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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 234 毫秒

1.  γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究  被引次数:2
   丁迎春  徐 明  潘洪哲  沈益斌  祝文军  贺红亮《物理学报》,2007年第56卷第1期
   采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果,分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明,γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.    

2.  O′-β′ Sialon在Y-Si-Al-O-N系统中的相关系  
   孙维莹 黄振坤 曹国忠 严东生《中国科学A辑》,1987年第30卷第10期
   本文提出了Si2N2O-AlN-Y2O_3系统的亚固相图,并修正了O’-β’Sialon在Y-Si-Al-O-N系统中的相关系。在Si-Al-O-N系统中,Si3N4和O’ss(x=0.3)之间应有结线,它把O’-β’二相区分割成为两个相容性三角区:Si3N4-Si2N2O-O’ss(x=0.3)和Si3N4-β’ss(z=0.8)-O’ss(x=0.3)。 Si3N4-O’ss(x=0.3)-YAG-H相,在1550℃时形成为一相容性四面体区。如果加热到1700℃,而后于1200—1300℃退火热处理,则H相消失,相容性区变成为Si3N4-O’ss(x=0.3)-YAG-Y2Si2O7。 Si3N4-Si2N2O-O’ss(x=0.3)-Y-2Si2O7(或H),Si3N4-O’ss(x=0.3)-YAG-Y2Si2O7(或H)和Si3N4ss(z=0.8)-O’ss(x=0.3)-YAG,这三个相容性区的确定,对开发制造O’-β’Sialon二相陶瓷有实用意义。    

3.  氮化硅薄膜的微结构  被引次数:6
   陈俊芳  王卫乡  刘颂豪  任兆杏《物理学报》,1998年第47卷第9期
   利用TEM,STM和PDS显微光度计研究了ECR-PECVD技术制备的Si3N4薄膜的微结构.结果表明:在较低沉积温度下,ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜是一种纳米α-Si3N4薄膜,其晶粒粒度在14—29nm间,而且这种薄膜具有较好的表面平整度.初步分析了ECR-PECVD制备的Si3N4在较低沉积温度下形成晶态薄膜的机理.    

4.  β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究  被引次数:1
   潘洪哲  徐 明  祝文军  周海平《物理学报》,2006年第55卷第7期
   采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质,得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律,为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.    

5.  α-, β-和γ-Si3N4 高压下的电子结构和相变: 第一性原理研究  
   余本海  陈东《物理学报》,2012年第61卷第19期
   本文采用第一性原理框架下的赝势平面波方法结合振动类德拜模型研究了α,β和γ-Si3N4在高温下的点阵常数,弹性常数和弹性模量.研究发现三种同质异相体的体模量都很高.β-Si3N4在低温下表现出脆性,在高温下则表现出延展性.γ-Si3N4在低温和高温下都是脆性的共价化合物.β → γ 相变的相界斜率为正值,说明在较高温度时合成γ-Si3N4所需的压强也较高.α → γ 相变的相界可以表示成 P=16.29- 1.835-10-2 T+9.33945-10-5T2-2.16759-10-7T3+2.91795-10-10T4.本文还分析了Si3N4同质异相体在高压下的态密度和能带.在α-Si3N4中主要是Si-s, p和N-s,p的轨道杂化对晶体的稳定性起作用.α和β-Si3N4都具有ΓV-ΓC类型的间接带隙(分别是4.9~eV和4.4~eV)而γ-Si3N4具有直接带隙(3.9~eV). 研究还发现α-Si3N4和β-Si3N4的价带顶分别沿着Γ-MΓ-A方向.本文的计算结果和已有的实验数据是一致的.    

