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相似文献
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1.
LaFe1-xCuxO3的光催化性及正电子湮没研究   总被引:11,自引:0,他引:11  
研究LaFeO3及微量掺铜LaFeO3的光催化活性,利用正电子湮没谱分析掺杂的影响,发现随着掺杂百分比的增加,正电子奉命逐渐下降达到一最小值,然后又上升;而光催化活性随掺杂百分比的增加逐渐上升达到最大值,然后下降,结果表明:LaFeO3掺杂后光催化活性得以提高;正电子湮没技术是研究点阵缺陷结构的有效方法之一。  相似文献   

2.
本文利用正电子湮没技术(PAT)对不同密度的MgB2样品分别进行了测定,结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间(本征寿命τ1)和在捕获态的湮没时间(缺陷寿命τ2)比其他高温超导体都明显要高,这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低,可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成,MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷,而且与样品的密度或孔隙度有关.  相似文献   

3.
本文利用正电子湮没技术(PAT)对不同密度的MgB2样品分别进行了测定,结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间(本征寿命τ1)和在捕获态的湮没时间(缺陷寿命τ2)比其他高温超导体都明显要高,这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低,可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成,MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷,而且与样品的密度或孔隙度有关.  相似文献   

4.
通过透射光谱、x射线激发发射光谱(XSL)的测试,研究了Bridgman法生长的几种不同+3价离子掺杂钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和x光电子能谱(XPS)的实验手段,对不同钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究.实验表明,不同的+3价离子掺杂,对钨酸铅晶体发光性能的改善不同,并使得晶体中正电子俘获中心和低价氧的浓度发生不同变化.其中掺镧晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均上升,而掺钇和掺铋晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均下降,掺锑晶体则出现了正电子俘获中心浓度上升、低价氧浓度下降的情况.提 关键词: 钨酸铅晶体 +3价离子掺杂 正电子湮没寿命谱 x光电子能谱  相似文献   

5.
S+Au增感中心的电子陷阱效应对光电子行为的影响   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
利用微波吸收相敏检测技术,对AgBrI-T颗粒乳剂中自由光电子与浅束缚光电子时间行为进行了检测,结果表明在一级衰减曲线的不同区域中增感中心对光电子衰减的作用表现不同;S+Au增感中心的电子陷阱效应随浓度的增加发生了由浅电子陷阱到深电子陷阱的转变.根据增感浓度与光电子衰减时间的对应关系,获得了S+Au最佳增感浓度. 关键词: 微波相敏检测 光电子 增感 电子陷阱  相似文献   

6.
慢正电子湮没寿命测量是研究材料表面微观缺陷的重要分析方法.束团化系统是实现慢正电子湮没寿命测量的核心部件, 主要由斩波、聚束两部分组成, 它可以将随时间连续分布的束流束团化, 从而获得正电子湮没寿命测量的时间起点及满足时间分辨率要求的束团.本文以粒子动力学计算为基础, 完成了束团化系统的物理设计, 其时间分辨率设计值为150ps(FWHM).  相似文献   

7.
利用正电子湮没寿命谱 ,从分子尺度上对两种分别从深海鱼皮和牛骨提取的明胶大分子的微观结构性能进行了研究 .正电子湮没寿命谱的长寿命组分给出了关于明胶大分子中自由体积空穴的信息 .结果表明 ,鱼明胶大分子中自由体积空穴的尺度与数量均低于骨明胶大分子 .同时 ,用鱼明胶和骨明胶作为成核分散介质的乳剂试验表明 ,鱼明胶可以改善卤化银颗粒的单分散性并抑制晶核的生长和聚结 .由此认为 ,明胶作为保护性胶体的功能与其微结构特征相关 .鱼明胶在控制卤化银颗粒成核与生长中的功能强于骨明胶 .  相似文献   

8.
钨合金中钾的掺杂会引入大量的缺陷,如尺寸几十纳米的钾泡、高密度的位错以及微米量级的晶粒带来的晶界等,这些缺陷的浓度和分布直接影响合金的服役性能.本文运用正电子湮没谱学方法研究钾掺杂钨合金中的缺陷信息,首先模拟计算了合金中各种缺陷的正电子湮没寿命,发现钾的嵌入对空位团、位错、晶界等缺陷的寿命影响很小;然后测量了不同钾含量掺杂钨合金样品的正电子湮没寿命谱,建立三态捕获模型,发现样品中有高的位错密度和低的空位团簇浓度,验证了钾对位错的钉扎作用,阐述了在钾泡形成初期是钾元素与空位团簇结合并逐渐长大的过程;最后使用慢正电子多普勒展宽谱技术表征了样品中缺陷随深度的均匀分布和大量存在,通过扩散长度的比较肯定了钾泡、晶界等缺陷的存在.  相似文献   

9.
在77—295 K温区和氢浓度0—0.35范围采用正电子湮没寿命测量方法研究了Pd0.75Ag0.25Hx氢化物合金. 充氢后正电子湮没寿命谱可以用两个寿命成分表征. 短寿命成分τ1不随温度和氢浓度变化, 是自由正电子湮没寿命; 长寿命成分τ2及其相对强度I2不随温度变化, 但随氢浓度的增加分别增大和减小, τ2是氢气泡捕获的正电子湮没寿命, τ2增大和I2减小说明随氢浓度增大氢聚集成的气泡的尺度增大, 而浓度减小. 实验结果表明, 氢脆的微观机理是氢气泡致脆. The metal hydride PdAgHx with a hydrogen concentration x ranging from 0 to 0.35 has been investigated by positron annihilation lifetime method in the temperature region between 77 K and 295 K. The measured lifetime spectra in metal hydride PdAgHx are characterized by two lifetimes τ1 and τ2. The short lifetime τ1 is independent of both hydrogen concentration and temperature, which is ascribed to the annihilation lifetime of free positrons. The long lifetime τ2 and its intensity I2 do not change with temperature, while τ2 increases and I2 decreases with increasing of hydrogen concentration. τ2 is attributed to the lifetime of positrons trapped at the hydrogen bubble. The increase of τ2 indicates the growth of the hydrogen bubble, and the decrease of I2 shows the reduction of the hydrogen bubble concentration. The experimental result shows a microscopic mechanism that the hydrogen bubble produced causes hydrogen embrittlement.  相似文献   

10.
碳纳米管束中的正电子理论   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
陈祥磊  郗传英  叶邦角  翁惠民 《物理学报》2007,56(11):6695-6700
采用中性原子叠加模型和有限差分方法(SNA-FD)计算了大范围内不同管径的单壁碳纳米管束中的正电子情况,发现对于单壁碳纳米管束,正电子的主要湮没区域,湮没对象和正电子寿命随碳纳米管管径的不同而发生规律性变化.计算得到管径范围在0.8—1.6nm的碳纳米管束的正电子寿命范围为332—470ps,与实验测得的394ps符合较好.  相似文献   

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