射频溅射微晶NiOxHy膜电致变色性能及其机理研究

研究了射频溅射制备的NiO_x膜的电致变色性能,发现富氧非理想化学配比的NiO _x(x>1)膜具有变色活性,这种膜出现Ni³⁺和Ni²⁺的混 合价态,当H^＋注入并占据Ni空位时,导致Ni³⁺的t_2g 能级被填满,Ni³⁺被阴极还原为Ni²⁺引起光学透明,即为漂白态; 反之,H⁺被萃取出NiO 关键词： xH_y膜')" href="#">NiO_xH_y膜 电致变色     

液氮冷却法全无机智能窗器件的制备及其性能研究

为降低溅射过程中摹片温度的上升,进而成功制备非晶多孔、纳米微晶态电致变色薄膜和非晶态离子导电薄膜,介绍了一种配置于磁控溅射设备的液氮冷却装置.利用该装置制备了由WO3、NiOx和LiNbO3 薄膜组成的单基片全无机电致变色智能窗器件.采用分光光度计对该器件的电致变色性能进行了测试,并计算了它的漂白和着色态在400 nm到800 nm波长范围内的平均透射率.实验结果表明,经过50次循环后,该器件的漂白和着色态的平均透射率分别为61.5%和5.5%.X射线衍射和扫描电镜(SEM)图像显示,组成该器件的WO2、NiOx和LiNbO3薄膜分别为非晶多孔、纳米微晶和非晶态结构.     

LaCoO3中自旋态转变现象的超声研究

测量了LaCoO3单相多晶样品的纵波与横波超声声速和衰减随温度的变化关系, 在材料的自旋态转变温度附近(≈90K),纵波声速出现明显的软化并伴随一个尖锐的衰减峰,但是在横波的测量中却没有出现类似的超声异常,分析认为LaCoO3在90K附近的自旋态转变是由于Co3+离子是从低自旋态(LS,t62ge0g)转变到中等自旋态(IS,t52ge1g ),而不是高等自旋态(HS,t42ge2g).随着温度的升高,在200K附近纵波和横波测量上都观察到一个伴随着微小声速软化的宽大的衰减峰,这可能是随机分布的IS态Co3+离子的Jahn-Teller效应导致的局域晶格扭曲所造成的.     

钙钛矿型HoNiO_3中电荷歧化的第一原理研究

应用第一原理的密度泛函方法 ,研究钙钛矿型过渡金属氧化物HoNiO3的电子结构 .HoNiO3在正交结构 (空间群为Pbnm)和单斜结构 (空间群为P2 1 n)的电子密度图表明Ni在正交相中只存在Ni3 一种组态 ,而在单斜相中则存在Ni( 3-δ) 和Ni( 3 δ) 两种不同的组态 .电荷歧化特征值δ可由Ni3d电子态密度中非键t2g部分反映 .通过t2g态密度在正交和单斜相的相对变化 ,可以算得δ值为 0 34± 0 0 1.     

掺入Ni元素的LiCoO2晶体光谱结构及电子顺磁共振g因子

在弱场图像下,利用Racah不可约张量算符方法得到了三角对称3d4/3d6电子组态的210阶可完全对角化的微扰哈密顿矩阵、最近邻点电荷模型晶体结构常量公式和电子顺磁共振g因子公式.研究了LiCoO2晶体和掺入Ni的LiCoO2:Ni晶体中Co3+的基态能级、晶体结构和电子顺磁共振g因子.考虑了LiCoO2晶体和LiCoO2:Ni晶体中自旋单重态和三重态对Co3+基态能级的影响,讨论了LiCoO2晶体和在LiCoO2晶体中掺杂Ni后Co3+局域结构常量大小的变化是引起Co3+的基态能级变化的主要原因,理论和实验都证实了这一点.还计算了掺杂前后的电子顺磁共振g因子,计算结果与实验值符合得较好.     

用微扰增强双共振对Na_22~3Π_g和3~3Π_g能级进行新观测(英文)

Na2 2 3 Πg 和 33 Πg 态在 3486 0cm-1(相对基态Te)和 3s+3d解离限之间的Ω =0 ,1,2能级进行了脉冲激光微扰增强双共振探测 .观测到两个态之间强烈的相互微扰 .给出忽略微扰情况下Ω =0能级的Tv 和Bv.     

TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-V2黄铜矿半导体的电磁性质

利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂的Ⅱ-Ⅳ-V2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算.结果发现V和Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM),Mn,Fe以及Co掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现反铁磁状态(AFM),而Ni掺杂时,稀磁半导体(DMS)的磁性比较不稳定.其中Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将可能是具有较高居里温度Tc的DMS.当TM-3d电子的t2g态部分被填充时,其掺杂的DMS将出现FM状态;而当TM-3d电子的t2g态全满或者全空时,其掺杂的DMS将出现AFM状态.在(Cd,Mn)GeP2和(Zn,Mn)GeP2中分别掺入电子和空穴载流子,可以发现载流子是否具有TM-3d电子的巡游特性是DMS是否出现FM状态的主要原因.     

用微扰增强双共振对Na2 2 3Πg和3 3Πg能级进行新观测

Na22^3Пg和3^3Пg态在34860cm^-1(相对基态Te)和3s+3d解离限之间的Ω=0，1，2能级进行了脉冲激光微扰增强双共振探测、观测到两个态之间强烈的相互微扰．给出忽略微扰情况下Ω=0能级的Tv和Bv。     

TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2黄铜矿半导体的电磁性质

利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V，Cr，Mn，Fe，Co和Ni)掺杂的Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算，结果发现：V和Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM)，Mn，Fe以及Co掺杂的CdGeB和ZnGeP2将出现反铁磁状态(AFM)，而Ni掺杂时，稀磁半导体(DMS)的磁性比较不稳定，其中Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将可能是具有较高居里温度Tc的DMS，当TM-3d电子的t2g态部分被填充时，其掺杂的DMS将出现FM状态；而当TM-3d电子的t2g态全满或者全空时，其掺杂的DMS将出现AFM状态，在(Cd，Mn)GeP，和(Zn，Mn)(GeP2中分别掺入电子和空穴载流子，可以发现载流子是否具有TM-3d电子的巡游特性是。DMS是否出现FM状态的主要原因。     

高位K_2分子与基态K原子及H_2分子间的激发转移

激光双光子激发K2至1Λg高位态,利用分子荧光光谱方法,研究了1Λg-3Λg间的碰撞转移截面。在纯K实验中,池温控制在553至603 K之间,K原子密度由光学吸收法测量得到。探测1Λg-11Σu+的直接时间分辨荧光的光强,它是一条纯指数衰减曲线,由此得到1Λg+态的有效寿命,有效寿命的倒数与K密度成线性关系,从直线的斜率得到1Λg态的猝灭截面为(2.5±0.3)×10-14cm2,从截距得到辐射寿命为(20±2)ns。由3Λg→13Σu+转移荧光的时间分辨谱,用类似的方法得到3Λg的猝灭截面为(2.5±0.6)×10-14cm2,辐射寿命为(16.0±3.2)ns。由1Λg→11Σu+与3Λg→13Σu+的时间积分强度比得到K2(1Λg)+K→K2(3Λg)+K的转移截面为(1.1±0.3)×10-14cm2。在K2-H2碰撞实验中,池温保持在553 K,K密度为5×1015cm-3,H2气压在40~400 Pa之间,其中K2-K碰撞效应是不能略去的,但可以用纯K结果扣除,得到K2(1Λg)+H2→K2(3Λg)+H2的碰撞转移截面为(2.7±1.1)×10-15cm2。K2(3Λg)+H2→K2(3Λg)以外态+H2的猝灭截面为(6.8±2.7)×10-15cm2。     

第2系列ZrO2(Y2O3)薄膜的慢正电子研究

用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压,衬底加热３００℃,纯Ａｒ气氛下制备的用Ｙ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２薄膜材料（简称ＹＳＺ薄膜）,发现了ＹＳＺ薄膜在不同深度处的缺陷分布情况,退火温度对ＹＳＺ薄缺陷影响,简要讨论了致密、优质ＹＳＺ薄的制备方法。     

预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响

室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 )at%的C原子 ,部分样品在C离子注入之前在其中注入2 9Si 离子产生损伤 ,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1 -xCx 合金 ,研究了预注入对Si1 -xCx 合金形成的影响 .如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量 ,在 95 0℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇 ,难于形成Si1 -xCx 合金 ,预注入形成的损伤有利于合金的形成 .随着C离子剂量的增大 ,注入产生的损伤增强 ,预注入反而不利于Si1 -xCx 合金的形成 ,但当注入C原子的浓度超过固相外延的溶解度时 ,预注入的影响可以忽略 .退火温度升高到 10 5 0℃ ,无论预注入还是未预注入样品 ,C含量低的合金相仍然保留 ,而C含量高的合金相大部分消失 .     