6.  Si3N4-Y2O3-La2O3系统的相关系  
   曹国忠  黄振坤  严东生《中国科学A辑》,1988年第31卷第11期
   本文提出了Si3N-Y2O3-La2O3三元系统的亚固(固相线下)相图。在此系统中,形成四个含固溶体的两相区和八个三相区。在富Si3N4区,发现存在一个新相:0.4Y2O3·0.6La2O3·3Si3N4,它于1550℃开始生成,随着温度升高,生成量增大,然而极难获得其纯单相。钇黄长石Y2O3·Si3N4可被La2O3取代形成有限固溶体,其固溶限为55mol%La_2O3,即0.45Y2O3·0.55La2O3·Si3N4。在Y-La-Si-O-N系统中,实验测得,具有同结构的三类含氮稀土硅酸盐,都分别形成连续取代固溶体。它们是:J相连续固溶体——2(Y,La)2O3·Si2N2O,K相连续固溶体——(Y,La)2O3·Si2N2O和H相连续固溶体——(Y,La)10(SiO_4)6N2    

7.  Si3N4的晶体化和ZrN/Si3N4纳米多层膜的超硬效应  
   赵文济  董云杉  岳建岭  李戈扬《物理学报》,2007年第56卷第1期
   研究了Si3N4层在ZrN/Si3N4纳米多层膜中的晶化现象及其对多层膜微结构与力学性能的影响. 一系列不同Si3N4层厚度的ZrN/Si3N4纳米多层膜通过反应磁控溅射法制备. 利用X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的微结构和力学性能. 结果表明,由于受到ZrN调制层晶体结构的模板作用,溅射条件下以非晶态存在的Si3N4层在其厚度小于0.9 nm时被强制晶化为NaCl结构的赝晶体,ZrN/Si3N4纳米多层膜形成共格外延生长的柱状晶,并相应地产生硬度升高的超硬效应. Si3N4随层厚的进一步增加又转变为非晶态,多层膜的共格生长结构因而受到破坏,其硬度也随之降低.    

8.  Ti-Si-N复合膜的界面相研究  被引次数:2
   孔明  胡晓萍  董云杉  李戈扬  顾明元《物理学报》,2005年第54卷第8期
   为了揭示Ti_Si_N复合膜中Si3N4界面相的存在方式及其对薄膜力学 性能的影响 ,采用x射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜、俄歇电子能谱仪和显微硬度仪对比研究了磁 控溅射Ti_Si_N复合膜和TiN/Si3N4多层膜的微结构和力学性能. 实 验结果表明 ,Ti_Si_N复合膜均形成了Si3N4界面相包裹TiN纳米晶粒的微结构. 其中低Si 含量的Ti_Si_N复合膜中Si3N4界面相的厚度小于1nm,且以晶体态 存在,薄膜 呈现高硬度. 而高Si含量的Ti_Si_N复合膜中的Si3N4界面相以非晶 态存在,薄 膜的硬度也相应降低. 显然,Ti_Si_N复合膜中Si3N4界面相以晶体 态形式存在 是薄膜获得高硬度的重要微结构特征,其强化机制可能与多层膜的超硬效应是相同的.    

9.  Y2O3-Al2O3-Si2N2O系统相关系  
   曹国忠 黄振坤 符锡仁 严东生《中国科学A辑》,1985年第28卷第4期
   本文研究了Y2O3-Al2O3-Si2N2O系统的亚固相关系和1550℃的等温面相关系。研究结果表明,Si2N2O可与小于15mol%的Al2O3形成O′-Sialon(O′s.s.)。2Y2O3·Si2N2O可与2Y2O3·Al2O3形成连续固溶体(Js.s.).在Y2O3-Al2O3-Si2N2O系统的Si2N2O一端,Si2N2O与Y2O3会反应生成Si3N4和Y10[SiO4]6N2(H相)。因此在该系统中有四个四元相区:H-Si2N2O-O′s.s.-Si3N4,H-3Y2O3·5Al2O3-O′s.s.-Si3N4,H-3Y2O3·5Al2O3-Y2O3·Si2N2O-Si3N4,H-3Y2O3·5Al2O3-Y2O3·Si2N2O-Js.s..在1550℃等温面相图中,在近Al2O3-Si2N2O系统一边有一个很大的液相区。其低共熔组成为:Y2O3:2Si2N2O:2Al2O3,T=1450℃。    

