钠米Al＿（2）O＿（3）块体材料在可见光范围的荧光现象

对不同温度退火未掺Ｃｒ的纳米结构Ａｌ＿２Ｏ＿３块体的荧光谱进行了系统的研究。结果表明，在纳米级勃母石，η－Ａｌ＿２Ｏ＿３和γ－Ａｌ＿２Ｏ＿３试样中均观察到两个宽的荧光带（ｐ＿１和ｐ＿２带），它们的波数范围分别为２００００—１４５００和１４５００—１１５００ｃｍ￣（－１）。ｐ＿１带可归结为纳米Ａｌ＿Ｏ＿３，本身所含的微量Ｃｒ￣（３＋）离子产生的荧光，这与前人报道的掺Ｃｒ的Ａｌ＿２Ｏ＿３结果一致，ｐ＿２带为未曾见报道的新的荧光带。本文重点对ｐ＿２带出现的条件及其机制进行了比较详细的讨论。     

沉积在α-Al２Ｏ3分形基底上Ag薄膜的特性

报道了采用磁控溅射法在α－Ａｌ_２Ｏ₃分形基底上沉积Ａｇ薄膜表面的形貌、结晶状态以及其Ｖ－Ｉ特性．结果表明：分形的Ａｌ_２Ｏ₃基底导致Ａｇ薄膜具有起伏不平的结构、较差的结晶状态并且存在大量的孔洞，它们同样受基底温度和薄膜厚度的影响．在一定的厚度范围内，Ａｇ薄膜呈现反常的非线性Ｉ（Ｖ）特性，其行为也受薄膜厚度、基底温度和测试环境的强烈影响． 关键词：     

ZnO-Bi2O3-Sb2O3-BaO系陶瓷的晶界相与抗退降性能

在通常的ＺｎＯ－Ｂｉ₂Ｏ₃－Ｓｂ₂Ｏ₃系电压敏陶瓷中，加入能构成压敏特性的钡添加剂，发现除已知的Ｂｉ₂Ｏ₃和Ｚｎ_2．３３Ｓｂ_０．６７Ｏ₄晶界相以外，还出现新的晶界相，分析表明是固溶有微量其它成分的偏锑酸钡（ＢａＳｂ₂Ｏ₆）晶相。同时还发现，ＢａＳｂ_{2关键词：}     

CCl4,CH2Cl2和CHCl3对磷脂酰胆碱紫外电子吸收光谱的影响

测量了ＣＣｌ₄，ＣＨ₂Ｃｌ₂和ＣＨＣｌ₃对生物膜中磷脂酰胆碱作用的紫外电子吸收光谱，实验结果表明，由于ＣＣｌ₄，ＣＨ₂Ｃｌ₂和ＣＨＣｌ₃分子结构的差异，三种溶剂的极性依次递增，磷脂酰胆碱π－π^*电子跃迁的吸收峰红移。磷脂酰胆碱在ＣＣｌ₄中光谱呈单吸收峰，在ＣＨ₂Ｃｌ₂和ＣＨＣｌ₃中光谱特征呈双蜂结构，存在聚集体的激子态跃迁，由此给出了脂质分子聚集状态的光谱依据。 关键词：     

B改善单晶和多晶Ni3Al合金力学性能的微观机制

通过测量Ｂ含量从０．００至２．２２ａｔ％的单晶和多晶Ｎｉ₃Ａｌ合金的正电子寿命谱，研究了单晶和多晶Ｎｉ₃Ａｌ合金中的微观缺陷和电子结构。结果表明，多晶Ｎｉ₃Ａｌ合金晶界中存在着开空间大于空位的缺陷。晶界缺陷处参与形成Ｎｉ－Ｎｉ和Ｎｉ－Ａｌ键的价电子浓度比基体或位错处的低，晶界是结合力弱化区域。偏聚到Ｎｉ₃Ａｌ合金缺陷上的Ｂ与缺陷处的Ｎｉ或Ａｌ原子形成强的共价键而增强了这些地方的结合力。以间隙方式固溶到Ｎｉ_{3< 关键词：}     

Y0.9Eu0.1Ba2Cu3O7-δ中的磁通蠕动研究

在较宽的温度（４．２－８０Ｋ）和磁场（０－８Ｔ）范围内测量了ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ和Ｙ_0.9Ｅｕ_0.1Ｂａ₂·Ｃｕ₃Ｏ_7-δ样品的磁滞回线和磁弛豫，研究了其Ｍ（ｔ），Ｊ_c（Ｔ）和Ｕ_eff（Ｊ）关系，并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明：（１）与ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ相比，Ｙ_0.9Ｅｕ_0.1·Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高，表明Ｅｕ的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心；（２）与其它模型相比，集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述，因而本文为这一理论提供了新的实验证据。 关键词：     

1MeV Si+衬底加温注入Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ⁺在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ_0.3Ｇ_0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。 关键词：     

Li2O-2B2O3熔体的物性研究

系统测量了四硼酸锂(Li₂Ｏ-２Ｂ_２Ｏ_３)熔体的密度ρ、表面张力γ随着温度的变化规律，实验结果表明在1100K到1500K范围内Li₂Ｏ-２Ｂ_２Ｏ_３高温熔体的密度和表面张力随着温度的升高均线性减小.通过实验数据拟合得出熔体密度与温度关系为ρ(T)=2.574—4.89×１０^－４T，熔点处Li₂Ｏ-２Ｂ_２Ｏ关键词： 功能晶体 四硼酸锂 密度 表面张力     

