物理学报 第38卷 1989年

Bai Hai·yang(白海洋)…………………………6-995Bao De—song(鲍德松)…………………………4-675Bao Min·qi(鲍敏琪)…………………………1卜1 802Bao Shi-ning(鲍世宁)…………………4—675;7一1154Bao Zhen-chuag(鲍振川)……………………8一I 225Bian Wei—min(边为民)…………………………6-998Bian Zu-he(卞袒和)……………………………8—1364 C.S.Ih…………·-…··………………··-…………5 812 Cai Jian-hua(T sai Chien·hua)(蔡建华)……3-492Cai Pei-xin(蔡培新)……………………………4-586Cai Shi-dong(S.…     

作者索引(一九八六年第六卷)

A6oO互二Od61(yOI.6,1986) BDB山*血…(鲍@致)…………………………·10·875Daiwh。n ei 戴凤妹)……………………………s·966Bisn Beta(卞蓓亚卜…………………………·2·185 Dai Meds。(戴美H)……·、…。··。t……………··n·1098Bian SAsopi。g 边少平卜………………………·11·966 Deng Ximlng 邓锡铭)…………1·6;2·IO4;3·250; 9.769,789 口 *[gH“”q”“”(丁汉泉)··’··’………’…………··8·714 ]3ilZg Ze’a。(丁泽安卜…………………·7·625; 10·880C邑 Jigua。g(蔡继光)…………………··,…     

物理学进展第3卷总目录

第1期 1 985年5月吸收型光学双稳性和自脉动…………L.M.Narducci,J.D.Farina,冯达旋(1) .标准宇宙学中减速参量qo的确定…..1.……………方励之、江涛、胡佛兴、程富华(52)。/\;门李超代数综述…………………………………………………………孙洪洲、韩其智(81)0J第2期 1 985年6月格点规范理论(I)…………………………………………阮图南、井思聪、刘祖伟(127)沟道辐射………………………………………………………………………王广厚(169)第二类相变的对称理论…………………··…………………………………·陶瑞宝(189)核爆炸火球物理…     

光学学报 第六卷 1986年总目录

第 一 期对撞盎冲锁摸Nd:了么G g光器的实验F究,……··,…………、……··,·。··,……………,…………刘一先等(1〕光学共振反射器及其在激光技术中的主用…………………………………··、…………··。朱智敏等(6)通过钠分子Al坎或N e态的两步混合共振受激辐射…·。·、……、·,、·、,………··,…………秦莉娟等(12)纯氖空心阴极放电中人广嘟H虹态的粒子数反转—……………………………,………。………李世芳等 门)电子束干涉和菲涅耳衍射……………………………………。…··、··,··,··。·、……………………………     

光学学报第三卷1983年总目录

第 一 期图象消馍糊的一种袄方法…………·、………··年国少守’工\应甲傅里叶综合法设计最洼问耀全g光珊…··顾坚保1口)用 15gi叶台成法获得具有锯j槽形的闪耀全自光栅·、朱伟利 16)冈大灯泵浦染料激光脉冲压缩的理沦和实验研究··潘安培等、22)铜蒸气激光泵浦的高效脉冲若丹明6G染料激义器、·黄振国等(29)双X子激光的半经典理沦…………·、…;汪古诚等-柏J相枉共轭光驻的基本物理性质·,…、…王绍民等 ～1)超线性液晶电光调制器及其应用。… 戴建华等 (4)环路千涉K…………………………··、……·王之。(犯)自准检测法中平…     

物理学报——第16卷 1960年 目录

第 1 期关于Pl,。∞附近原子核的能帮(I)…一Ph。0’和Pb。0’………··…………………”………………一 …·……………………………………一……-喻传赞、胡堂税、陈晓天、余友吱、张宗烽、于敏(1>关于pb208附近坂予核的能帮(I”…一出i。。。和Bi207……………………·……………………·· ?··…………·………………………………··黄唯志、黎春旧、同光文、余/支文、张宗雌、于敏(¨)关于I’b208附近顷予核的能错(11咿一一Pb。。。和T120。……………………………·…”··………· ……………………………………………………     