10.  Ti,Cr, Al和B合金化元素对α-Nb5Si3力学性能和电子结构的影响  
   邹爱华  徐江  黄豪杰《物理化学学报》,2014年第30卷第2期
   采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,通过比较形成能(Eform)、价电子浓度(VEC)、弹性常数(Cij)、剪切模量(G)与体模量(B)的比值(G/B)以及派-纳力(τP-N)等参量的变化,研究了Ti、Cr、Al和B合金化对D81结构的α-Nb5Si3结构稳定性和力学性能的影响. 研究表明:合金化元素Ti、Cr、Al和B分别优先占据α-Nb5Si3中Nb4c、Nb4c、Si4a和Si8h位置;添加不同含量合金化元素的α-Nb5Si3仍保持稳定的D81结构;Ti、Al和B合金化使α-Nb5Si3的脆性增加,而随着Cr含量的增加,α-Nb5Si3的韧性逐渐增强. 此外,态密度(DOS)和Mulliken布居等电子结构的计算结果表明:Ti、Al和B合金化导致α-Nb5Si3脆性增加的主要原因是提高了共价键的强度;而Cr合金化的增韧作用主要来源于共价键数量的减少和强度的削弱,以及更多的反键态被占据.    

11.  PECVDSi3N4/InP界面特性的研究  
   李相民  王存让《光子学报》,1994年第23卷第2期
   本文利用Auger分析技术和C-V测量方法,详细地研究了PECVDSi3N4/InP界面特性,Auger能谱分析表明热处理使界面面发生互扩散,同时InP的热分解导致P元素穿过Si3N4薄膜到达表面。C-V测量表明Ag/Si3N4/InPMIS结构可以实现载流子的堆积、耗尽和反型。    

12.  Si3N4/Si表面Si生长过程的扫描隧道显微镜研究  被引次数:1
   汪雷  唐景昌  王学森《物理学报》,2001年第50卷第3期
   利用原位扫描隧道显微镜和低能电子衍射分析了Si的纳米颗粒在Si3N4/Si(111)和Si3N4/Si(100)表面生长过程的结构演变.在生长早期T为350—1075K范围内,Si在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇,这些团簇的大小均在几个纳米范围内,并且在高温退火时保持相当稳定的形状而不相互融合.当生长继续时,Si的晶体小面开始显现.在晶态的Si3N4(0001)/S    

13.  掺稀土元素(Y,La)的γ-Si3N4的电子结构和光学性质  
   丁迎春  向安平  徐 明  祝文军《物理学报》,2007年第56卷第10期
   采用基于密度泛函的平面赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了未掺杂和掺杂稀土(Y,La)的γ-Si3N4中N-Y(La)键的布居值和它们的键长、掺杂后能带结构和态密度.发现掺杂后的带隙要减小,并且可能形成新的半导体,这将为找到新的半导体提供一个方向.还进一步研究了掺杂稀土(Y,La)后的光学性质,掺杂后有更高的静态介电常数,可以作为新的介电材料和好的折射材料,这对于一定的光学元件有潜在的应用前景.    

14.  a-Si3N4纳米粒子的激光法制备及能级结构研究  被引次数:4
   王善忠  李道火《物理学报》,1994年第43卷第4期
   给出激光化学汽相沉积法制备a-Si3N4纳米粒子的原理和经验公式,在特定工艺参数下获得平均粒径为6.5nm的优质a-Si3N4纳米粒子,用紫外光谱研究其能级结构,发现与小粒子有关的峰状光谱结构和能带分裂现象,描述了a-Si3N4纳米粒子的物理结构图象,确认硅错键≡Si—Si≡,硅悬挂键≡Si30在富硅a-Si3    

15.  氮化硅纳米线制备过程中反应条件的影响  
   王峰  郝雅娟  靳国强  郭向云《物理化学学报》,2007年第23卷第10期
   采用X 射线衍射和扫描电子显微镜技术, 考察了溶胶-凝胶法制备氮化硅纳米线过程中反应条件(添加剂种类和含量、反应时间以及反应温度)对碳热还原产物组成和形貌的影响. 结果表明, 碳化后铁含量为5%(w)的凝胶, 在1300 ℃下反应10 h, Si3N4纳米线产率较高. 添加剂的种类和含量不同, 所得产物的组成和形貌也不相同.随着反应温度的升高或反应时间的延长,产物经历了一个从SiOx到Si2N2O 再到Si3N4的转变过程. 在有金属组分存在时, Si3N4纳米线由气-液-固过程形成.    

