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采用经验紧束缚理论,以类似闪锌矿结构的晶体模型模拟GexSi1-x合金,根据总能最小原则计算了GexSi1-x合金中的键长及点阵常数.同时以紧束缚方法计算了原子位置发生弛豫前后的电子能带结构,并与虚晶近似下的计算结果进行了比较.计算结果表明,GexSi1-x合金中的键长基本上与合金组分无关,各自接近于Ge,Si晶体中的键长,与广延x射线吸收精细结构(EXAFS)测量结果符合得
关键词: 相似文献
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利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子.
关键词:
xSi1-x磁性薄膜')" href="#">MnxSi1-x磁性薄膜
分子束外延
XRD
XANES 相似文献
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将CuInSe2薄膜在H2S与Ar的混合气体中硫化是制备CuIn(SxSe1-x)2薄膜的一种常用方法。硫化所用到的CuInSe2薄膜是用溶剂热法生成的CuInSe2纳米颗粒旋涂而成。不同于其他真空条件下制备CuInSe2薄膜的方法.溶剂热法的优点是其相对简单的制备工艺和较低廉的成本。对硫化过程进行研究后发现,硫化温度和时间直接影响CuIn(SxSe1-x)2薄膜的质量,诸如薄膜成分、结晶度、均匀性和带隙宽度都可以通过改变这些实验条件来进行控制。 相似文献
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采用超高真空化学气相淀积系统在SOI(绝缘体上硅)衬底上生长了Si0.82Ge0.18外延层,通过循环氧化/退火工艺,制备出Ge组分从0.24到1的绝缘体上锗硅(SGOI)材料.采用高分辨透射电镜、拉曼散射光谱和光致发光谱表征了其结构及光学性质,对氧化过程中SiGe层中的Ge组分和应变的演变进行了分析.最后制备出11 nm厚的绝缘体上Ge材料(GeOI),具有完整的晶格结构和平整的界面.室温下观测到绝缘体上Ge直接带跃迁光致发光,发光峰值位于1540 nm,发光
关键词:
GeOI
氧化
退火
光致发光谱 相似文献
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Photoluminescence and transmission spectra of nanocrystalline GaAs(1-x)Sbx embedded in silica films 下载免费PDF全文
The composite films of the nanocrystMline GaAs(1-x)Sbx-SiO2 have been successfully deposited on glass and GaSb substrates by radio frequency magnetron co-sputtering. The 10K photoluminescence (PL) properties of the nanocrystalline GaAs(1-x)Sbx indicated that the PL peaks of the GaAs(1-x)Sbx nanocrystals follow the quantum confinement model very closely. Optical transmittance spectra showed that there is a large blue shift of optical absorption edge in nanocrystMline GaAs(1-x)Sbx-SiO2 composite films, as compared with that of the corresponding bulk semiconductor, which is due to the quantum confinement effect. 相似文献
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室温下在单晶Si中注入(0.6—1.5)at%的C原子,部分样品在C离子注入之前在其中注入29Si+离子产生损伤,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1-xCx合金,研究了预注入对Si1-xCx合金形成的影响.如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量,在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si1-xC关键词:
离子注入
固相外延
1-xCx合金')" href="#">Si1-xCx合金 相似文献
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B.V. Kamenev J.-M. Baribeau D.J. Lockwood L. Tsybeskov 《Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures》2005,26(1-4):174
Detailed Raman and photoluminescence (PL) measurements are reported for Si/Si1−xGex nanostructures grown by molecular beam epitaxy under near Stranski–Krastanov (S–K) growth mode conditions. In samples with x ranging from 0.096 to 0.53, we observe that an increase in the Raman signal related to Ge–Ge vibrations correlates with (i) a red shift in the PL peak position, (ii) an increase in the activation energy of PL thermal quenching, and (iii) an increase in the PL quantum efficiency. The results indicate that for x>0.5 Ge atoms form nanometer size clusters with a nearly pure Ge core surrounded by a SiGe shell. Time-resolved PL measurements reveal a stretched-exponential long-lived PL component that is associated with compositional and dimensional fluctuations in the SiGe dots. 相似文献
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Room temperature photoluminescence (PL) at around 600 nm from magnetron-sputtered SiO2 films co-doped with Ge is reported. The PL signal is observed in pure SiO2, however, its intensity increases significantly in the presence of Ge-nanocrystals (Ge-nc). The PL intensity has been optimized by varying the temperature of heat treatment, type of gas during heat treatment, concentration of Ge in the SiO2 films, and gas pressure during deposition. Maximum intensity occurs when Ge-nc of around 3.5 nm are present in large concentration in SiO2 layers deposited at fairly high gas pressure. Based on time resolved PL, and PL measurements after α-particle irradiation or H passivation, we attribute the origin of the PL to a defect in SiO2 (probably an O deficiency) that is excited through an energy transfer from Ge-nc. There is no direct PL from the Ge-nc; however, there is a strong coupling between excitons created in the Ge-nc and the SiO2 defect. 相似文献
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采用氧化和析出的方法在氧化硅中凝聚生成锗纳米晶体量子点结构. 其形成的锗晶体团簇没有突出的棱角和支晶结构,锗晶体团簇的轮廓较圆混,故可以用球形量子点模型来模拟实际的锗晶体团簇. 对比了在长时间退火氧化条件下和在短时间退火用激光照射氧化条件下所生成的锗纳米晶体结构的PL光谱和对应的锗纳米晶体团簇的尺寸分布. 短时间退火氧化条件下生成的锗纳米晶体较小(3.28—3.96nm),长时间退火用激光照射氧化条件下所生成的锗纳米晶体较大(3.72—4.98nm);其分布结构显示某些尺寸的锗纳米晶体团簇较稳定,适当的氧化条件可以得到尺寸分布范围较窄的锗纳米晶体团簇. 用量子点受限模型计算了锗纳米晶体团簇的能隙结构,用Monte Carlo方法模拟了PL光谱和对应的锗纳米晶体团簇的尺寸分布,分别与实验结果符合较好.
关键词:
锗晶体团簇
纳米晶体
量子点
激光照射 相似文献
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室温下在单晶Si中注入(0.6—1.5)%的C原子,利用高温退火固相外延了Si1-xCx合金,研究了不同注入剂量下Si1-xCx合金的形成及其特征.如果注入C原子的浓度小于0.6%,在850—950℃退火过程中,C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合,难于形成Si1-xCx合金相.随注入C原子含量的增加,C原子几乎全部进入晶格位置形成Si1-xCx
关键词:
1-xCx合金')" href="#">Si1-xCx合金
离子注入
固相外延 相似文献
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采用退火后处理的方法,使SiOx∶H(0<x<2)形成纳米硅与二氧化硅的镶嵌结构.利用红外透射谱、Raman谱和光致发光谱,系统地研究了不同退火温度对薄膜微结构及室温光致发光谱的影响.发现发光谱均由两个Gauss线组成,其中主峰随着退火温度的升高而红移,而位于835nm的伴峰不变.指出退火前在720—610nm的波长范围内强的主峰可能来源于膜中的非晶硅原子团,随退火温度的升高主峰的红移是由于非晶硅原子团的长大.而伴峰可能来自硅过剩或氧欠缺引入的某种发光缺陷.1170℃退火后在850n
关键词: 相似文献