单温度梯度气相法生长C_(70)单晶

用单温度梯度气相法生长了线度达1.1mm的C_(70)单晶.经外形和四圆X射线衍射分析,在室温下,C_(70).单晶为理想的hcp结构,晶格常数分别为a=b=1.0615nm,c=1.7246nm,c/a=1.625.     

单温度梯度气相法生长C70单晶

用单温度梯度气相法生长了线度达1.1mm的C_(70)单晶.经外形和四圆X射线衍射分析,在室温下,C_(70).单晶为理想的hcp结构,晶格常数分别为a=b=1.0615nm,c=1.7246nm,c/a=1.625. 关键词：     

钙钛矿结构La0.7Ca0.3MnO3-δ外延薄膜中氧的扩散

利用脉冲激光淀积方法，我们制备了外延La0．7Ca0．3MnO3-δ薄膜．实验发现，在30Pa氧分压下制备的薄膜晶格中仅有少量氧空位．可以通过高真空条件下的热处理(热处理温度为780℃)减少样品晶格中的氧含量．室温x射线衍射分析表明，在780℃通过高真空热处理的La0．7Ca0．3MnO3-δ外延薄膜结构不发生改变．通过延长高真空热处理时间可以逐渐减少外延薄膜样品晶格中的氧含量，这反映在样品晶格常数有系统变化及样品绝缘体-金属(I-M)转变温度降低．对样品电阻率．温度曲线的拟合表明，样品晶格中的氧含量是均匀的，这与X射线衍射分析的结果是一致的．通过长时间高真空条件下的热处理可以使样品的I-M转变温度低于10K，而短时间氧气氛中的充氧热处理可以使转变温度回复．这说明样品晶格中的氧扩散出和充入是有区别的．在同一外延薄膜样品可以反复通过高真空条件下的高温脱氧热处理和充氧热处理来改变样品中氧含量，这将方便于将薄膜性能与氧含量的关系进行比较、分析和讨论．     

压力对La_(0.3)Bi_(0.2)Ca_(0.5)MnO_3中晶格畸变的影响

利用同步辐射X射线衍射技术 ,对La0 .3Bi0 .2 Ca0 .5MnO3 中存在的Jahn Teller畸变进行了原位的高压研究。实验表明 ,外加压力能有效地影响到晶格中Mn—O键长和Mn—O—Mn键角的变化。当压力为 1.8GPa时 ,在晶格中存在的两种不同畸变模式之间的相互作用下 ,导致了位于a b基面上的Q2 畸变模式的消失     

压力对La0．3Bi0．2Ca0．5MnO3中晶格畸变的影响

利用同步辐射X射线衍射技术,对La0.3Bi0.2Ca0.5MnO3中存在的Jahn-Teller畸变进行了原位的高压研究。实验表明,外加压力能有效地影响到晶格中Mn－O键长和Mo-O-Mn键角的变化。当压力为1．8GPa时,在晶格中存在的两种不同畸变模式之间的相互作用下,导致了位于a-b基面上的Q2畸变模式的消失。     

SrAl_2O_4∶Eu,Dy发光材料的制备及其特性研究

采用高温固相合成法制得了SrAl2 O4∶Eu2 + ,Dy3 + 发光材料。该磷光体的合成温度在 130 0～ 15 0 0℃范围。X 射线衍射分析 (XRD)结果表明该磷光体为SrAl2 O4晶体结构 ,属单斜晶系。其晶格常数为 :a =8 4 4 2 4 ,b =8 82 2 ,c =5 16 0 7 ,β =93 4 15°。SrAl2 O4∶Eu2 + ,Dy3 + 发光材料的激发光谱和发射光谱均为宽带谱 ,激发谱峰位在 30 0～ 4 5 0nm范围内 ,发射波长在 5 2 0nm附近。这一结果表明该材料的发光是由Eu2 +的 5d→ 4f宽带跃迁产生的。不同的制备条件 ,如烧成温度、保温时间等对发光材料的显微结构及其发光性能有较大的影响     

SrAl2O4:Eu,Dy发光材料的制备及其特性研究

采用高温固相合成法制得了SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 发光材料。该磷光体的合成温度在1300－1500℃范围。X－射线衍射分析（XRD）结果表明该磷光体为SrAl2O4晶体结构，属单斜晶系。其晶格常数为：α=8．4424A，b=8.822A,c=5.1607A,β＝93.415。SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 发光材料的激发光谱和发射光谱均为宽带谱，激发谱峰位在300－450nm范围内，发射波长在520nm附近。这一结果表明该材料的发光是由Eu^2 的5d→4f宽带跃迁产生的。不同的制备条件，如烧成温度、保温时间等对发光材料的显微结构及其发光性能有较大的影响。     

金属间化合物RMn_2Ge_2(R=La,Pr,Nd,Sm,Gd,Tb和Y)中的自发磁相变及相变时的磁弹性异常

在 10— 80 0K的温度范围内用X射线衍射方法测量了RMn2 Ge2 (R =La ,Pr,Nd ,Sm ,Gd ,Tb和Y)的晶格常数与温度的变化关系 .在各种类型的自发磁相变观察到晶格常数的磁弹性异常现象 .实验得出 ,自发磁相变时的磁弹性异常主要由Mn次晶格引起 ,并且Mn Mn交换相互作用能不仅与晶格常数a有关 ,而且与晶格常数c有关 .用Kittle的交换反转模型讨论了低温时的铁磁—反铁磁一阶相变 .     

