紫外激光晶体Ce~(3+)∶LiSrAlF_6发光温度依赖中的陷阱效应

在 10 5～ 30 0K温区内 ,测量了X射线激发下Ce3+ ∶LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖 (I T) ,在 2 37～30 0K温区内发光强度有特殊的增强结构 ,结合 10 5～ 30 0K温区内热释光的测量 ,证实这种发光强度的增强效应是由于陷阱参与发光过程所导致。通过对热释光曲线的进一步分析 ,得到深度分别为 0 5 1eV和 0 5 5eV的陷阱能级 ,这些陷阱主要源于Ce3 + 取代Sr2 + 所形成的杂质缺陷和基质LiSrAlF6中的F-空位以及Li+ 空位所形成的本征缺陷。     

GdVO4:Eu3+的热释光研究

GdVO4:Eu^3 有着十分优良的发光特性，它发光强度高，特别是具有很好的温度特性，在室温以上发光强度随温度的升高而增强，很利于在高温下使用此材料。本文对它的热释光进行了研究，其热释光峰值分别位于193，235和304K，根据计算可知它们的陷阱深度分别为0.39,0.47和0.61eV，陷阱的主要来源可能是F^ ,F和钒空位；Eu^3 掺入导致的晶格畸变，其中最主要的来源可能是空位导致的。     

Ce：YIG光吸收谱的微观机理及理论计算

利用离散变分－Xa方法,对Ce:YIG的电子结构进行了计算,结果显示,由于Ce^3 的掺入,在Ce^3 的5d,4f电子以及Fe^3 的3d电子之间形成了自旋－轨道劈裂较大的杂化轨道,同时存在Fe^3 （3d) →Ce^3 (4f)的电子跃迁,它们对光吸收有重要的贡献,可能是1．45eV和2．1eV两个跃迁中心的来源,与此相关的跃迁中心数与Ce^3 子的浓度成正比,在1．0eV－－3.2eV范围内,对不同的掺Ce量的光吸收谱进行了计算,结果与实验符合较好。     

本征富受主型ZnO微米管光致发光的温度调控机制

热效应是影响半导体器件发光性能的最关键因素之一.本文针对光学气化过饱和析出法制备的本征富受主型ZnO微米管,系统研究了其光致发光的温度调控机制.研究表明,所制备ZnO微米管具有规则的六边形截面形貌,长度达5 mm、直径达100μm,室温下的光学带隙约为3.30 eV;随着环境温度的提高,其光致发光强度呈现"热淬灭-负热淬灭-热淬灭"的反常变化.在80—200 K温区内的热淬灭行为与浅施主的退/电离、自由激子热离化以及中性受主束缚激子的转变有关;在200—240 K温区内发生的负热淬灭行为与导带底以下488 me V处深能级陷阱上电子的热激发有关;在240—470 K温区内发生的热淬灭行为则与导带底以下628 me V处非辐射复合中心的Shockley Read-Hall复合有关.非辐射复合中心和陷阱中心的形成均与本征富受主型ZnO微米管的氧空位缺陷有关.上述研究结果在高温高效富受主型ZnO微米管基光电器件的设计与研发方面具有重要指导意义.     

掺Gd~(3 ),Y~(3 )对PbWO_4低温热释光的影响

通过热释光方法研究了PbWO4 (PWO), PWO:Y3+, PWO:Gd3+多晶粉末及PWO,PWO:Y单晶的低温(<300K)热释光现象.多晶粉末中，掺杂Y3+或Gd3+都会大大降低甚至消除200K附近的热释光峰，同时产生新的热释光峰，分别位于125和150K（掺Y掺Gd）.这表明掺三价离子除了起到电荷补偿作用以减少Pb3+，O-浓度外，还可以产生新的陷阱能级.对于PWO:Y单晶，掺杂Y3+可以消除253K的热释光峰，即消除较深(～0.89eV)的陷阱,但PWO单晶中较浅的陷阱(～0.42eV)对应130K热释光峰仍然存在，对此进行讨论，它最可能源于氧空位缺陷.根据Pb3+，Gd3+，Y3+的电子库仑势不同，在PWO晶体中替代Pb2+后形成的电子陷阱深度有别（EPb>EGd>EY），从而解释了相应的热释光峰值温度的不同.     

