高压下ZnSe的电子结构和光学性质

运用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同的压强下ZnSe晶体闪锌矿结构,得到了它的平衡晶格常数、总能量、电子态密度分布、能带结构、光反射与吸收系数等性质,详细讨论了高压下ZnSe的电子结构,并且结合实验结果定性地分析了高压下的光学性质. 关键词： 闪锌矿结构 态密度 能带结构 密度泛函理论     

高压下岩盐矿和单斜结构AgCl的电子行为

 利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法，计算了AgCl在高压下的结构行为和电子性质，交换关联函数采用广义梯度近似（GGA）。通过比较焓随压力的变化关系，从理论上确定了AgCl从岩盐矿结构相变到单斜结构的转变压强。预测了这两种结构在布里渊区中的价带顶和导带底的位置，结果表明：盐岩矿和单斜结构的AgCl都是具有间接带隙的半导体。还计算了这两种结构的带隙和电子态密度随压强的变化情况，发现在这两种结构相变之前都不会发生金属化转变。电荷转移研究发现，随着压强的增加，Ag原子和Cl原子之间成键的共价性增强，离子性减弱。     

β-PTCDA的电子结构和光学性质的第一性原理计算

基于密度泛函理论,采用第一性原理赝势平面波方法研究了β-PTCDA分子晶体的能带结构、分波态密度和光学性质,通过分析不同种类原子的不同电子态在不同电子能级中的贡献,获得β-PTCDA分子晶体的光频介电常数、光吸收系数、折射率和能量损失函数等随光频的变化规律.结果表明:β-PTCDA作为一种直接带隙的窄带隙有机半导体,对费米能级贡献较大的电子轨道为苝核的C 2p以及O 2p电子态,即价带顶;对导带底贡献较大的为C 2p及O 2p电子态,包括酸酐C原子;其在光子能量为2～10 eV的区域具有强的光吸收特性,以及明显的双轴各向异性;在介电函数实部ε1(ω)＜0的光频区域,β-PTCDA分子晶体具有各向异性电导率,且与能量损失函数相一致.     

高压下ZnTe的电子结构和光电性质

应用第一性原理平面波赝势计算方法,研究了闪锌矿ZnTe晶体在外界压力下的电子结构和光电性质,并计算了介电函数和光学吸收系数随压力的变化情况。结果表明:在高压作用下,Te原子和Zn原子的态密度分布都向低能量方向移动,分布范围增大,Te 5p和Zn3d电子轨道杂化变强。随着压力的增大,直接带隙逐渐增大,而间接带隙逐渐变小。当压力为10.7GPa时,能带结构从直接带隙转变为间接带隙结构。压力增大,有利于Te 5p与Zn3d电子间的跃迁,光吸收系数增大,产生更多的电子-空穴对,材料导电能力增强。     

高压下AlN的电子结构和光学性质

运用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同压强下六方纤锌矿结构AlN晶体的晶格常数、总能量、电子态密度、能带结构、光反射系数与吸收系数。通过比较能带结构的变化行为,得出 AlN在16.7Gpa附近存在等结构相变,即由直接带隙结构转变为间接带隙结构。同时,结合高压下的态密度分布图和能级移动情况,分析了AlN在高压下的光学性质,吸收谱有向高能端移动(蓝移) 的趋势。     

高压下AlN的电子结构和光学性质

运用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法，利用第一性原理计算了不同压强下六方纤锌矿结构AlN晶体的晶格常数、总能量、电子态密度、能带结构、光反射系数与吸收系数。通过比较能带结构的变化行为，得出 AlN在16.7Gpa附近存在等结构相变，即由直接带隙结构转变为间接带隙结构。同时，结合高压下的态密度分布图和能级移动情况，分析了AlN在高压下的光学性质，吸收谱有向高能端移动(蓝移) 的趋势。     

萤石结构TiO2的电子结构和光学性质

利用第一性原理计算了立方相萤石TiO₂的晶胞参数,能带结构和电子态密度.结果显示萤石TiO₂属于间接带隙半导体材料,其间接禁带宽度(Γ→X)E_g为2.07eV,比常见的金红石和锐钛矿TiO₂的禁带宽度窄.为了更清楚地了解萤石的光学性质,利用Kramers-Kronig色散关系,分别对萤石和金红石TiO₂的复介电常数、吸收率等参数进行了计算,并将二者结果做了 关键词： 2')" href="#">萤石结构TiO₂ 密度泛函理论 能带结构 光学性质     