准一维梯状结构化合物Sr14-xCaxCu24O41磁化率随外磁场的变化性质

采用常规的固相反应方法制备了Sr14-xCaxCu24O41系列样品(x=0.0,3.5,6.0,8.4).X-ray衍射结果显示,所有样品均为单相,并且随着掺杂离子含量的增加,样品的晶格常数a,b,c的值均逐渐减小.在10 K～200 K温度范围内测量了不同磁场强度(H=1 T,3 T,5 T)Ca掺杂样品(x=0,3.5,6,8.4)的磁化率温度曲线.磁化率测量结果表明,磁场的增强导致居里-外斯贡献降低,并且导致自旋能隙变小.进一步拟合结果表明,参与磁化率贡献的自旋数目随Ca掺杂浓度的变化不明显,而随磁场强度的增大而减小.     

嵌入化合物Fe0.95PS3(MV)0.11的合成与磁性能研究

利用嵌入反应合成了有机-无机嵌入化合物Fe_0.95PS₃(MV)_{0.1 1}(MV为1,1′- 二甲基-4,4′-联吡啶阳离子)，对其结构和磁性进行了研究.x射线衍射数据表明，此嵌入化 合物的晶体结构仍为单斜晶系，空间群为C2/m，晶胞参数a=0.879 nm, b=0.944 nm, c=1.07 0 nm, β=114.76°.相对于纯FePS₃, 层间距离增大0.33 nm.磁化率研究表明， 从室温降 到4.2 K 关键词： 嵌入化合物 Mssbauer谱 磁相互作用 分子磁体     

Difference in magnetic properties between Co-doped ZnO powder and thin film

This paper reports that the Zn0.95Co0.05O polycrystalline powder and thin film were prepared by sol-gel technique under the similar preparation conditions. The former does not show typical ferromagnetic behaviour, while the latter exhibits obvious ferromagnetic properties at 5 K and room temperature. The UV-vis spectra and x-ray absorption spectra show that Co2＋ ions are homogeneously incorporated into ZnO lattice without forming secondary phases.The distinct difference between film and powder sample is the c-axis （002） preferential orientation indicated by the x-ray diffraction pattern and field emission scanning electron microscopy measurement, which may be the reason why Zn0.95Co0.05O film shows ferromagnetic behaviour.     

稀土离子Eu3+掺杂Y2SiO5晶体的光谱和结构研究

用５１４．５ｎｍ、４８８．０ｎｍ的Ａｒ＾＋激光和４４１．６ｎｍ的Ｈｅ－Ｃｄ激光激发Ｅｕ＾２＋：Ｙ２ＳｉＯ５晶体的获得了一系列窄带荧光谱线,其中双重谱线结构源于Ｅｕ３＾＋离子发光中在该材料中占据两种不等价的非对称光学格位,测得了Ｅｕ＾３＋：Ｙ２ＳｉＯ５的Ｘ射线多晶衍射谱的面间距数据;计算了晶格常数和晶在角度,通过和非掺杂Ｙ２ＳｉＯ５晶体数据的比较,探讨了Ｅｕ＾２＋和Ｙ２ＳｉＯ５格位的相互影响。     

A variable temperature structural study of the Jahn-Teller distortion in Ba2CuUO6

The structure of the ordered double perovskite Ba₂CuUO₆ has been investigated between room temperature and 800 °C using synchrotron X-ray powder diffraction. At room temperature Ba₂CuUO₆ is tetragonal, space group I4/m, a=8.82331(13) c=8.82330(13) Å, the structure being characterized by a large Jahn-Teller distortion of the CuO₆ octahedra and small out-of-phase tilts of the BO₆ octahedra. This Jahn-Teller distortion is also evident in the UV-Vis spectra. Analysis of the spontaneous tetragonal strain reveals a continuous ferroelastic phase transition near 420 °C. This appears to be related to the loss of the tilts whilst maintaining the Jahn-Teller distortion, so that the high temperature structure is in space group I4/mmm.     

