GdVO4∶Eu3+的激发光谱特性研究

测量了GdVO4 ∶Eu3 +在室温下的光致发光光谱 ;研究了不同掺杂方式和烧结气氛对多晶GdVO4 ∶Eu3 +发光性质的影响 ,探讨了GdVO4 ∶Eu3+的激发光谱在 2 0 0～ 35 0nm范围内激发带的来源和GdVO4 ∶Eu3+中的能量传递。在 2 0 0～ 35 0nm范围内的激发带可解释为来自于钒酸根团的配体O到V的电荷迁移跃迁吸收 ;硝酸溶液使部分正GdVO4 形成多钒酸盐 ,还原气氛使GdVO4 产生O空位和部分V变价 ,影响了钒酸根团间的电荷迁移跃迁吸收和钒酸根团间、钒酸根团与Eu3 +间的能量传递 ,产生激发谱带蓝移和激发带间强度比例变化。GdVO4 中VO3 -4 的π轨道能使得VO3 -4 和稀土离子 (Gd3+、Eu3+)的电子波函数有效地重叠 ,从而VO3 -4 和稀土离子可通过交换作用有效地传递能量。GdVO4 ∶Eu3+在 2 0 0nm处的吸收很弱 ,在此位置也没有Gd3 +或Eu3+的 4fn -15d的吸收和明显的 4fn 高能级吸收 ,而激发却十分有效 ,可解释为由于存在VO3 -4 与Gd3 +或Eu3+的 4fn 高能级间有效的能量传递所致 ;由于Gd3 +的特征发射恰好在基质的强激发带 ,且Gd3+的特征发射没有出现 ,可存在Gd3 +→VO3-4 →Eu3 +的能量传递。Gd3+的6GJ、6PJ能级间隔与Eu3 +的7F1、5D0 能级间隔相近 ,处于6GJ态的Gd3 +可通过共振能量传递激发Eu3 +到5D0 态 ,这可导致Gd3 +     

GdVO4:Eu3+的热释光研究

GdVO4:Eu^3 有着十分优良的发光特性，它发光强度高，特别是具有很好的温度特性，在室温以上发光强度随温度的升高而增强，很利于在高温下使用此材料。本文对它的热释光进行了研究，其热释光峰值分别位于193，235和304K，根据计算可知它们的陷阱深度分别为0.39,0.47和0.61eV，陷阱的主要来源可能是F^ ,F和钒空位；Eu^3 掺入导致的晶格畸变，其中最主要的来源可能是空位导致的。     

VUV/UV/X-Ray Excited Luminescent Properties of Eu^3＋ and Pr^3＋ Doped BiSbO4

Absorption spectra of BiSbO4 are studied. The electronic structure calculated by the DFT shows that BiSbO4 is a semiconductor, with direct band gap 2.96 eV, which is consistent with UV-visible diffuse reflectance experiment. The host lattice emission band is located at 440 nm under VUV excitation. Eu^3＋ and Pr^3＋ doped samples have high luminescence efficiency in emitting red and green light, respectively. From the partial density of states, Eu^3＋ doped emitting spectrum, and the host crystal structure parameters, the relationship between structure and optical properties is discussed. It is found that the Eu^3＋ ions occupied Bi^3＋ sites, and there could be an energy transfer from Bi^3＋ ions to RE^3＋ ions.     

SBN晶体中Eu^3＋激光态^5D0的无辐射跃迁

通过测量＾５Ｄ０→７Ｆ２发射带的荧光寿命与晶体温度的依赖关系，研究了Ｅｕ＾３＋激发态＾５Ｄ０的无辐射跃迁。结果表明，＾５Ｄ０→Ｆ２带的温度淬灭效应主要是由于电荷转移态的最低能量太低，＾５Ｄ０态易被热激活至电荷转移，然后通过电荷转移无辐射驰豫至＾７Ｆ０态。     