压力效应对CdS电子结构和光学性质的影响

基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同压强下CdS晶体闪锌矿结构,得到其晶格常数、总能量、电子态密度分布、能带结构、光反射与吸收系数等性质,通过比较能带结构的变化行为,得出CdS在116.8 GPa附近还存在等结构相变,即由直接带隙结构变为间接带隙结构.结合电子结构系统分析了压力效...     

高压下氧化镉弹性性质、电子结构和光学性质的第一性原理研究

 运用基于密度泛函理论的平面波赝势方法（PWP）,计算研究了氧化镉NaCl结构（B1结构）和CsCl结构（B2结构）在不同压力条件下的几何结构、弹性性质、电子结构和光学性质。交换关联能分别采用广义梯度近似（GGA）和局域密度近似（LDA）。通过比较计算和实验得到的晶格常数和体模量不难发现,LDA的计算结果更符合实验值。在高压的作用下,两种结构的导带能级有向高能级移动的趋势,而价带能级有向低能级移动的趋势,因此直接带隙变大。同时,对照态密度分布图及高压下能级的移动情况,分析了CdO两种结构在高压作用下的光学性质。     

一硼化物和二硼化物超导体电子结构研究

本文使用准确的第一原理方法,对一硼化物和二硼化物超导体进行了电子结构研究,从而发现硼化物超导体所具有特殊的电子结构属性.     

Electronic structure and lattice properties of zinc-blende InN under high pressure

Dependencies of electronic structure and lattice properties of InN with zinc-blende structure on hydrostatic pressure are presented based on band structures computed using the empirical pseudopotential method. The pressure behavior of the pseudopotential form factors have been analyzed. The effect of pressure on the density of states has been examined. Trends in bonding and ionicity under pressure are also discussed. Our results show as well that the absolute value of the Fourier transform of the valence charge density might be useful in the prediction of the phase transition in zinc-blende materials. Received 25 May 2001 and Received in final form 16 January 2002     

Electronic structure of twinned ZnS nanowire

The electronic properties of twinned ZnS nanowires （NWs） with different diameters were investigated based on first-principles calculations. The energy band structures, projected density of states and the spatial distributions of the bottom of conduction band and the top of the valence band were presented. The results show that the twinned nanowires exhibit a semiconducting character and the band gap decreases with increasing nanowire diameter due to quantum confinement effects. The valence band maximum and conduction band minimum originate mainly from the S-p and Zn-s orbitals at the core of the nanowires, respectively, which was confirmed by their spatial charge density distribution. We also found that no heterostructure is formed in the twinned ZnS NWs since the valence band maximum and conduction band minimum states are distributed along the NW axis uniformly. We suggest that the hexagonal （2H） stacking inside the cubic （3C） stacking has no effect on the electronic properties of thin ZnS NWs.     

Electronic structure of twinned ZnS nanowires

The electronic properties of twinned ZnS nanowires (NWs) with different diameters were investigated based on first-principles calculations. The energy band structures, projected density of states and the spatial distributions of the bottom of conduction band and the top of the valence band were presented. The results show that the twinned nanowires exhibit a semiconducting character and the band gap decreases with increasing nanowire diameter due to quantum confinement effects. The valence band maximum and conduction band minimum originate mainly from the S-p and Zn-s orbitals at the core of the nanowires, respectively, which was confirmed by their spatial charge density distribution. We also found that no heterostructure is formed in the twinned ZnS NWs since the valence band maximum and conduction band minimum states are distributed along the NW axis uniformly. We suggest that the hexagonal (2H) stacking inside the cubic (3C) stacking has no effect on the electronic properties of thin ZnS NWs.     