16.  β-C3N4,β-Si3N4和β-Ge3N4的能带结构  
   段玉华  张开明  谢希德《物理学报》,1996年第45卷第3期
   采用基于密度泛函理论的线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)从头计算方法,研究了β-C3N4,β-Si3N4和β-Ge3N4的能带结构,得到了它们的能隙分别为:4.1751,5.1788和4.0279eV。对于β-C3N4,由于N的部分2p电子占据了非键轨道,禁带宽度较窄;对于β-Si3N4    

17.  透射式GaAs光电阴极抗光反射膜的研究  
   郭里辉  赛小锋  侯洵《光子学报》,1991年第20卷第2期
   本文计算了在透射式GaAs光电阴极的窗玻璃和GaAlAs缓冲层之间引入Si3N4或SiO2膜使光电阴极的入射光反射率所产生的变化,并测量了Si3N4膜、SiO2膜和SiO2/Si3N4复合膜对阴极反射率的影响。理论计算和测量表明,Si3N4膜和SiO2/Si3N4复合膜可有效地降低光电阴极对入射光的反射率。当Si3N4膜的厚度约为100nm时,可使光电阴极的反射率降低近60%。本文结果为科学地选择透射式GaAs光电阴极所需的的抗光反射膜提供了依据。    

18.  Sr2Si5N8∶Eu2+荧光粉的制备与发光性能  
   柏朝晖  卢菲菲  于晶晶  张舒婷  张云鹏  张希艳《无机化学学报》,2010年第26卷第6期
   以α-Si3N4,SrCO3,Eu2O3为原料,采用碳热还原氮化法制备了Sr2Si5N8∶Eu2+荧光粉。研究了材料的结构与光谱特性,分析了影响材料发光性能的工艺因素。结果表明,石墨粉含量和助熔剂的用量对Sr2Si5N8相的形成和发光性能有重要影响。当nC/nSr=1.5,助熔剂用量为4wt%时,合成样品的主晶相为正交晶系Sr2Si5N8,在400~550 nm可见光激发下,可发射峰值波长位于609 nm荧光。激发带的位置与Eu2+离子浓度无关,为400~550 nm之间的宽带激发;但发射强度随Eu2+离子浓度的增加而增加,Eu2+离子浓度达到5mol%时发射强度达最大值,在Eu2+离子浓度为2mol%~5mol%之间,观察到发射峰的红移现象。    

19.  紫外光固化乙烯基硅氮烷-巯基共聚物热裂解产物的表征  
   陈立新  王亚洲  宋家乐  张教强《无机化学学报》,2009年第25卷第1期
   采用热失重与热分析联用(TGA-DTA)、X射线衍射(XDR),场发射扫描电镜(FE-SEM)、透射电镜(TEM)、能谱仪及排水法对紫外光固化乙烯基硅氮烷-巯基共聚体系裂解产物进行了分析和表征。结果表明:在300~500 ℃的范围内出现了相吻合的质量损失速率峰和热量吸收峰;最终质量保持率约为55wt%;体系表观密度出现先下降后上升的趋势,保温时间提高可使热解产物进一步密实化,密度最终达到2.458 g·cm-3;在保温2 h的条件下,共聚系在1 400 ℃下生成少量Si3N4晶体,在1 600 ℃下,热解物晶体组成为nSiO2nSi3N4nSiC=3∶26∶71,结晶度达91.25%;延长保温时间即可提高体系的结晶度,也可降低结晶温度。在1 400 ℃保温24 h,观察到热解物内生成大量不规则的晶须。    

20.  O′-β′复相Sialon陶瓷中相组成的控制  
   孙维莹 李文兰 严东生《中国科学A辑》,1987年第30卷第10期
   用Si3N4,SiO2和Al2O?作原料,以Y2O?为添加剂,研究了O’-β’所在的四个相容性区中组成,于1400—1800℃之间,O’和β’的形成动力学。O’于1400℃开始生成,1600℃达到最大形成量。高于1600℃,O’减少乃至消失。研究发现,O’的这种不稳定性,并非自身热分解的结果。Al含量的增加,液相出现和β’的形成,才是导致O’-Sialon溶解而消失的原因。 此外,认为Si3N4-O’(x=0.3)-Y2Si2O7-YAG相容性区,是在制备具有合理的O’-β’平衡相组成的复相陶瓷时,可供实际选用的组成区。    

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