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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 171 毫秒

1.  PM晶体声光混合型光学双稳态原理设计及频率反馈网络系统研究  
   李长英  杨晓云  马益平  王诺  李启汶《光子学报》,1993年第1期
   本文简介PbMoO_3混合型光学双稳态的原理设计及其反馈网络系统的装置。通过实验及调节,测试了该器件的衍射曲线,反馈曲线以及光学双稳滞后回线。实践证明:PbMoO_3声光晶体具有良好的光学双稳特性,可以作为多通道开关,适用于波导技术。    

2.  LiNbO3无谐振腔式电光调制混合型光学双稳态实现条件的研究  
   李长英  郝志琦  谭海蕴  王诺  李启汶《光子学报》,1996年第25卷第2期
   本文简介以LiNbO3为非线性介质,利用电光振幅调制特性实现了LiNbO3晶体混合型光学双稳态,并在不同的条件下测试了不同的光学双稳态滞后回线和调制函数曲线,首次提出“调制函数曲线平移”问题的方法。用此一性质可将偏置电压调制为零省去偏置系统,利于系统集成,为实现无偏压双稳系统指明了方向。    

3.  掺CdSxSe1-x玻璃波导分布反馈光学双稳器件  
   郑杰 徐迈《光子学报》,1995年第24卷第3期
   本文给出了掺CdSxSe1-x玻璃平面波导分布反馈(DFB)光学双稳器件的设计和制备方法,实现了低功耗、快速的本征光学双稳。    

4.  液晶混合光学双稳装置中的分叉、混沌和暂态行为  
   王鹏业  戴建华  张洪钧《物理学报》,1985年第34卷第5期
   本文以时延弛豫微分方程为出发点,计算和分析了具有反馈时间延迟(feedbacktime-delay)tR的液晶混合光学双稳系统中的分叉和混沌。还发现在双稳区内存在一种周期为tR的暂态振荡。    

5.  LiBX2 (B=Ga, In; X= S, Se, Te)光学性质与力学性质的第一性原理计算  
   马天慧  庄志萍  任玉兰《物理学报》,2012年第61卷第19期
   采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了LiBX2 (B= Ga, In; X= S,Se,Te) 晶体的光学性质与力学性质. 由禁带宽度推断出晶体抗激光损伤阈值的大小顺序为LiGaS2 > LiInS2 > LiGaSe2 > LiInSe2 > LiGaTe2 > LiInTe2. 六种晶体在常压下均满足机械力学稳定性要求, 且铟化合物可塑性及延展性强于镓化合物. 这些晶体的静态电介电常数 ε1(0)、静态折射率n(0)和双折射率Δn 理论计算值与实验值相符. LiGaS2, LiInS2, LiGaSe2, LiInSe2和LiGaTe2五种化合物双折射率较高, 并且它们的吸收谱与反射谱在中远红外区是透过的, 因此可推断出这五种化合物可以成为优异的中远红外非线性光学材料.    

6.  四钼簇合物Mo43-O)2O4Cl2(OCOC6H5)6和[Mo43-O)2O4Cl2(OCOC6H4CH3)6]·2C  被引次数:2
   姜燕  樊玉国  孙春亭  李铁津《无机化学学报》,1990年第6卷第3期
   用MoCl5和C6H5COOH(或CH3C6H4COOH)在氯苯溶液中反应,得到四钼簇合物Mo43-O)2O4Cl2-(OCOC6H5)6(或[Mo43-O)2O4Cl2(OCOC6H4CH3)6]·2C6H5Cl)晶体。用X射线单晶衍射法测定了簇合物的晶体结构,运用18电子规则及簇合物的晶体结构数据,得到金属Mo-Mo键键价为1,钼在簇合物中均呈+5价。进行了反应机理的探讨,簇合物中端基氧和桥基氧的存在来自于苯甲酸(对甲基苯甲酸),MoCl5和C6H5COOH(CH3C6H4COOH)作用时,首先生成钼的含氧配合物MoOCl3,然后生成双核钼配合物Mo22-O)2O2Cl2,进一步形成配合物。红外光谱、激光拉曼光谱和磁化率的测定证明了结构分析的结果。值得注意的是,固体表面光电压谱和固体光声光谱的测定,簇合物Mo43-O)2O4Cl2(OCOC6H5)6的表面光电压谱在~600nm处有一光致电荷分离谱带。    