Al掺杂SnO2 材料电子结构和光学性质

采用基于第一性原理的线性缀加平面波方法(FP-LAPW),研究Al掺杂SnO₂材料Sn_1-xAl_xO₂ (x= 0,0.0625,0.125,0.1875,0.25)的电子结 构和光学性质,包括能带结构、电子态密度、介电函数和其他一些光学性质.计算结果表明,掺杂Al之后价带上部分折叠态增加,价带宽度发生收缩,对导带底起作用的Sn 5s态减少,使得带隙增宽,且态密度整体向高能方向发生移动.随着Al掺杂量的增加带隙越来越宽,Al杂质能级在导带部分与Sn 5p态电子相互作用逐渐增强,虚部谱中的第一介电峰的强度随掺杂Al浓度增大而减弱.同时,吸收谱及其他光学谱线与介电函数虚部谱线相对应,各谱线均发生蓝移现象,对应带隙增宽,从理论上指出了光学性质与电子结构之间的内在关系. 关键词： 能带结构 态密度 光学性质 介电函数     

Electronic structure and thermodynamic properties of LiBC under high pressure

This paper investigates the electronic structure and thermodynamic properties of LiBC in the hexagonal structure by using the generalized gradient approximation （GGA） and local density approximation correction scheme in the frame of density functional theory. The geometric structure of LiBC under zero pressure, and the dependences of the normalized lattice parameters a/ao and c/co, the ratio e/a, the normalized primitive volume V/Vo on pressure are given. The thermodynamic quantity （including the heat capacity Cv, Debye temperature 6~D, thermal expansion a and Grfineisen parameter -y） dependences on temperature and pressure are obtained through the GGA method and the quasi-harmonic Debye model. The band structures and density of state of LiBC under different pressures have also been analysed.     

VO_2晶体电子结构及其掺杂的第一性原理研究

运用密度泛函平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对二氧化钒(VO2)两种不同晶体电子结构进行了计算.研究了低温单斜晶型和高温四方晶型结构的VO2电子态密度(DOS)和能带(energyband)结构,通过分析发现,四方晶的金属性比较明显,这是由于电子态密度和能带结构分析结果表明不同特性产生的原因是V原子的3d电子贡献不同导致的.本文中我们还将部分O原子替换为F原子后对单斜晶替位掺杂进行了的计算讨论,本文的计算结果都较好地符合实验结果,表明密度泛函平面波赝势和广义梯度近似方法可以用来描述VO2的结构和性质.我们认为,这种方法应用于描述氧化物的电子结构和性质是一种新的探索.     

高压下Zn2GeO4带隙变化的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了Zn₂GeO₄晶体在高压下的电子结构和带隙变化行为. 研究结果发现, 随着压强的增加, Zn₂GeO₄ 能带间隙先变大, 在压强为9.7 GPa时达到最大值, 然后减小. 通过电子态密度、电荷布居数和电子差分密度分布图的研究分析可知:在低压区域(0< P< 9.7 GPa), 带隙的变大主要是由于原子间距离的减小造成的共价性增强和Ge原子随压强的变大局域性增强引起的; 在高压区域(P>9.7 GPa), 则是出现了离域现象, 诱发了离域电子的产生, 从而使带隙减小.     

Electronic structure of Mg–Zn-based compounds

We present a comparison between calculated densities of states of the Laves phase MgZn₂ and hexagonal Mg₂₈Zn₆₅Y₇ and experimental results obtained using both X-ray emission and photoabsorption spectroscopy techniques. We show that there is general agreement between both sets of data for both alloys. We also point out that the two samples retain a metallic character, yet the hexagonal approximant of the Mg–Zn–Y quasicrystal family is less metallic than the Laves phase.     

铁电体SrBi2Nb2O2电子能带结构的第一性原理研究

采用第一性原理的方法计算了SrBi₂Nb_2O.9（SBN）的顺电相、铁电相的电子结构.顺电相是间接带隙, 铁电相是直接带隙，它们的大小分别为1.57和2.23 eV.顺电相和铁电相的价带顶均主要来自于O₂p态的贡献.而顺电相和铁电相的导带底则分别来自Nb₄d态和Bi₆p态的贡献.计算表明SBN铁电相的低的漏电流与Bi 6p轨道有关.由顺电相到铁电相时，Nb₄d和O_{2 关键词： 顺电相 铁电相 态密度 电子能带结构}