共查询到19条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
飞秒激光扫描自相关仪 总被引:4,自引:2,他引:2
本文报道了一种测量飞秒激光脉冲宽度的扫描自相关仪,其扫描频率为25Hz,测量范围从20fs到900fs.采用的是BBO倍频晶体,测量光谱范围从700nm~1000nm. 相似文献
6.
7.
针对高精度相干激光探测需求,提出了一种基于环形腔结构的双波长单频输出掺饵光纤激光器。该激光器使用未泵浦的掺饵光纤作为可饱和吸收体,结合标准具结构的光纤法布里-珀罗滤波器和光纤布拉格光栅,实现1 570 nm和1 548 nm附近的双波长单频激光输出,其中心波长分别为1 569.97 nm和1 548.06 nm,光信噪比分别达到58 dB和55 dB。通过在100 min内对输出激光光谱和功率的连续数据采集,得到输出功率波动分别为0.01 dB和0.02 dB,且光谱仪上始终未见输出激光光谱中心波长变化,表明输出激光具有良好的工作稳定性。采用延时非零自外差法测量了输出激光的线宽,测得1 570 nm处激光线宽约为230.2 Hz,1 548 nm处线宽约为223.6 Hz。 相似文献
8.
LD脉冲侧面泵浦Nd∶YAG电光调Q低重频窄脉宽紫外激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了在1~20 Hz电光调Q情况下,半导体脉冲激光侧面泵浦Nd∶YAG晶体腔外四倍频266 nm紫外激光器的输出特性.实验采用直腔结构,在腔外分别利用KTP和BBO晶体产生532 nm倍频绿光、266 nm四倍频紫外激光.当泵浦电流为120 A、重复率为1 Hz时,266 nm紫外激光最大单脉冲能量为15.4 mJ、脉宽8 ns,峰值功率高达1.93 mW;重复率20 Hz时,获得了最大平均功率为156.2 mW的266 nm紫外激光输出,四倍频的转换效率为10.63%.同时利用一组分光镜,获得了352 mW的532 nm脉冲绿光和423 mW的1 064 nm脉冲红外光输出. 相似文献
9.
660nm单一波长Nd∶YAG陶瓷激光器 总被引:1,自引:1,他引:0
针对陶瓷晶体1319nm的谱线设计了适合的谐振腔腔镜膜系参量,采用激光二极管列阵侧向抽运掺杂1.1at%、Φ3×50mm的Nd∶YAG陶瓷,利用色散棱镜及KTP晶体Ⅱ类匹配腔内倍频,研制了一台660nm单一波长输出的高重频Nd∶YAG陶瓷红光激光器.根据陶瓷晶体的热透镜焦距设计了谐振腔的各个参量,在重复频率为1000Hz、单脉冲抽运能量约144mJ时,获得了3.9mJ的660nm脉冲激光输出,总的光-光转换效率为2.71%.为进一步研究大功率、高效率的陶瓷红光激光器奠定了基础. 相似文献
10.
采用体光栅对商用线阵半导体激光器进行线宽压缩,得到线宽0.1nm、中心波长780.2nm、最高连续输出功率80W的泵浦激光输出。为了降低热效应,通过外加斩波器将泵浦光转化为脉冲模式,脉宽440μs,占空比为1∶5。采用长度为5mm的铷金属饱和蒸气作为增益介质,并在常温下充入33kPa乙烷和47kPa氦气,进行了出光实验。在泵浦峰值功率35.4W,铷吸收池温度120℃时,得到峰值功率600mW的795nm铷激光输出,斜率效率为1.7%。 相似文献
11.
高密度封装二极管激光器阵列 总被引:1,自引:1,他引:0
理论模拟了自制的高效冷却器的散热能力,分析了单元封装结构所需材料的导热特性,获得了高功率二极管激光器在高功率密度、高占空比条件下运行的可行性。改进了高密度封装的关键工艺,热沉金属化层达到了3~5 mm,焊料厚度为4~7 mm,封装间距0.6 mm,采用峰值功率1 kW的背冷式叠阵二极管激光器。实验测试结果表明:封装的二极管激光器叠阵单元的整体封装热阻为0.115 ℃/W,有良好的散热能力;该叠阵模块在电流为100 A、占空比15%时,输出峰值功率为986 W,峰值功率密度达到1.5 kW/cm2,平均每个板条的斜效率为1.25 W/A,激光器阈值电流为20 A左右。 相似文献
12.
We have demonstrated more than 3 W of average output power from a 2.94-mu;m quasi-cw diode-pumped total internal reflection (TIR) Er:YAG laser operating at 100 Hz with a 4% duty cycle. Moreover, repetition rates of up to 600 Hz at more than 1.2-W output power have been achieved. The cavity consists of a plane-mirror resonator of 40-mm length and uses three of five TIR regions within the laser crystal as pump facets to efficiently couple the pump energy into the resonant laser mode. Differential efficiencies of up to 18.3% have been achieved at an optimum pump pulse width in the range of 300 micros . 相似文献
13.
14.