Dy2 AlFe13 Mn3 化合物的本征磁致伸缩

通过X-射线衍射及磁测量手段研究了Dy2AlFe13Mn3化合物的结构及磁性质。研究结果表明Dy2AlFe13Mn3化合物具有六角相的Th2Ni17型结构。通过X-射线热膨胀测定法发现Dy2AlFe13Mn3化合物在245到344K的温度范围内存在负热膨胀现象，其平均热膨胀系数为α＝-1.1×10-4K-1K-1。在105到360K的温度范围内，通过比较磁性状态下的晶胞参数和由高温顺磁状态外延得到的低温顺磁状态下的晶胞参数间的差别计算了Dy2AlFe13Mn3化合物的本征磁致伸缩。结果表明Dy2AlFe13Mn3化合物的本征体磁致伸缩ωS在105到245K的温度范围内随着温度的升高而增大，由105K时的7.0×10-3 增加到245K时的9.1×10-3。随着温度的进一步升高，ωS反而减小。沿c轴方向的本征线磁致伸缩λc随着温度的升高而减小。基面内的本征线磁致伸缩λa在105到270K的温度范围内随着温度的升高而增大，从105K时的0.8×10-3增大到270K时的3.4×10-3，然后随着温度的进一步升高而减小。     

Pulsed laser deposition conditions and superconductivity of FeSe thin films

We report the effects of growth conditions on the superconducting properties of FeSe films epitaxially grown on LaAlO₃ substrates by pulsed laser deposition (PLD). Customary materials characterization techniques [X-ray diffraction (XRD), in-situ X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), in-situ ultra-violet photoelectron spectroscopy (UPS), and scanning electron microscopy (SEM)] revealed the films had a c-axis oriented tetragonal structure with lattice constants dependent on the growth temperature (varied from 100 to 600°C). The standard four-point probe method was used to measure the resistivity and superconducting transitions. Films grown at 400–550°C showed a clear superconducting onset but no zero resistance down to 2 K. The highest superconducting onset temperature (T_c^onsetT_{\mathrm{c}}^{\mathrm{onset}}) of 8 K was observed in films grown at 500°C and the onset temperature was clearly correlated to the ratio of the lattice constants (c/a). As the thickness of the FeSe films increased from 27 nm to 480 nm, T_c^onsetT_{\mathrm{c}}^{\mathrm{onset}} also increased as the strain in the system was relaxed.     

La0.825Sr0.175MnO3薄膜自旋输运特性研究

本文通过固相反应方法制备了具有钙钛矿结构的稀土掺杂锰氧化物La0.875Sr0.125MnO3(LSMO)块材,并用磁控溅射方法在LaAlO3衬底上生长了厚度为50nm的单晶薄膜.X射线衍射仪分别对LSMO块材和薄膜材料进行分析,表明薄膜和衬底具有相同的钙钛矿结构;通过研究该薄膜光诱导效应和磁场下输运行为,发现其输运性质明显改变,表明外场改变体系的电子自旋输运特性,引起双交换作用减弱和增强,分别导致电阻率的增加和减小.     

La0.7-xCexCa0.3MnO3低场磁电阻的晶格效应

以稀土元素铈部分替换钙钛矿结构亚锰酸盐中的镧,使A位离子半径减小.由此在晶格中产生的内压将影响到B位d轨道与O位p轨道之间交叠形成的电子活性能带.本文以固相反应法制备了多晶La0.7-xCexCa0.3MnO3样品(x=0,0.05,0.10,0.20),测量并研究了电阻、低场磁电阻与温度(77K～300K)之关系.实验表明,随Ce替代量的增加,磁电阻(MR)峰值无显著变化,而MR峰值出现的温度Tp则递减.关于"减小可能导致Mn-O-Mn键角减小而最终使Tc降低"的见解可解释该实验结果.     

β-FeSi2的高压研究

 对β-FeSi₂晶体进行了原位X射线衍射高压研究。利用同步辐射X射线衍射原位研究了β-FeSi₂的高压相演化，发现压力在4.3 GPa时出现相变，在25.8 GPa时相变完成。指标化结果表明：经高压处理后得到的产物具有四方结构，其晶格常数为：a=b=1.004 9 nm，c=0.339 4 nm。     

La0.7Sr0.3MnO3外延膜缺陷性质的慢正电子束研究

用单能慢正电子束,测量了不同氧分压下生长的La0.7Sr0.3MnO3外延膜的S参数与入射正电子能量E的关系.结果发现La0.7Sr0.3MnO3外延膜中S参数与氧分压是非单调变化的;这与沉积氧分压的两种作用相关联的.在氧分压较高的LSMO薄膜中, 空位浓度的增加主要是由沉积原子(离子)与氧原子碰撞几率增大,使其缺乏足够的动能去填补空位引起的;在低氧分压的LSMO薄膜中, 空位浓度的增大则主要是提供成膜所需要的氧原子缺乏,从而导致氧空位及其相关缺陷增加.     

Synthesis and photoluminescence property of boron carbide nanowires

Large scale, high density boron carbide nanowires have been synthesized by using an improved carbothermal reduction method with B/B203/C powder precursors under an argon flow at 1100℃. The boron carbide nanowires are 5-10 μm in length and 80-100 nm in diameter. Transmission electron microscopy （TEM） and selected area electron diffraction （SAED） characterizations show that the boron carbide nanowire has a B4C rhombohedral structure with good crystallization. The Raman spectrum of the as-grown boron carbide nanowires is consistent with that of a B4C structure consisting of B11C icosahedra and C-B-C chains. The room temperature photoluminescence spectrum of the boron carbide nanowires exhibits a visible range of emission centred at 638 nm.