非对称同位素替代分子HD、HT和DT分子与氦原子(E=0.1 eV) 碰撞角分布计算

当入射氦原子能量E=0.1 eV时,用密耦方程(Close Coupling Equation)计算非对称同位素替代分子HD、DH-He碰撞的弹性和非弹性散射的角分布.     

He和D2分子相互作用转动激发研究

用T.T(K.T.TangandJ.Peter.Toennies)势模型和公认精密度较高的密耦(Close-Coupling)近似方法计算了E=0.1eV和E=0.2eV时,00-00弹性碰撞及00-02、00-04、00-06非弹性碰撞,得出D2分子转动激发分波截面,并得到了原子与分子碰撞弹性分波截面和非弹性激发截面随量子数增加的变化规律.     

He-HD(HT, DT)碰撞(E=0.3 eV)分波截面理论研究

用量子力学理论研究He-HD,HT, DT系统弹性和非弹性碰撞转动激发.当入射原子能为0.3 eV时, 用密耦方法计算了收敛的分波截面,用奥本-海默近似来决定He-HD, He-HT及He-DT相互作用势能面,对非对称替代分子与氦原子碰撞分波截面进行了仔细讨论和比较,并得到比较规律的变化结果.     

氦原子与非对称替代氢分子碰撞(E=0.3eV)角分布计算

用密耦方法计算了非对称同位素替代分子与氦原子碰撞(He-HD,HT,DT)转动激发,当入射能量E=0.3 eV时,得到了上述碰撞体系的微分散射截面或角分布.基于上述理论计算,讨论了原子与双原子分子碰撞的同位素效应.     

惰性气体原子与氢的同位素分子T2碰撞分波截面计算

用密耦计算方法及T.T(Tang-Toennies)势模型分别计算了入射能量E=0.05 eV、0.15 eV、0.25 eV时He、Ne、Ar、Kr、Xe-T2碰撞体系的00-00弹性碰撞和00-02非弹性碰撞分波截面,结果表明:对00-00弹性碰撞,分波截面随量子数J的增加不断振荡, 并随入射原子的相对碰撞能量的变化,振荡极大值的位置、收敛分波数等均有不同的变化.     

He与HD、HT、DT碰撞的转动激发研究

采用Tang-Toennies势模型,通过坐标变换,得到了氦原子与氢的非对称同位素替代分子体系在质心坐标系中的势能函数.在此基础上,计算了上述体系的低能碰撞转动激发截面.文中最后讨论了氦原子与氢的非对称同位素替代体系碰撞的微分截面的变化规律     

He-HF(DF，TF)碰撞体系散射截面的理论计算

运用质心变换-拟合的方法,使用Murrell-Sorbie势能函数拟合在对称性匹配微扰理论下精确计算He-HF体系的相互作用能数据,得到了He原子与同位素分子HF(DF,TF)复合物的相互作用势的解析形式. 在此基础上,完成了入射He原子能量分别为50meV,59.5meV,86meV,100meV和120meV时,He-HF(DF,TF)碰撞体系散射截面的密耦计算,获得了弹性、非弹性和总积分截面等信息,并讨论了散射截面的变化趋势及特征. 关键词： He-HF(DF TF)复合物 密耦近似 散射截面 质心偏移     

3He4He与H2分子碰撞的同位素效应研究

用公认精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量E=0.5eV时惰性气体原子3He(4He)与H2分子替代碰撞体系的转动激发碰撞截面.通过分析3He(4He)-H2碰撞体系分波截面和微分截面的差异,总结出在氦原子的同位素替代情形下3He(4He)-H2碰撞体系分波截面和微分截面随分波数增加和同位素原子质量改变的变化规律.     

He-HF（DF，TF）碰撞体系分波截面的理论计算

运用质心变换-拟合方法,使用Murrell-Sorbie势能函数拟合在对称性匹配微扰理论下精确计算He-HF体系的相互作用能数据,得到了He原子与同位素分子HF（DF,TF）复合物的相互作用势的解析形式.完成了入射He原子能量从30 meV至120 meV时,He-HF（DF,TF）碰撞体系分波截面的密耦计算,获得了分波截面等信息,进一步讨论了分波截面的变化趋势及特征,并确定了He-HF（DF,TF）碰撞体系开始产生弹性和非弹性散射的有效相互作用范围. 关键词： He-HF（DF TF）复合物 密耦近似 分波截面 质心偏移     

He和D_2分子相互作用转动激发研究

用T .T(K .T .TangandJ .Peter.Toennies)势模型和公认精密度较高的密耦 (Close Coupling)近似方法计算了E =0 .1eV和E =0 .2eV时 ,0 0— 0 0弹性碰撞及 0 0— 0 2、0 0— 0 4、0 0— 0 6非弹性碰撞 ,得出D2 分子转动激发分波截面 ,并得到了原子与分子碰撞弹性分波截面和非弹性激发截面随量子数增加的变化规律。     

He,Ne,Ar与N2分子碰撞转动激发截面理论计算

利用ＩｎｆｉｎｉｔｅＯｒｄｅｒＳｕｄｄｅｎＡｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎ（ＩＯＳ）［１］计算了Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ与Ｎ２分子碰撞的总微分散射截面、弹性微分散射截面和积分散射截面。当入射能量Ｅ＝０．０２７３ｅＶ时，计算Ｈｅ－Ｎ２的碰撞总微分散射截面结果与ＣｌｏｓｅＣｏｕｐｌｉｎｇ（ＣＣ）［２］计算结果符合很好，说明ＩＯＳ对所研究的Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ－Ｎ２碰撞体系是一种简捷可用的方法。     

