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为了探索高性能透射式GaAs光电阴极的特征结构,对光电阴极量子效率公式进行了光谱反射率与短波截止限的修正,并利用修正后的公式对ITT透射式GaAs光电阴极量子效率(≈43%)曲线进行了拟合,得到拟合相对误差小于5%时的结构参数为:窗口层Ga1-xAlxAs的厚度介于0.3-0.5 μm,Al组分x值为0.7,发射层GaAs的厚度介于1.1-1.4 μm.另外,根据拟合结果讨论了均匀掺杂透射式GaAs光电阴极的优化结构参数,如果光电阴极具有0.4 μm厚的Ga1-xAlxAs(x=0.7)窗口层和1.1-1.5 μm厚的GaAs发射层,则积分灵敏度可以达到2350 μA/lm以上.
关键词:
透射式GaAs光电阴极
量子效率
积分灵敏度
光学性能 相似文献
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GaAs光电阴极在进行Cs-O激活前.激活层表面必须达到原子级洁净。最常用且最有效的洁净方法是高温热清洗法。然而.在热清洗过程中对处在真空系统中的光电阴极表面温度进行精确测量却是非常困难的。本文采用四极质谱仪对GaAs光电阴极激活前的热清洗过程进行分析.确定了最佳的热清洗温度及热清洗工艺,较好地解决了GaAs光电阴极激活前的热清洗工艺问题。 相似文献
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通过建立原子结构的理论模型和电离杂质散射理论公式,研究了光电子在透射式均匀掺杂GaAs光电阴极体内的输运过程,分析了光电阴极的掺杂浓度、发射层厚度、电子扩散长度等相关因素对阴极出射面的弥散圆斑以及到达阴极出射面的光电子数与激发光电子总数之比的影响.计算结果表明,当透射式均匀掺杂GaAs光电阴极发射层厚度为2 μm、电子扩散长度为3.6 μm、掺杂浓度为1×1019 cm-3时,其极限线分辨率为769 mm-1.此GaAs材料光电子的输运性能
关键词:
GaAs 光电阴极
光电子输运
弥散圆斑
分辨率 相似文献
7.
第一次用分子束外延法制成负电子亲和势(NEA)GaAs-GaP 光电阴极。GaAs 的发射表面达到了原子级光滑度。通过 GaAs-GaP 界面上的内扩散形成一个组分渐变的 GaAsP 界面层。此界面层对 GaAs 薄层的光电发射特性(光谱响应曲线和高量子效率)起着重要的作用。 相似文献
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高温Cs激活GaAs光电阴极表面机理研究 总被引:2,自引:1,他引:1
研究了高温Cs激活过程中,GaAs光电阴极表面势垒的变化机理。在考虑GaAs材料体内负电性p型掺杂杂质与材料表面正电性Cs+所形成的偶极子对表面势垒的作用后,通过求解均匀掺杂阴极中电子所遵循的一维连续性方程,得到了反射式均匀掺杂阴极的量子效率公式,通过求解薛定谔方程得到了到达阴极表面的光电子的逸出概率公式,利用公式对GaAs光电阴极的Cs激活过程进行了分析。分析发现,激活过程中GaAs光电阴极的量子效率和光电子的逸出概率正比于偶极子层的电场强度。 相似文献
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A method for accurate determination of the curvature radius of semiconductor thin films is proposed. The curvature-induced broadening of the x-ray rocking curve (XRC) of a heteroepitaxially grown layer can be determined if the dependence of the full width at half maximum (FWHM) of XRC is measured as a function of the width of incident x-ray beam. It is found that the curvature radii of two GaN films grown on a sapphire wafer are different when they are grown under similar MOCVD conditions but have different values of layer thickness. At the same time, the dislocation-induced broadening of XRC and thus the dislocation density of the epitaxial film can be well calculated after the curvature correction. 相似文献
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非故意掺杂GaN层厚度对蓝光LED波长均匀性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
通过调整非故意掺杂氮化镓层的厚度,分析氮化镓基LED外延生长过程中应力的演变行为,以控制外延片表面的翘曲程度,从而获得高均匀性与一致性的外延片。由于衬底与外延层之间的热膨胀系数差别较大,在生长温度不断变化的过程中,外延片的翘曲状态也随之改变。在n型氮化镓生长结束时,外延片处于凹面变形状态。在随后的过程中,外延薄膜"凹面"变形程度不断减小,甚至转变为"凸面"变形,所以n型氮化镓生长结束时外延片的变形程度会直接影响多量子阱沉积时外延片的翘曲状态。当非掺杂氮化镓沉积厚度为3.63μm时,外延片在n型氮化镓层生长结束时变形程度最大,在沉积多量子阱时表面最为平整,这与PLmapping测试所得波长分布以及标准差值最小相一致。通过合理控制非故意掺杂氮化镓层的厚度以调节外延层中的应力状态,可获得均匀性与一致性良好的LED外延片。 相似文献
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I. P. Kazakov V. I. Tsekhosh M. A. Bazalevsky A. V. Klekovkin 《Bulletin of the Lebedev Physics Institute》2017,44(7):187-191
GaAs/Ge/GaAs heterostructures in which the GaAs layer lattice on Ge is rotated at a right angle to the substrate plane are grown by molecular-beam epitaxy (MBE). Such heterostructures are grown in different epitaxial setups for GaAs and for Ge with wafer transfer through air tor the first time. It is proposed to use surfactants (Bi, Sb) to control GaAs layer nucleation on Ge. 相似文献
16.
We have measured the stress distribution at He temperature on two epitaxial GaAs wafers which were compressed along one edge. The stress was determined non-destructively at different points on the wafer surface by using the line-splitting and the lineshifts of the photoluminescence spectra of the acceptor-bound excitons in comparison with calibration spectra at known uniaxial stress. 相似文献
17.
为了研究SiO2对多层结构GaN外延片的热应力的影响,以直径d为40 mm的GaN外延片为研究对象,利用有限元分析法分别对蓝宝石/AlN/GaN和蓝宝石/SiO2/AlN/GaN这两种光阴极组件外延片表面热应力进行理论计算和仿真。在其他结构参数相同的情况下,分别分析了两种光阴极组件外延片径向和厚度方向的应力分布,分析了外延片热应力分布及影响因素。分析结果显示:在1 200 ℃的生长温度下,径向区域内的热应力分布比较均匀,厚度方向的热应力均在衬底和外延层的界面上发生突变。最后分析了外延片生长温度、蓝宝石衬底和GaN、AlN过渡层厚度对表面热应力的影响。 相似文献
18.
The effect of the surface preparation of the GaAs(110) substrate on the ZnSe epitaxial layer grown by molecular beam epitaxy
(MBE) was investigated by means of etch-pit density (EPD) measurements, surface morphology observation, and reflection high-energy
electron diffraction (RHEED) analysis. The ZnSe epitaxial layer grown on a GaAs(110) surface prepared by cleaving the (001)-oriented
wafer in ultrahigh vacuum (UHV) showed about 5×104 cm-2 of EPD. This value is much lower than that observed from both the samples grown on the mechanically polished surface with
and without a GaAs buffer layer. Due to the non-stoichiometric surface after thermal evaporation of the surface oxide, three-dimensional
growth can easily occur on the mechanically polished GaAs(110) substrate. These results suggest that the stoichiometric and
atomically flat substrate surface is essential for the growth of low-defect ZnSe epitaxial layers on the GaAs(110) non-polar
surface.
Received: 21 August 1998 / Accepted: 19 October 1998 / Published online: 28 April 1999 相似文献