Bi2Sr2CaCu2O8超导单晶中的电阻反常行为

测量了Bi2 Sr2 CaCu2 O8单晶的ab面和c轴方向电阻 ,在其超导转变温度附近发现了反常的电阻峰出现 .其随外磁场 (>10 0Gs)和电流的增加而逐渐消失 .文章认为这个反常的电阻峰是由于单晶中超导相的不均匀分布而导致的准再进入行为 .     

同步辐射XAFS研究高比能LiMn2O4材料的局域结构

用EXAFS和XANES技术研究了高温固相反应法合成尖晶石结构的LiMn2O4中Mn原子的局域结构受到焙烧温度的影响.XANES结果表明,B1峰和B2峰强度分别与Mn3+,Mn4+的含量高低相关,焙烧温度愈高,B1峰的强度愈大.EXAFS给出的结构参数结果进一步表明,LiMn2O4(673K)的Mn-O第一配位和MnMn第二配位的无序度σ1(0.0059nm)和σ2(0.0092nm)分别小于及大于LiMn2O4(973K)的σ1(0.0066nm)和σ2(0.0081nm),LiMn2O4(1073K) 关键词： XAFS 局域结构 尖晶石LiMn2O4     

MgB_2超导电性的发现及新一轮高临界温度超导研究热潮

20 0 1年 1月 10日 ,在日本召开的学术会议上 ,AoyamaGakuin大学的J.Akimitsu教授宣布MgB2 显现超导电性 (Tc=39K) .紧接着的一系列研究工作表明 ,MgB2 属于BCS超导体 .这些发现引起了新一轮高临界温度超导研究热潮     

闪烁晶体的发光研究进展

概述了近年来闪烁体发光研究的进展,主要介绍用于未来高能物理实验的新型闪烁体发光机理研究,选取我们在研BaF₂,BaF₂:RE,CeF₃以及PbWO₄中的一些新进展。重点谈及三点:(1)在BaF₂的“价带^→芯带”跃迁发光研究基础上进行稀土(Gd³⁺-Eu³⁺)掺杂时观察到的量子剪裁以及对多光子发光的新思考;(2)CeF₃晶体发光的级联能量传递中,Ce³⁺(290nm发射带)与缺陷发光中心(340nm发射带)间能量传递及其传递效率的温度依赖;(3)PbWO₄晶体的发光中心研究中,提出以“WO₄^-2+O_i”绿光中心替代“WO³+F”中心观点的依据。同时也简介了医用闪烁体的最新进展。     

取向Pr2Fe14B与Nd2Fe14B多晶磁化曲线的计算

基于单离子晶场模型 ,提出了计算稀土 Fe(Co)金属间化合物取向多晶样品磁化曲线的方法 .用此方法计算了取向Pr2 Fe14 B和Nd2 Fe14 B多晶的高场磁化曲线 ,计算中使用了拟合化合物单晶磁化曲线得到的交换场与晶场参数 .计算曲线与实验曲线相符合 .     

Co2+离子在MgF2和ZnF2晶体中的各向异性g因子的理论研究

利用基于基团模型的3d⁷离子在斜方对称中的高阶微扰公式计算了MgF₂和ZnF₂晶体中Co²⁺杂质中心的各向异性g因子g_x，g_y和g_z. 在计算中，考虑了共价效应， 组态相互作用和斜方晶体场的贡献；而且与此相关的参量可由所研究的晶体的光谱和结构数据得到. 计算结果与实验符合较好.     

新型负热膨胀氧化物材料的研究

综述了这年来国际上兴起的氧化物ZrW2O8,Y2W3O12等新型负热膨胀材料的研究及其进展。对研究此类负热膨胀氧化物的重要性,其优异的负热膨胀性能以及它的结构特点、机制及可能的应用作了论述。建议我国加大此项课题的研究力度。     

白花刺参中的咖啡酰基奎宁酸成分

著名藏药白花刺参Morina nepalensis var. albaHand. Mazz.的全株的水溶性部分通过硅胶、RP-8、Sephadex LH-20柱层析分离，得到4个咖啡酰基奎宁酸1～4 ,运用光谱和波谱方法, 分别鉴定为3-O-咖啡酰基奎宁酸（1）、3,5-O-双咖啡酰基奎宁酸（2）、3,4-O-双咖啡酰基-奎宁酸（3）和4,5-O-双咖啡酰基-奎宁酸（4）. 应用2D NMR图谱, 对其氢和碳的化学位移进行全归属, 并报道1, 2在氘代甲醇和氘代二-甲亚砜两种溶剂下测定¹H和¹³C化学位移. 4个化合物都是首次分离自刺参属植物.