半导体器件烧毁的物理机理

叙述了半导体器件烧毁的物理机理,目前的研究进展及作者正在开展的工作。     

用现代方法制造光学元件

次波长光学元件 ( SOEs)通常是用某种平版印刷术制造的 (虽然有时采用光刻法 ) ,这类光学元件含有一维或二维形式的阵列结构 ,这些阵列改变折射或反射光而不产生零以外的衍射级。这种次波长的光学元件具有 2 0 0 nm级的周期率 ,偏振能达到 97%的透射率或反射率 ,并具有大于40 d B的透射衰减和大于 2 0 d B反射衰减。这种元件的标准尺寸虽然只有 1 .4× 1 .4mm,但还能制成约 1 0mm大小尺寸。目前它主要用在光纤通信领域。这种次波长光学元件是将一种模型压入衬底上的一层光致抗蚀剂中而制成的。采用反应离子蚀刻工艺在衬底上或淀积在衬底上…     

电离辐射在半导体器件中引起的光电流的数值模拟

电离辐射在半导体中引起光电流问题是半导体器件辐照效应研究中的一个带普遍性的课题，首先建立描述半导体中光电流过程的普遍性的物理模型，而后模拟一个实际ｐｎ结器件的光电流响应，给出模拟结果。     

n模二次型哈密顿量对角化的一种简单方法

利用线性量子变换理论，对ｎ模Ｂｏｓｅ（Ｆｅｒｍｉ）体系给出了一种简单的对角化方法。     

半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验

着重描述了应用加速器开展半导体器件的单粒子效应实验研究的方法。采用金箔散射法可以降低加速器束流几个量级,从而满足半导体器件单粒子效应实验的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的质子注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。实验测得静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面为10-7 cm2·bit-11量级,单粒子翻转重离子LET阈值为4～8MeV·cm2/mg,重离子单粒子翻转饱和截面为10-7 cm2·bit-1量级。     

半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验

 着重描述了应用加速器开展半导体器件的单粒子效应实验研究的方法。采用金箔散射法可以降低加速器束流几个量级，从而满足半导体器件单粒子效应实验的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的质子注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。实验测得静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面为10^-7 cm²·bit^-11量级，单粒子翻转重离子LET阈值为4～8MeV·cm²/mg，重离子单粒子翻转饱和截面为10^-7 cm²·bit^-1量级。     

功率晶体管二次击穿机理研究

在实验研究的基础上，对晶体管二次击穿现象的原因提出一种新的观点，并进而讨论避免二次击穿的思路。