受激布里渊散射(SBS)脉宽压缩是实现高峰值功率、短脉冲激光输出的重要途径之一,然而,目前SBS脉宽压缩仅限于1~10 Hz低重复频率激光器,限制了高重频短脉冲激光器在激光雷达、空间碎片探测以及目标成像等领域的应用。基于此,开展了高重复频率下的SBS脉宽压缩实验研究。设计搭建了高重复频率的主振荡放大激光器,开展了SBS二次级联脉宽压缩和SBS振荡放大双池脉宽压缩实验。通过SBS二次级联压缩实现了脉冲宽度从~32 ns压缩到~1.9 ns,脉宽压缩比达16倍;而通过SBS振荡放大双池结构实现了脉冲宽度从~4 ns压缩到376 ps,脉宽压缩比达10倍。实验结果表明,采用该超净封闭型SBS相位共轭镜,在Stokes光输出能量达50 m J时,无光学击穿现象,实现了在200 Hz高重复频率下的SBS脉宽压缩。 相似文献
15.
高功率Cr,Tm,Ho∶YAG激光器的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在医学应用上,Cr,Tm,Ho∶YAG激光器需要在大功率、高重频下工作。合理的设计对提高Cr,Tm,Ho∶YAG激光器的输出功率是很重要的。通过对Cr,Tm,Ho∶YAG输出特性进行理论分析和实验验证可知,腔长、全反射镜曲率半径、输出镜透过率、水温等因素对Cr,Tm,Ho∶YAG激光器的输出功率均有影响。提出了优化设计Cr,Tm,Ho∶YAG激光器的方法。在镀银腔情况下,当重频为10Hz时,激光阈值为45J,斜效率为1.1%;当输入能量为121J时,输出的平均功率为9.7W。在陶瓷聚光腔情况下,当重频为10Hz时,激光阈值为40J,斜效率为2.7%;当输入能量为100J时,输出的平均功率为16.2W。 相似文献
16.
Zexin Song 《中国物理 B》2022,31(5):54208-054208
The influence of pumping laser pulse on the property of quasi-continuous-wave (QCW) diode-side-pumped Nd:YAG laser is investigated theoretically and experimentally. Under remaining a fixed duty cycle, the average output power increases, and the corresponding thermal focal length shorten with the increase of the pump pulse duration, which attributes to the decrease of the ratio of pulse buildup time to the pulse duration. At a pump power of 146 W, the laser output power changes from 65.1 W to 81.2 W when the pulse duration is adjusted from 150 μ s to 1000 μ s, confirming a significant enhancement of 24.7%. A laser rate equation model incorporating the amplified spontaneous emission is also utilized and numerically solved, and the simulated results agree well with the experimental data. 相似文献
17.
采用渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构,通过降低非辐射复合、有源层载流子泄露、散射和吸收损耗来提高出射效率和降低激光阈值电流,从而提高半导体激光器阵列的输出功率;同时使P面具有更高的粒子掺杂数密度,优化N面合金条件,降低半导体激光器的串联电阻,降低焦耳热,提高了半导体激光器阵列的转换效率。利用金属有机化学气相淀积技术生长GaInAsP/InGaP/AlGaAs渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构激光器材料,利用该材料制成半导体激光线阵列在20%高占空比的输入电流下,半导体激光器的输出峰值功率达到189.64 W(180 A),斜率效率为1.1 W/A,中心波长为805.0 nm,阈值电流为7.6 A,电光转换效率最高可达55.4%;在1%占空比的输入电流下,阵列的输出峰值功率可达324.9 W(300 A),斜率效率为1.11 W/A,阈值电流为7.8 A,电光转化效率最高达55.6%,中心波长为804.5 nm。 相似文献
18.
Anderson AA Eason RW Hickey LM Jelinek M Grivas C Gill DS Vainos NA 《Optics letters》1997,22(20):1556-1558
We document the lasing performance of a waveguiding layer of Ti:sapphire, of ~12-mum thickness, grown by pulsed laser deposition from a 0.12-wt.% Ti(2)O(3) Ti:sapphire single-crystal target onto an undoped z-cut sapphire substrate. Lasing around 800 nm is observed when the waveguide layer is pumped by an argon-ion laser running on all-blue-green lines, with an absorbed power threshold of 0.56 W, with high-reflectivity (R>98%) mirrors. With a 5% pump duty cycle and a T=35% output coupler, a slope efficiency of 26% with respect to absorbed power is obtained, giving quasi-cw output powers in excess of 350 mW. 相似文献
19.
《中国光学快报(英文版)》2015,(10)
In this Letter, we demonstrate a diode-pumped electro-optical cavity-dumped Tm:YAP laser for the first time to our knowledge. A pulse width of 7.1 ns is achieved at a wavelength of 1996.9 nm. A maximum output power of 3.02 W is obtained with a pump power of 58.8 W at a repetition rate of 100 k Hz and a high-voltage time of 1000 ns, corresponding to an overall optical-to-optical conversion efficiency of 5.2%. In addition, we study the effect of repetition rate and high-voltage time on the output power characteristics of a cavity-dumped Tm:YAP laser. 相似文献