不同能量的氦原子与同位素分子H2(D2，T2)碰撞分波截面的理论计算

用Tang-Toennies势模型和密耦近似方法计算了不同能量下惰性气体原子He与H₂及其同位素D₂,T₂替代碰撞体系的振转激发碰撞截面. 通过分析He-H₂(D₂,T₂)各碰撞体系分波截面的差异,总结出在H₂分子的对称同位素替代情形下He-H₂(D₂,T₂)碰撞体系分波截面随量子数和体系 关键词： 散射截面 密耦方法 同位素     

10－5000 伏下电子被多原子分子CF4, CF3H, C2F4, C2F6, 及 C2H3F3散射总结面的计算

利用可加性规则和光学势方法计算了能量在10-5000 eV范围内电子被多原子分子CF4, CF3H, C2F4, C2F6, 及 C2H3F3的总结面，并与已有的实验结果和理论计算进行了比较，与这些结果符合得很好。对于CF4, CF3H, C2F4, C2F6, 及 C2H3F3在1000eV以上没有实验数据，本文对实验研究提供了对比和预测的数据。     

0.5 eV时H++D2(v=0,j=0) 反应的微分、积分截面

基于ab initio势能面(KBNN PES)[1],用耦合通道超球坐标理论研究了碰撞能等于0.5 eV时H D2(v=0,j=0)的积分,微分截面.对于反应性碰撞,计算的积分截面表明由于深势阱的存在使得这一绝热反应产物的分布表现出一种近似的统计行为.计算的微分截面反映该体系存在着长寿命的中间络合物;对于非反应性碰撞(传能过程),平动—平动传能过程更有效,且其积分截面随着转动量子数的增大而显著减少.通过反应性碰撞和非反应性碰撞积分截面的比较,发现在低能碰撞情况,非反应性碰撞更容易进行.     

TOTAL CROSSS ECTIONS FOR ELECTRON SCATTERING FROM SIMPLE HYDROCARBON MOLECULES: C_2H_4,C_2H_6 AND C_3H_8

１ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＳｉｍｐｌｅｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎｍｏｌｅｃｕｌｅｓａｓａｎｉｍｐｏｒｔａｎｔｃｏｍｐｏｎｅｎｔｉｎｔｈｅｐｌａｎｅｔａｒｙａｎｄｃｏｍｅｔａｒｙａｔｍｏｓｐｈｅｒｅａｎｄａｓａｄｏｍｉｎａｎｔｍａｔｅｒｉａｌｉｎｔｈｅｆｉ...     

14MeV中子引起的Pb(n,x)203Hg, W(n,x)182Ta和W(n,x)183Ta的核反应截面测量

利用活化方法测量了14MeV中子引起的Pb(n,x)²⁰³Hg,W(n,x)¹⁸²Ta和W(n,x)¹⁸³Ta的反应截面.中子注量由监督反应⁹³Nb(n,2n)^92mNb给出,中子能量利用⁹⁰Zr(n,2n)^89m+gZr和⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应的截面比来确定.     

低能He-H2(D2,T2)碰撞分波截面计算

采用Tang Toennes势模型 ,当入射氦原子能量是E =0 .0 5eV时 ,计算了He -H2 (D2 ,T2 )弹性分波截面和非弹性激发分波截面随量子数的变化。     

低能He2+-He反应中单电子俘获微分散射过程的实验研究

利用冷靶反冲离子动量谱仪装置系统研究了20—40 keV He²⁺-He碰撞体系的态选择单电子俘获过程,实验获得了单电子俘获过程的态选择截面以及角微分截面.在所研究的能区范围,电子俘获到L壳层的截面最大,为主要的反应道,这与分子库仑过垒模型的反应窗理论的预测一致.实验测量的态选择截面与原子轨道紧耦合的计算结果很好地符合,与光谱方法的测量结果存在一定的差别,主要原因是光谱方法不能测量完整的反应通道信息.实验结果表明,总角微分截面在小角度范围主要来源于电子俘获到基态的贡献,在大角度范围主要来自电子俘获到激发态的贡献;电子俘获到基态的和激发态的角微分截面均出现振荡结构,这种振荡来源于电子俘获反应中分子轨道之间的相干效应.实验测量的角微分截面与其他实验和紧耦合方法的计算结果进行了比较和分析. 关键词： 冷靶反冲离子动量谱仪 态选择电子俘获 态选择截面 角微分截面     

Electron-induced scattering dynamics of Boron,Aluminium and Gallium trihalides in the intermediate energy domain

This article is focused on the calculation of electron-induced ionisation and total scattering cross sections by Boron, Aluminium and Gallium trihalide molecules in the intermediate energy domain. The computational formalism, spherical complex optical potential has been employed for the study of these two scattering cross sections. The ionisation cross section has been derived from the inelastic cross section using a semi-empirical method called complex scattering potential-ionisation contribution (CSP-ic) method. We have also calculated the ionisation cross section using the BEB theory with Hartree–Fock and density functional theory (DFT- ωB97XD) orbitals so that a comparison can be made with the cross sections predicted by CSP-ic method. For this theoretical study, we have also calculated polarisability and bond length of some targets which were not found in literature using DFT/B3LYP in Gaussian 09 software.