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通过透射光谱、x射线激发发射光谱(XSL)的测试,研究了Bridgman法生长的几种不同+3价离子掺杂钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和x光电子能谱(XPS)的实验手段,对不同钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究.实验表明,不同的+3价离子掺杂,对钨酸铅晶体发光性能的改善不同,并使得晶体中正电子俘获中心和低价氧的浓度发生不同变化.其中掺镧晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均上升,而掺钇和掺铋晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均下降,掺锑晶体则出现了正电子俘获中心浓度上升、低价氧浓度下降的情况.提
关键词:
钨酸铅晶体
+3价离子掺杂
正电子湮没寿命谱
x光电子能谱 相似文献
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利用正电子湮没寿命谱 ,从分子尺度上对两种分别从深海鱼皮和牛骨提取的明胶大分子的微观结构性能进行了研究 .正电子湮没寿命谱的长寿命组分给出了关于明胶大分子中自由体积空穴的信息 .结果表明 ,鱼明胶大分子中自由体积空穴的尺度与数量均低于骨明胶大分子 .同时 ,用鱼明胶和骨明胶作为成核分散介质的乳剂试验表明 ,鱼明胶可以改善卤化银颗粒的单分散性并抑制晶核的生长和聚结 .由此认为 ,明胶作为保护性胶体的功能与其微结构特征相关 .鱼明胶在控制卤化银颗粒成核与生长中的功能强于骨明胶 . 相似文献
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钨合金中钾的掺杂会引入大量的缺陷,如尺寸几十纳米的钾泡、高密度的位错以及微米量级的晶粒带来的晶界等,这些缺陷的浓度和分布直接影响合金的服役性能.本文运用正电子湮没谱学方法研究钾掺杂钨合金中的缺陷信息,首先模拟计算了合金中各种缺陷的正电子湮没寿命,发现钾的嵌入对空位团、位错、晶界等缺陷的寿命影响很小;然后测量了不同钾含量掺杂钨合金样品的正电子湮没寿命谱,建立三态捕获模型,发现样品中有高的位错密度和低的空位团簇浓度,验证了钾对位错的钉扎作用,阐述了在钾泡形成初期是钾元素与空位团簇结合并逐渐长大的过程;最后使用慢正电子多普勒展宽谱技术表征了样品中缺陷随深度的均匀分布和大量存在,通过扩散长度的比较肯定了钾泡、晶界等缺陷的存在. 相似文献
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在77—295 K温区和氢浓度0—0.35范围采用正电子湮没寿命测量方法研究了Pd0.75Ag0.25Hx氢化物合金. 充氢后正电子湮没寿命谱可以用两个寿命成分表征. 短寿命成分τ1不随温度和氢浓度变化, 是自由正电子湮没寿命; 长寿命成分τ2及其相对强度I2不随温度变化, 但随氢浓度的增加分别增大和减小, τ2是氢气泡捕获的正电子湮没寿命, τ2增大和I2减小说明随氢浓度增大氢聚集成的气泡的尺度增大, 而浓度减小. 实验结果表明, 氢脆的微观机理是氢气泡致脆. The metal hydride PdAgHx with a hydrogen concentration x ranging from 0 to 0.35 has been investigated by positron annihilation lifetime method in the temperature region between 77 K and 295 K. The measured lifetime spectra in metal hydride PdAgHx are characterized by two lifetimes τ1 and τ2. The short lifetime τ1 is independent of both hydrogen concentration and temperature, which is ascribed to the annihilation lifetime of free positrons. The long lifetime τ2 and its intensity I2 do not change with temperature, while τ2 increases and I2 decreases with increasing of hydrogen concentration. τ2 is attributed to the lifetime of positrons trapped at the hydrogen bubble. The increase of τ2 indicates the growth of the hydrogen bubble, and the decrease of I2 shows the reduction of the hydrogen bubble concentration. The experimental result shows a microscopic mechanism that the hydrogen bubble produced causes hydrogen embrittlement. 相似文献