超声冷却SO2( 1A2— 1A1)激光诱导荧光激发谱的转动分析

通过改变SO₂/Ar配比，研究了超声膨胀冷却SO₂( ¹A₂— ¹A₁)系统315—330nm波段振动分辨的激光诱导荧光(LIF)激发谱.获得了属于两个完整带系(1,m,1),(0,n,1)—(0,0,0)的高分辨转动结构谱.其中(ν′₁,ν′₂,ν′₃)=(0,9,1),(0,10,1),(1,7,1),(1 关键词：     

Dy含量对红色长余辉发光材料Sr3Al2Ｏ6:Eu2＋,Dy3＋性能的影响

采用溶胶凝胶法制备了Sr₃Al₂Ｏ₆:Eu^2＋,Dy^3＋红色长余辉发光材料,利用X射线衍射仪对材料的物相进行了分析,结果表明,1200℃下制备的样品的物相为Sr₃Al₂Ｏ₆,少量的Eu和Dy掺杂没有影响样品的相组成.采用荧光分光光度计、照度计测定了样品的发光特性.结果表明Sr₃Al₂Ｏ关键词： 红色长余辉 3Al₂Ｏ₆')" href="#">Sr₃Al₂Ｏ₆ 溶胶凝胶法     

负介电媒质观点下超导边值问题的变分解

给出了对沉积于ＬａＡｌＯ₃（００１）上ｃ轴取向的ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_７－δ薄膜介质谐振器的解析分析方法．在两流模型框架下，提出了负介电观点来表征超导材料电磁特征参量的概念．这使得对超导边值问题的讨论等价于经典电磁场理论中对一般媒质的处理．进一步构造的保角变换，不仅使原问题宜于由变分法求解，而且对诸如超导微带和共面波导结构传播特征的分析也是有益的     

典型颗粒超导体YBa2Cu3O7/V2O5中临界电流随温度变化的特性

通过制备（ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇）_1-x（Ｖ₂Ｏ₅）_x（０≤ｘ≤０．１５）复合材料，获得了一系列典型的弱连接的颗粒超导体，其中以ｄＲ／ｄＴ－Ｔ关系中呈现出双峰转变为主要特征。第一峰代表晶粒的超导转变，第二峰代表颗粒系统超导长程序的形成。对于具有双峰转变的样品，其临界电流密度一致地符合ｉ_c～（１－ｔ）^ｎ，ｎ＝１．６．这一行为与三维Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结网络系统的渗流行为相一致；对于不具有双峰转变的系统，临界电流密度随温度的变化尽管也可以用ｊ_c～（１－ｔ）^ｎ描述，但是幂指数ｎ明显地大于１．６，且随样品的不同而离散地分布。本文还对产生这种离散的原因进行探索和分析。 关键词：     

量子点中浅施主的能谱结构

在有效质量近似下，使用线性变分方法计算了处于ＧａＡｓ－Ｇａ_１－ｘＡｌ_ｘＡs球形量子点中不同位置的浅施主杂质的能谱结构，讨论了能级的简并度和不同情况下的能级序，扩展了文献［１０］中所得到的结果。计算结果表明电子结构明显地依赖于量子点的半径和杂质离子所处的位置。计算结果还说明选择合适的基函数对于讨论量子点中问题的重要性。 关键词：     

激光诱导NO2分子500—532nm区荧光激发谱的实验研究

用准分子激光抽运可调谐染料窄带激光测定了室温下NO₂分子500—532nm区高分辨荧光激发谱,在两个较强吸收区505—510nm和513—520nm范围内标识了25个振动带,并作了转动分析,得到了相应的带头位置、转动常数和旋-转偶合常数等分子光谱常数,在25个振动带中有5个谱带是新发现的,所有得到转动分析的谱线均属于平行跃迁X～ ² A₁—A～²Ｂ₂,对实验结果的分析表明电子激发态A～ 关键词： 激光诱导荧光激发谱 振动带 转动分析     

Spectral intensities of the 4-μm ν1 + ν3 combination band of SO2

The transition intensities of the 4-μm bands of SO₂ are measured with high precision using a tunable laser difference-frequency spectrometer. The band strength calculated from the ν₁ + ν₃ combination band data at 295.2K is S_v⁰ = 10.54 ± 0.04 cm^?2 atm^?1. Here the uncertainty (three standard deviations) quoted is for the relative precision only; the absolute accuracy, which depends on the sample pressure calibration, is ～1%. F-factors and “hot” band results are also obtained.     

The absorption and fluorescence spectra of matrix-isolated CF2

The CF₂ absorption spectrum between 2700 and 2250 Å and its fluorescence spectrum excited by radiation near 2500 Å have been observed in matrix isolation experiments. The positions of the absorption bands are somewhat dependent on the environment in which the CF₂ molecule is trapped. The absorption spectrum can be explained in terms of a progression in the upper-state bending fundamental, with a band spacing of 499 cm⁻¹, and the fluorescence spectrum involves a progression in the ground-state bending fundamental, with a band spacing of 657 cm⁻¹. A significant deviation between the calculated and observed separation of any given absorption and emission band can be explained by considering the effect of phonon interactions. Arguments are presented suggesting that the band origin lies near 36 900 cm⁻¹ for CF₂ produced by the photolysis of CF₂N₂ in an argon matrix.     

Shubnikov-de Haas effect in p-type Sb2 Te3

From the Shubnikov—De Haas-effect in p-type Sb₂ Te₃-crystals with carrier concentrations between 8.3 x 10¹⁹/ cm³ and 1.2 x 10²⁰/ cm³ a two valence band model was deduced. For the lower band a twelve valley model is proposed, with the maxima located in the trigonal—binary planes. The energy difference between the two bands is derived as approximately 150 meV.