多壁碳纳米管储氢的物理吸附特性

采用巨正则蒙特卡罗方法 ,模拟常温、1 0MPa下氢在扶手椅型多壁壁碳纳米管中的物理吸附过程 .氢分子之间、氢分子与碳原子之间的相互作用采用Lennard Jones势能模型 .研究了双壁碳纳米管外 (内 )径固定而内 (外 )径改变时的物理吸附储氢情况 ,发现氢分子主要储存在双壁碳纳米管的管壁附近 ,当双壁碳纳米管的内外管壁间距由 0 .34nm增大到 0 .6 1或 0 .88nm时可有效增加物理吸附储氢量 ,并给出了相应的理论解释 .在此基础上 ,计算了管壁间距为 0 .34、0 .6 1和 0 .88nm时的三壁碳纳米管的物理吸附储氢量 ,并与相同条件下单壁和双壁碳纳米管的物理吸附储氢量作了比较 ,发现多壁碳纳米管的物理吸附储氢量随碳管层数的增加而减小 .     

多壁碳纳米管/壳聚糖多层膜修饰电极的电化学行为研究

采用新型分散方法制备了多壁碳纳米管/壳聚糖多层膜修饰玻碳电极,研究了在修饰剂总量相同的情况下,不同修饰层数膜电极的循环伏安、计时库仑曲线及电化学阻抗行为,并采用交流阻抗等效电路分析方法,对拟合的阻抗数据进行了解析。结果表明,电极的膜修饰层数的增加,不仅使膜层的缺陷增多,而且使电极的界面阻抗、溶液阻抗和电子转移阻抗明显减小,电极反应逐渐呈Warburg扩散阻抗特征,从而使电极的灵敏度和可逆性得到改善。     

多壁碳纳米管阵列场发射研究

研究了Ar离子束轰击及温度对多壁碳纳米管阵列场发射性能的影响.经Ar离子轰击35min后，发现阵列顶端的Fe催化剂颗粒明显减少，弯曲的顶部被轰击掉，使碳纳米管的场发射电流明显减小而场发射像无明显改变.温度的增加引起碳纳米管的场发射电流也随之增加.还研 究了在透明阳极技术中涂在阳极的荧光粉对场发射电流的影响.对同一碳纳米管阵列样品，发现涂有荧光粉的透明阳极使测量到的场发射电流大幅度减小，只是未涂荧光粉阳极电流的 1/30左右.直接用二氧化锡导电膜作阳极时，测得样品的开启场强为1.0V/μm.沉积了荧光粉的二 关键词： 多壁碳纳米管 场发射     

多壁碳纳米管光限幅特性的研究

用化学气相沉积法制备了多壁碳纳米管,并将其溶解在甲苯溶液中.用波长为1064nm的皮秒脉冲激光测量该样品的透过率,发现了非常明显的光限幅特性.当入射光强较小时,透射光强度随入射光强度的增大而增大,输出与输入为线性关系;随着入射光强的增大,透射光强增长的速度明显变慢,并逐渐趋于饱和.当入射光强度较小时,样品的透过率接近100%;而当入射光强为8GW/cm²时,非线性透过率达到30%.根据三光子吸收理论计算,理论拟合与实验结果非常符合,说明多壁碳纳米管的三光子吸收产生了光限幅效应.实验测 关键词： 多壁碳纳米管 光限幅 三光子吸收     

氢在多壁碳纳米管中的吸附储存

利用巨正则系综蒙特卡罗(GCMC)的方法模拟了氢在多壁碳纳米管中的吸附,氢气分子之间、氢气分子和碳原子之间的相互作用势能采用Lennard-Jones势能模型。模拟了不同结构参数(管内径、管壁数、管壁间距)的多壁碳纳米管在77K和298K下的吸附等温线,分析了多壁碳纳米管的管内径、管壁数以及管壁间距对吸附性能的影响。模拟结果表明:多壁碳纳米管的管壁数和管壁间距对吸附性能的影响较明显;管壁数越少,管壁间距越大,其吸附性能越好;多壁碳纳米管的管内径对其吸附性能的影响甚微。     

多壁碳纳米管中的多通道弹道输运特性

借助于扫描电子显微镜中可移动金属探针的测量系统,实现了探针电极与W衬底上生长的单根多壁碳纳米管一端的完美接触.研究了单根多壁碳纳米管室温下的电输运特性,发现多壁碳纳米管具有非常高的电流承载能力.对于直径100nm的碳纳米管,其电阻为34.4Ω,流经碳纳米管的最大电流可达7.27 mA,对应的电导为 460—490G0 .这一实验结果表明,大直径的多壁碳纳米管在室温下可以实现多通道弹道输运,是未来纳电子器件与电路的理想互联导线.     