7.  PbMoO4原位高压拉曼光谱和电导率的研究  被引次数:2
   于翠玲  于清江  高春晓  刘鲍  贺春元  黄晓伟  郝爱民  张冬梅  崔晓岩  刘才龙  王玥  邹广田《高压物理学报》,2007年第21卷第3期
    钼酸铅(PbMoO4)具有高的声光品质因数、低的声损耗、良好的声阻抗匹配等性质,被广泛应用于声光偏转器、调制器、可调滤光器、声表面波器件等各类声光器件,其优异的低温闪烁性能亦引起人们的注意,具有在核设备方面的应用潜力。为探讨其晶体结构和物理性质,在金刚石对顶砧上原位测量了PbMoO4的拉曼光谱,并测量了其在几个不同压力点下电导率随温度的变化。实验发现,压力在12.5 GPa时,拉曼峰完全消失,说明压力在10.8~12.5 GPa之间PbMoO4样品出现了非晶态转变。当从26.5 GPa卸压到9.4 GPa时,PbMoO4的拉曼谱在低波数出现无序化,而在2.4 GPa压力下858 cm-1峰又重新出现,说明样品结构由无序向晶化回复。压力在10.8 GPa以上时,电导率随着温度的增加而显著增加,且随着压力的增加也明显增加。    

8.  半导体材料AAl2C4(A=Zn, Cd, Hg; C=S, Se)的电子结构和光学性质  
   陈懂  肖河阳  加伟  陈虹  周和根  李奕  丁开宁  章永凡《物理学报》,2012年第61卷第12期
   采用基于密度泛函理论的第一性原理方法, 对具有缺陷型黄铜矿结构的半导体材料AAl2C4(A=Zn, Cd, Hg; C =S, Se)的构型和电子结构进行研究, 并系统考察了各晶体的光学性质. 对于线性光学性质, 五种晶体在红外区和部分可见光区具有良好的透光性能, 其中HgAl2S4和HgAl2Se4晶体具有适中的双折射率. 在非线性光学性质方面, 该类晶体倍频效应较强, 理论预测得到的二阶静态倍频系数均较大(>20 pm/V). 体系的倍频效应主要来源于价带顶附近以S/Se 价p轨道为主要成分的能带向含有较多Al/Hg 价p成分的空带之间的跃迁. 通过与已商业化的AgGaC2晶体光学性质的对比, 结果表明HgAl2S4和HgAl2Se4是一类性能优良的红外非线性光学晶体材料.    

9.  γ′晶体的蠕变及持久性能  
   陈篪  邓枝生  吴伯群  丁树深《物理学报》,1974年第23卷第1期
   本文报导了对以Ni3Al为基的r′单晶体所做的蠕变及持久试验的结果。结果表明,r′晶体的稳态蠕变速εs遵从 εs=Cσmexp(-Qc′/RT) 的关系。指数m仅和温度有关。m(850℃)=3.95,m(950℃)=3.62。对Ni3Al,Qc′=88kcal/g-at。合金元素Ti,Nb,W都使Qc′升高,其中Nb的作用最大,然而W在提高蠕变强度上最有效。晶体取向对εs有显著影响。<111>取向的Ni3Al晶体εs最低,持久寿命tr最长。在1050℃,σ=5kg/mm2时,tr可≥100小时,Ni3Al单晶体也同样符合Monkman-Grant关系trs)p=常数,其中p=0.82。r′晶体蠕变中的滑移系统是{111}<211>。    

10.  基于Labview和Matlab的模糊PID温度控制系统研发  
   庄源昌  高罗卿  郑湃  王晓峰《应用声学》,2014年第22卷第8期
   文章以LabVIEW 图形化编程语言、模糊控制工具箱及PID工具包等为开发平台,设计温度测控系统;利用Matlab Simulink 进行仿真实验,并与常规PID的控制效果比较;利用模糊逻辑(fuzzy logic)模块及LabVIEW提供的仿真模块(simulation module)建立系统仿真框图;通过仿真曲线分析模糊PID控制效果及影响因素,动态调整Kp,Ki,Kd的设置,缩短了控制器的设计周期,明显改善系统的稳态性能以及稳态响应,具有较大的工程实用价值。    

11.  铌酸锂晶体中多畴层带区倍频光的研究  
   王业宁  朱劲松  谈云鹏《物理学报》,1980年第29卷第12期
   本文研究用声光调Q-YAG激光器作为基波光源,测量了LiNbO3及BNN晶体中倍频光强-温度曲线。在生长层区,倍频曲线上往往出现双峰,同时有一一对应的NPM双光环出现。LiNbO3的双峰之一在极化处理后消失,本文对此峰的产生进行了分析。LiNbO3多畴层带区倍频光强比单畴区大10倍左右,实验表明此乃层带区180°畴的形成导致应力松弛的结果。    