物理学进展 第2卷 总目录

液氦表面的电子……………··束箔光谱学研究……………··非线性光学的发展与成就…·一中微子静质量的宇宙学效应·一稀释致冷机…………………·一声学与近代物理学……………………………………………………………魏荣爵(389)高能物理的进展……………………………………     

量子光学学报2006第12卷总目次

·量子光学基础·二维非谐振子的束缚态解……………………………………………………………………………陈子栋(1)纠缠相干态的制备………………………………………………………………………童朝阳,廖洁桥(63)利用纠缠交换实现多粒子纠缠态纯化…………………………………………………于立志,龚仁山(67)介观RLC电路的精确波函数和压缩态……………………………………………………………俞攸红(187)·光场非经典性·双模压缩真空态与运动原子相互作用系统的场熵演化特性………………李永平,夏云杰,贺金玉(4)双模竞争模型中光子的统计性质……     

作者汉语拼音索引

An Yu-ying(%atW3….………….………81217Bat Chun-h(白春礼)…………………·l-133＊;4-599B..Ch.n外h 包昌林)……………回…·回……2-2”Bac Ke-da(包科达)……………………··3-451＊Bac Shi-mug(鲍世宁)…………………………3-492Barabash O.M………………………………….2-233Btodlt D.E…………………………………….8-1321Bunge H.J.………………………………………·.l-98Cat Chuan-bing(蔡传兵)·.…‘………………·3-460Cat Jun(索 军)…………··巧一977.;7-1121.;7-1164Cat Li-hong(蔡丽红)……………………·1-142Cat Pei-xin <＃培新)…………………………··7一二二48     

物理学进展 第9卷 总目录

第.1,期一:1,989年5.凫高温超导性综述……………………………………………………V.L.Ginzburg(1)离子导体在离子输送状态下的物理特性………………………………………许政一(17)双极化子的特性…………………………”:……………………………………厉彦明(63)硼磷砷在硅中的扩敞……………………………………………………………卢志恒(86)第2期 1 989年6月暴涨宇宙—·大爆炸后的10-as秒………………………刘辽蒋元方钱振华(121)渡越辐射的研究……………………………………………………屈卫星徐至展(188)杂质原子与金属相互作用的一种电…     

发射光谱法测定高纯银中微量金、铂、钯、铑、铱、锑、铅、铋、铁、铜、镍、铬、铝和锌

本文研究了贵金属标准溶液除氯离子的有关问题，解决了高纯硝酸银中贵金属等杂质元素的标样配制，以硝酸银直接压样于普通电极中直流电弧激发，可测定９９．０～９９．９９％的高纯银，该方法简便、快速、准确。     

ICP-AES法测定金属硅中的Al、B、Ba、Ca、Cr、Cu、 Fe、Mg、Mn、Ni、Sr、Ti、V和Zn杂质元素

本文提供了一种测定金属硅中Ｂ,Ｆｅ,Ａｌ,Ｃａ,Ｍｎ等１４个杂质元素的ＩＣＰ－ＡＥＳ方法,在样品处理过程中,加入适量体积的甘露醇能够抑制Ｂ的挥发。用本方法测定了一个国家地球化学标准样（ＧＳＲ－４）,结果令人满意。     

纯硒中杂质元素的ICP-AES测定

电感耦合等离子体-原子发射光谱同时测定纯硒中的碲、铅、铋、锑、铜、铁、镍、铝、锡、砷和硼12种元素的含量,优化出各元素的分析波长和分析条件;用基体匹配补偿基体效应,方法简单,快速可靠,样品回收率为94%-107%.     