碳湿敏膜的非线性感湿特性和导电机理

采用羟乙基纤维素（HEC）和导电炭黑并添加山梨醇增湿剂制备碳湿敏膜,研究了膜在偏离结露区的非线性感湿特性和导电机理.扫描电镜观测到,膜中炭黑粒子形成网链状的空间导电结构;2%炭黑含量使膜的导电通路处于渗流区,膜电阻在80%RH附近对湿度有较强的非线性特性.分析I-V曲线认为,是导电网链中炭黑粒子的间距使膜电阻对湿度变化和测量电压的变化都非常敏感,非线性感湿特性与导电机理密切相关.复阻抗谱表明,碳湿敏样品在33%RH时只出现与炭黑体电阻有关的半圆弧,在80%RH时出现与炭黑粒界电 关键词： 碳湿敏膜 逾渗阈值 I-V特性')" href="#">I-V特性 复阻抗谱     

多壁碳纳米管弯曲导致的扭转

文章介绍了多壁碳纳米管弯曲的分子动力学模拟,从原子尺度上解释了由于屈曲失稳而导致的起皱现象,并发现多壁碳纳米管弯曲时会呈现出非线性的力学响应。同时,在模拟过程中,观察到了弯曲诱发扭转的现象,并揭示出扭转变形的内在起因是曲率诱导的晶格错配。     

不同激发波长下单壁碳纳米管与多壁碳纳米管的拉曼光谱比较

对不同激发波长下单壁和多壁碳纳米管的激光拉曼光谱进行了比较。发现单壁碳纳米管D峰强度和G峰强度的比值(ID/IG)几乎不随激发光子能量的改变而变化,多壁碳纳米管ID/IG值随着激发光子能量的增加以斜率0 3/eV减小。并对此现象进行了初步的分析。此外,还发现在1064nm激发波长下,单壁和多壁碳纳米管2500-3500cm-1之间拉曼峰的相对强度随着入射激光功率的增加而增加。     

多壁碳纳米管弯曲导致的扭转

文章介绍了多壁碳纳米管弯曲的分子动力学模拟,从原子尺度上解释了由于屈曲失稳而导致的起皱现象,并发现多壁碳纳米管弯曲时会呈现出非线性的力学响应。同时,在模拟过程中,观察到了弯曲诱发扭转的现象,并揭示出扭转变形的内在起因是曲率诱导的晶格错配。     

Photoluminescence of multiwalled carbon nanotubes excited at different wavelengths

In this paper the multiwalled carbon nanotubes (MWNTs) were synthesized by a chemical vapour deposition and the SEM graph shows that the sample has good construction. The micro-Raman spectrum shows the characteristic line of the MWNTs and an additional line produced by the defects on the outer surface of MWNTs. The photoluminescence (PL) spectra observed experimentally are variable under different excitation wavelengths and the strong excitation wavelength dependence of luminescence indicates a distribution of emitters which include electron $\pi$ in excited states and the Van Hove singularities. The absorption spectra confirm the transition channels which are consistent with the PL emission.     