12.  非线性光学晶体HgGa2S4 和 Hg0.5Cd0.5Ga2S4的能带结构、化学键及光学性质研究  
   黄淑萍  吴东升  李晓东  蓝尤钊  张浩  龚亚京  李飞飞  沈娟  程文旦《中国物理》,2005年第14卷第8期
   用密度泛函理论和非谐振子模型计算了晶体HgGa2S4和Hg0.5Cd0.5Ga2S4的能带结构、态密度、化学成键及线性、非线性光学性质。结果表明:HgGa2S4的价带顶部主要是Ga-S成键态的贡献,导带底部主要是Ga-S反键态的贡献; Hg0.5Cd0.5Ga2S4的价带顶部主要由S-3p轨道组成,导带底部主要是Ga-S反键态的贡献。布居分析表明Ga-S键主要是共价成分,而Hg-S和Cd-S键主要是离子成分。HgGa2S4的折射率计算值与实验值在低能量区很好吻合。另外,HgGa2S4的能隙计算值比Hg0.5Cd0.5Ga2S4小,而二阶非线性极化率比Hg0.5Cd0.5Ga2S4大。    

13.  LBO晶体上1 064,532 nm倍频增透膜的镀制及性能分析  
   邓震霞  贺洪波  宋永香  杨燕静  范正修  邵建达《强激光与粒子束》,2007年第19卷第8期
    用电子束蒸发沉积方法在X切LBO(X-LBO)晶体上镀制了两种不同膜系结构的1 064和532 nm倍频增透膜,其中一种膜系结构为基底/ZrO2/Y2O3/Al2O3/SiO2/空气,另一种为基底/0.5Al2O3/ZrO2/Y2O3/Al2O3/SiO2/空气,两种膜系结构的主要差别在于有无氧化铝过渡层。测量了薄膜的反射率光谱曲线,发现两种增透膜在1 064和532 nm处的反射率均小于0.5%,实际镀制结果与理论设计曲线的差异主要是由材料折射率的变化引起的。且对样品在空气环境中进行了温度为473 K的退火处理,结果发现两种膜系结构均表现了较优异的光学性能,氧化铝过渡层的加入使薄膜具有强的热应力性能。    

14.  (Ba_(1-x)K_x)BiO_3电子结构与超导电性  被引次数:1
   沈耀文  张志鹏  陈龙海  黄美纯《物理学报》,1996年第45卷第10期
   用第一原理的LDF-LMTO-ASA超元胞法,模拟由X射线吸收谱精细结构测定的BaBiO中,Bi有两种价态Bi3+和Bi5+及与之相应的两种不同键长的Bi—O八面体,以及K掺杂对晶体结构的影响.计算了Ba4Bi412,(BaK)Bi412,(BaK)Bi26,(BaK)Bi412,K2Bi26(简记为(404),(314),(112),(134),(022))五种“样本”的电子结构.结果表明,(404)和(314)分别为Eg=1.6eV及Eg=1.5eV的半导体,其它“样本”为金属.总能的分析表明(134)是不稳定的,故溶解极限为x=0.5.以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率,进而计算了(Ba1-xx)BiO电子结构随组分的变化.最后用逾渗模型说明了超导转变温度Tc在x=0.25附近的突变    

15.  二维R—N型声光光学双稳态  
   董孝义 赵启大《光学学报》,1992年第12卷第4期
   本文在理论上给出了对二维R-N(喇曼-奈斯)型声光作用的光学双稳系统普遍适用的动态方程,并由此导出了该声光光学双稳系统的稳态解,借助于计算机给出了取(1,0)级作为反馈级次情况下的几个级次输入~输出关系曲线,并对此进行了稳定性分析;在实验上对该理论进行了验证,实验结果与理论相符.    

