孤子对,当外加电场方向和晶体中光伏电场的方向与晶体光轴方向相反时,双光子光折变晶体中可支持亮孤子峰值光强稍小于暗孤子最大光强的非相干耦合亮-暗孤子对. 相似文献
3.
根据光波耦合方程及亮-暗孤子对解,对稳态情况下多束互不相干的光束在有外加电场的双光子非光伏光折变晶体中的传播进行分析,给出产生亮-暗双光子光折变屏蔽光伏孤子族需满足的条件。证明有外加电场双光子非光伏光折变晶体中存在非相干耦合亮-暗混合屏蔽孤子族,孤子族由偏振态和波长都相同的多束互不相干的光形成。当外加电场方向和晶体光轴方向相同时,双光子光折变晶体可支持亮孤子族总峰值光强稍大于暗孤子族总峰值光强的的非相干耦合亮-暗混合孤子族,当外加电场方向与晶体光轴方向相反时,双光子光折变晶体可支持亮孤子族总峰值光强稍小于暗孤子族总峰值光强的非相干耦合亮-暗混合孤子族。 相似文献
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基于带输运模型理论建立了 LiNbO3 晶体屏蔽光伏孤子的时空演化动力学方程, 用有限差分方法求解发现, LiNbO3 晶体中明、暗屏蔽光伏孤子存在大的自偏转, 并且光孤子形状变得具有不对称性, 偏转方向的曲线斜率绝对值变大, 偏转反方向的曲线斜率绝对值变小. 分析研究表明影响其自偏转度和形变的因素包括受主浓度 NA, 暗辐射强度 Id 和外加电场 E0 . 其他条件不变的情况下NA 越大, 明孤子的自偏转度与形变越小, 暗孤子的自偏转度与形变反而越大; 对于 Id , 它对明暗孤子的影响是相同的, Id 越小, 晶体里诱导出的空间电荷场越容易达到饱和, 当信号光中心光强与暗辐射强度之比为 10-1时无饱和现象产生; 随着 E0 数值的增大, 明孤子的自偏转度和形变减小, 而暗孤子的自偏转度和形变反而增大. 相似文献
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7.
采用数值方法研究了在一个具有扩散效应的光伏光折变晶体中的非相干耦合的亮和暗光伏空间孤子对的偏转特性.结果表明,由于非相干相互作用,晶体中的一个亮孤子和一个暗孤子互相俘获,且两个孤子的中心沿着相同的轨迹移动.发现,当亮孤子的入射峰值强度不变时,通过调节暗孤子的入射背景强度可以控制亮孤子的偏转;当暗孤子的入射背景强度处于一个特殊值时,亮孤子的偏转被抑制,而当暗孤子的入射背景强度偏离这个特殊值时,亮孤子发生偏转.同样,当暗孤子的入射背景强度不变时,其偏转可以通过调节亮孤子的入射峰值强度来控制. 相似文献
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分别用数值法和微扰法研究了考虑背景光时光伏暗空间孤子的自偏转特性.与亮孤子不同,暗孤子光束中心的运动轨迹不为抛物线.在归一化的直角坐标系(ξ,ζ)中,暗孤子朝ξ>0的方向偏转;同时,暗孤子光束中心光强发生改变.通过调节晶体对信号光和背景光的有效光伏系数之比r或信号光光强可以控制它的自偏转.还用数值方法研究了灰空间孤子的自偏转特性,发现灰孤子光束自偏转特性依赖于横向初速度v.当v>0时,灰孤子光束朝ξ>0的方向
关键词:
光伏空间暗孤子
光伏空间灰孤子
扩散效应
自偏转 相似文献
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