掺杂Gd^3＋对Y2O2S：Eu^3＋发光特性的影响

在红色荧光粉Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＾３＋的制备过程中掺入了不同浓度的Ｇａ２Ｏ３;发现在掺入适当浓度的Ｇａ２Ｏ３的情况下,可以增强发射强度并改善其电压特性,即在保证所要求的发光颜色、粒径和其它物理及化学特性的条件下,可改善发射强度与激发电压间的关系,讨论和分析了强度被增强的起因。Ｇａ＾３＋对Ｙ＾３＋的置换,减少了因Ｅｕ＾３＋对Ｙ＾３＋转换所引起的晶格的畸变,从而减弱了无辐射过程及因晶格畸变所造成的能量损失     

Gd203：（Ce^3 ，En^3 ）微晶中稀土离子间的级联能量传递

本文报道了纳米Gd203：(Ce^3 ,En^3 )的紫外与真空紫外（UV-VUV)激发谱及其选择激发下的荧光光谱。这些光谱实数表明,除了Gd2O3基质与Ce^3 ,Eu^3 离子之间的能量传递外,还存在着Gd^3 与Ce^3 、Eu^3 间的能量传递,即存在Gd^3 →Ce^3 →Eu^3 三种稀土离子间的级联传递。     

掺杂Eu3+离子LaPO4的合成及其发光特性研究

采用固相反应法合成了掺杂Eu3+离子的LaPO4,并用X射线粉末衍射对其结构进行了表征.XRD数据经计算机处理表明:LaPO4属单斜晶系,晶胞参数a=6.84A,b=7.08A,c=6.46A,β=103.85°,属P21/n(No.14)空间群.测定了其激发光谱和发射光谱,光谱数据表明:在掺杂Eu3+离子的LaPO4荧光体中,基质LaPO4的电荷迁移激发态的能量能有效地传递到Eu3+离子,说明基质LaPO4本身对发光有贡献.位于592,612 nm附近的2个发射峰均出现劈裂现象,即有2个5D0→7F1(590,594nm)、2个5D0→7F2(610,614nm)发射峰,说明掺杂的Eu3+离子在LaPO4晶体中有着不相同的配位环境,推测Eu3+离子处于D2d或D3对称格位.     

纳米晶Gd2O3：Eu^3＋的制备与发光性质

利用共沉淀法制备了纳米晶Gd2O3:Eu3+发光粉体. 在不同掺杂浓度、不同煅烧温度的系列样品中,均观测到Eu3+离子的特征发射.样品的晶相与发射性质的研究表明:所制备的样品经800~1 300 ℃热处理后,晶相为立方相,1 400 ℃时开始向单斜相转变.荧光强度与Eu3+离子掺杂浓度关系研究表明:在不同掺杂浓度中,Eu3+离子浓度为4%时其相对发射强度最强.在三个不同的煅烧温度中,经800 ℃煅烧的样品其发光效果最好.此外还观察到电荷转移激发态以及基质、Gd3+与Eu3+之间的能量传递.激发谱包含三部分,即电荷转移带、Eu3+的4f内壳层电子跃迁和Gd3+的激发谱.     

Energy Transfer from Ce^3＋ to Eu^2＋ in LiSrBO3 and Its Potential Application in UV-LED-Based White LEDs

Ce3＋/Eu2＋ codoped LiSrBO3 phosphor is synthesized, and its luminescent characteristics are investigated. LiSrBO3：Ce3＋,Eu2＋ phosphor exhibits varied hues from blue to white and eventually to yellow by resonance-type energy transfer from Ce3＋ ion to Eu2＋ ion and tuning the relative proportion of Ce3＋/Eu2＋ properly. Energy transfer mechanism in LiSrBOa：Ce3＋, Eu2＋ phosphor is dominated by the dipole-dipole interaction, and the critical distance of the energy transfer is estimated to be about 2 nm by both spectral overlap and concentration quenching methods. Under UV radiation, white light is generated by coupling 436 and 565nm emission bands attributed to Ce3＋ and Eu2＋ radiations, respectively.