16.  非对称双稳系统中平均首次穿越时间的研究  被引次数:3
   靳艳飞  徐伟  马少娟  李伟《物理学报》,2005年第54卷第8期
   研究了由乘性白噪声和加性白噪声驱动的非对称双稳系统中,势阱的非对称性对两个不同方 向的平均首次穿越时间的影响.发现在非对称双稳系统中,两个不同方向的平均首次穿越时 间是与初始状态有关.此外,对一维非对称达芬模型的平均首次穿越时间进行了研究.数值结 果表明:(1) 非对称双稳系统的平均首次穿越时间对初始状态有“记忆性”;(2) 噪声强度 对两个不同方向的平均首次穿越时间T+(xs1→xs2)和 T-(xs2→xs1)的影响是不同的:lnT--D 曲线上存在峰值,出 现了“共振”现象,而lnT+-D曲线是单调的;(3) 势阱的非对称性r对T +(xs1→xs2)和T-(xs2→xs1 )的影响是不 同的:lnT--r曲线上存在极小值,出现了“抑制”现象,而lnT+ -r曲线是单调的.    

17.  Bi2S3量子点敏化TiO2纳米阵列结构的制备及光电性能研究  
   卢永娟  贾均红《无机化学学报》,2013年第29卷第18期
   利用水热法制备一维TiO2纳米棒阵列,并采用化学浴沉积法(CBD)结合自组装技术在TiO2纳米棒上敏化Bi2S3量子点,形成TiO2/Bi2S3复合纳米棒阵列.系统研究了复合结构的表面形貌、晶体结构、光学及光电性能.结果表明:在修饰有三氨丙基三乙氧基硅烷自组装单分子膜(APTS-SAMs)的TiO2纳米棒表面形成一层致密的Bi2S3量子点敏化层,这一技术的关键是含-NH2末端的APTS-SAMs可有效促进Bi2S3的异相成核作用;Bi2S3的沉积时间对复合结构的光吸收及光电响应性能有决定性的影响,薄膜的光电流随着沉积时间呈先增加后减小的趋势,在沉积时间为20 min时,光电流密度最大.这是因为随着沉积时间的增加,TiO2纳米棒表面Bi2S3量子点密度增大,光吸收增加;而当沉积时间进一步延长时,Bi2S3在TiO2纳米棒表面的大量负载而形成堆积和团聚,导致表面缺陷增多,光生电子复合几率增大,从而使光电流密度减小.    

18.  Bi2S3量子点敏化TiO2纳米阵列结构的制备及光电性能  
   卢永娟  贾均红《无机化学学报》,2015年第31卷第6期
   利用水热法制备一维TiO2纳米棒阵列,并采用化学浴沉积法(CBD)结合自组装技术在TiO2纳米棒上敏化Bi2S3量子点,形成TiO2/Bi2S3复合纳米棒阵列。系统研究了复合结构的表面形貌、晶体结构、光学及光电性能。结果表明:在修饰有三氨丙基三乙氧基硅烷自组装单分子膜(APTS-SAMs)的TiO2纳米棒表面形成一层致密的Bi2S3量子点敏化层,这一技术的关键是含-NH2末端的APTS-SAMs可有效促进Bi2S3的异相成核作用;Bi2S3的沉积时间对复合结构的光吸收及光电响应性能有决定性的影响,薄膜的光电流随着沉积时间呈先增加后减小的趋势,在沉积时间为20min时,光电流密度最大。这是因为随着沉积时间的增加,TiO2纳米棒表面Bi2S3量子点密度增大,光吸收增加;而当沉积时间进一步延长时,Bi2S3在TiO2纳米棒表面的大量负载而形成堆积和团聚,导致表面缺陷增多,光生电子复合几率增大,从而使光电流密度减小。    

19.  液晶混合光学双稳装置中分叉和混沌行为  被引次数:2
   张洪钧  戴建华  王鹏业  金朝鼎  L. M. NARDUCCI《物理学报》,1984年第33卷第7期
   本文报道在tR>>τ(tR为反馈系统延迟时间,τ为液晶的弛豫时间)条件下,液晶混合光学双稳装置中,随着系统参数的改变,自脉冲经倍周期分叉发展到混沌的过程。计算了分叉图,通过频谱和相空间图能清晰地分析系统的动态行为。实验结果与Ikeda理论进行了比较。    

20.  3d系列 (TM)4 团簇的结构和磁性  
   吕瑾  许小红  武海顺《物理学报》,2004年第53卷第4期
   基于第一性原理,在密度泛函理论下,用局域自旋密度近似(LSDA)和广义梯度近似(GGA)对(TM)4团簇的所有几何构型进行优化、能量、频率和磁性计算.确定出3d系列(TM)4团簇的基态构型,对其磁性、结合能和平均原子间距作了系统的研究,得出在3d系列(TM)4团簇中,Mn4的局域磁矩最大,V4的局域磁矩最小,并且除Cr4在LSDA和GGA均为反铁磁性耦合及GGA下的V    

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