ZnO粉末的直流电致发光特性研究

用溶胶凝胶法制备了几种ZnO粉末, 测量了它们的直流电致发光. 在样品中观察到了较强的绿带（556 nm）发射; 对十二胺处理的样品, 绿带发光强度最高可提高8倍, 十八胺处理的样品, 绿带发光强度最高可提高12倍. 在同电压下, 十八胺处理的ZnO的发光强度也较十二胺处理的ZnO的发光强度大1.5～2倍; 并在十二胺处理的样品中, 还观察到了强度较小的蓝光谱带（406 nm）. 在一定电压范围内, ZnO电致发光强度随直流电压增强而线性增强. 所得ZnO样品在2V/μm场强下起亮, 在测量的近1 h内, 发光强度稳定, 重复性好. 分析认为：406 nm处的蓝光谱带是由于VZn空位在禁带中（距离价带0.3 eV）形成缺陷能级, 从导带到价带跃迁的结果, 而556 nm处的绿色发射带是由ZnO中氧空位所导致.     

单壁碳纳米管单原子空位缺陷的紧束缚理论研究

文章在紧束缚势模型基础上系统地研究了非手性单壁碳纳米管上单原子空位缺陷结构和电子结构性质．计算表明,单原子空位缺陷会自发地形成5-1DB型缺陷,且该缺陷的局域结构和形成能强烈地依赖于碳纳米管的尺寸、旋度和电学性质．同时作者发现这类缺陷在费米能级以上约0．2eV处产生局域的电子态．     

ZnSe:A1深能级的研究

为研究ZnSe中的本征缺陷和A1在ZnSe中的深能级行为,首先测量了Znse单晶体中的深能级,发现只存在Ec-0.33eV一个电子陷阱。然后,通过热扩散的方法,在300℃～700℃温度范围内把A1掺杂到ZnSe单晶体中,结果发现存在Ec-0.33eV和Ec-0.70eV两个电子陷阱。本文从缺陷化学角度对ZnSe中的本征缺陷和Ec-0.70eV深能级的结构及起源进行了讨论。     

掺Gd3+,Y3+对PbWO_4低温热释光的影响

通过热释光方法研究了PbWO₄(PWO),PWO:Y³⁺,PWO:Gd³⁺多晶粉末及PWO,PWO:Y单晶的低温(<300K)热释光现象.多晶粉末中,掺杂Y³⁺或Gd³⁺都会大大降低甚至消除200K附近的热释光峰,同时产生新的热释光峰,分别位于125和150K(掺Y掺Gd).这表明掺三价离子除了起到电荷补偿作用以减少Pb³⁺,O^-浓度外,还可以产生新的陷阱能级.对于PWO:Y单晶,掺杂Y³⁺可以消除253K的热释光峰,即消除较深(～0.89eV)的陷阱,但PWO单晶中较浅的陷阱(～0.42eV)对应130K热释光峰仍然存在,对此进行讨论,它最可能源于氧空位缺陷.根据Pb³⁺,Gd³⁺,Y³⁺的电子库仑势不同,在PWO晶体中替代Pb²⁺后形成的电子陷阱深度有别(E_Pb>E_Gd>E_Y),从而解释了相应的热释光峰值温度的不同 关键词： 4')" href="#">PbWO₄ Y和Gd掺杂 热释光 陷阱     

氧含量对CaCu3Ti4O12巨介电常数和介电过程的影响

本文研究了在真空、空气和氧气中烧结制备的三种 CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷材料的介电特性. 交流阻抗测量结果表明在10—300 K温度范围, 三种样品的介电温谱中均出现三个平台, 其电阻实部和电容虚部在相应温度出现损耗峰, 真空条件烧结的样品具有较高的介电平台和较明显的电阻实部与电容虚部峰值, 表明氧含量和氧空位对CaCu₃Ti₄O₁₂的介电性质具有重要影响, 介电温谱出现的三个平台分别源于晶粒、晶界及氧空位陷阱.温谱分析表明晶粒的激活能与烧结气氛有较大关系,氧空位引起的电子短程跳跃及跳跃产生的极化子是晶粒电导和电容的主要起源.氧空位陷阱的激活能基本与烧结气氛无关,约为0.46 eV. 氧空位对载流子的陷阱作用是CaCu₃Ti₄O₁₂ 低频高介电常数的重要起源.