ICP-AES法直接测定锡锭中的As、Al、Bi、Cd、Cu、Fe、Pb、Se、Sb、Zn

以电荷耦合器件为检测器的全谱直读等离子体光谱仪直接测定锡锭中As、Al、Bi、Cd、Cu、Fe、Pb、Se、Sb、Zn十种杂质元素的含量.该方法简便、快速且具有比化学法更低的检出限,加标回收试验结果表明,回收率为92%-105%,RSD均小于1.5%.     

BN,AlN, GaN,InN: Charge Neutrality Level,Surface, Interfaces,Doping

Russian Physics Journal - On the basis of the charge neutrality concept, the analysis is fulfilled of the experimental data on the electron properties of the defective semiconductors after the...     

ICP—AES法直接测定锡锭中的As,A1,Bi,Cd,Cu,Fe,Pb,Se,Sb,Zn

以电荷耦合器件为检测器的全谱直读等离子体光谱仪直接测定锡锭中Ａｓ、Ａ１、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｆｅｄ、Ｐｂ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｚｎ十种杂质元素的含量。该方法简便、快速且具有比化学法更低的检出限,加标回收试验结果不明,回收率为９２％－１０５％,ＲＳＤ均小于１．５％。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定高纯铼酸铵中Ca、Cd、Mn、Fe、Mg、Al、Cu、Co、Mo、Pb、Sn和Ni

本文介绍了电感耦合等离子体发射光谱法（ICP－AES）测定高纯铼酸铵中12个杂质元素的方法。采用挥发健康基体，探讨了高铼酸铵基体的干扰及其消除办法。ICP－AES测定结果的准确度和精密度均能满足分析要求。     

Solution absorption and luminescence studies of tetraphenylboron, -carbon, -silicon, -germanium, -tin, -lead, -phosphorus, -arsenic,and -antimony

The lowest absorption band of the tetraphenyl compounds resembles that of the lowest absorption band of benzene with the following difference. In benzene the electronic origin is strictly forbidden, and all intensity is associated with a symmetric progression built on one mode of asymmetric vibration. In the tetraphenyl compounds the intensity associated with the asymmetric vibration is relatively unaffected; however, there is increasing intensity associated with the electronic origin and a symmetric progression built on it along the series

$\text{φ}{}_4\text{Pb}\text{< φ}{}_4\text{Sn}\text{< φ}{}_4\text{Ge}\text{< φ}{}_4\text{Si}\text{< φ}{}_4\text{C}\text{? φ}{}_4\text{B}{}^{\mathrm{?}}\text{< φ}{}_4\text{Sb}{}^{\mathrm{+}}\text{< φ}{}_4\text{As}{}^{\mathrm{+}}\text{< φ}{}_4\text{P}{}^{\mathrm{+}}$

. For the cations it is the electronic origin and the progression built on it that are the primary source of intensity. This effect is attributed to an inductive perturbation. A similar effect is observed in the fluorescence spectrum. In phosphorescence, the relative enhancement of the electronic origin and the progression built on it is far less marked. The phosphorescence emission of φ₄Pb and φ₄Sb⁺ are red shifted from the others by ～0.5 eV, an effect attributed to formation of a triplet excimer. Increasing spin-orbit coupling in the triplet due to a heavy atom effect can be seen in the decreasing phosphorescence lifetime (range 4 sec to 4 msec) and decreasing ratio of $\text{φ}{}_{\mathrm{f}}\text{φ}{}_{\mathrm{p}}$ (fluorescence to phosphorescence quantum yields) in the order

$\text{φ}{}_4\text{C}\text{> φ}{}_4\text{B}\text{> φ}{}_4\text{Si}\text{> φ}{}_4\text{P}{}^{\mathrm{+}}\text{> φ}{}_4\text{Ge}\text{> φ}{}_4\text{As}{}^{\mathrm{+}}\text{> φ}{}_4\text{Sn}$

In all cases nonexponential decay of phosphorescence is observed.