多壁碳纳米管对p型Ba0.3FeCo3Sb12化合物热电性能的影响

用两步固相反应法合成了P型Ba填充方钴矿化合物Ba0.3FeCo3Sb12，并采用放电等离子烧结法(SPS)制备了Ba0.3FeCo3Sb12／多壁碳纳米管复合材料．研究了Ba0.3FeCo3Sb12／多壁碳纳米管复合材料的结构及多壁碳纳米管对其热电性能的影响规律：SEM分析表明多壁碳纳米管比较均匀地分布在Ba0.3FeCo3Sb12基体中；随着碳纳米管添加量的增加，Ba0.3FeCo3Sb12／多壁碳纳米管复合材料的电导率下降、塞贝克系数略微下降、晶格热导率大幅度降低，当碳纳米管含量为5％时其晶格热导率最小；当碳纳米管的含量为3％时，本研究得到的Ba0.3FeCo3Sb12／碳纳米管复合材料的最大ZT值达0．78．     

Selective growth of individual multiwalled carbon nanotubes

Growth of individual, vertically aligned multiwalled carbon nanotubes (VACNT) on patterned Si wafers using dc plasma-enhanced CVD is described. The selective growth of individual VACNT within larger holes etched in Si is demonstrated for the first time.     

多壁碳纳米管对p型Ba0.3FeCo3Sb12化合物热电性能的影响

用两步固相反应法合成了p型Ba填充方钴矿化合物Ba^0.3FeCo³S b^１2，并采用放电等离子烧结法(SPS)制备了Ba^0.3FeCo³Sb^１2／多壁碳纳米管复合材料. 研究了Ba^0.3FeCo³Sb^１2／多壁碳纳米管复合 材料的结构及多壁碳纳米管对 其热电性能的影响规律：SEM分析表明多壁碳纳米管比较均匀地分布在Ba^0.3 FeCo³S b^１2基体中；随着碳纳米管添加量的增加，Ba^0.3FeCo3Sb^１2/多壁碳 纳米管复合材料的电导率下降、塞贝克系数略微下降、晶格热导率大幅度降低，当碳纳米管 含量为5％时其晶格热导率最小；当碳纳米管的含量为3％时，本研究得到的Ba^{0.3FeCo3Sb１2/碳纳米管复合材料的最大ZT值达078.}     

Fractional conductance quantization in multiwalled carbon nanotubes with disorder

A close relationship is established for describing fractional conductance quantization in multiwalled carbon nanotubes with disorder in the framework of the particle-in-a-box model. Our results agree well with experimental data in the context of nanotubes with defects.     

γ射线辐照下多壁碳纳米管结构转变过程研究

采用60Coγ射线辐照纯净的多壁碳纳米管,用高分辨透射电镜和拉曼光谱,研究了多壁碳纳米管由石墨结构向无定形结构转变的演化过程.发现在γ射线辐照下,碳纳米管的外部石墨层逐渐失去最初的有序结构而向无定形结构转变.而且,随着γ射线辐照剂量的增加,无定形结构不断推进,而石墨层结构则不断减小,直至使整个碳纳米管变为一个中空的无定形纳米线结构.用原子位移理论和溅射机理对这种转变过程进行了分析.γ射线轰击碳纳米管击出碳原子,碳原子停留在晶格的间隙位置上产生间隙原子,在它原来的平衡位置则留下一个空位.当轰击粒子动能足够大时导致碰撞级联效应,无序结构增加.多数空位和间隙原子可能相互复合而彼此退火,但仍有少数原子作为间隙原子而造成晶格进一步缺陷.辐射也可以引起碳原子的溅射,溅射出来的碳原子沉积在碳纳米管的外壁上形成一层无定形碳结构.     

Excitation energy dependence of Raman bands in multiwalled carbon nanotubes

Vertically aligned multiwalled carbon nanotubes (MWCNTs) were grown on 1‐ and 3‐nm cobalt (Co) films, at various growth times by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition technique and their microstructural properties were analyzed with the help of Raman spectra that were obtained from different sources of laser excitation energies (E_L: 2.41, 1.96 and 1.58 eV). The variation of D and G band positions in MWCNTs grown on 1‐ and 3‐nm Co films follows a similar behavior, and an anomalous behavior was observed in the E_L dependence of the D′‐band wavenumber. In the second‐order spectra, the G′ band varied strongly according to structure with the laser excitation energy (E_L). The I_D/I_G ratio decreased with the increase of E_L for all MWCNTs; however, for a fixed E_L, the I_D/I_G dispersion is higher at lower E_L. The crystallite sizes were estimated using I_DI_G and E_L. We have shown that, for all MWCNTs, I_D/I_G ratio is inversely proportional to . Copyright © 2010 John Wiley & Sons, Ltd.