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相似文献
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1.
基于紧束缚理论,分析了一维多镜像光子晶体中多缺陷模的产生及缺陷模式分裂的机理,建立了缺陷模频率与缺陷层相对位置的关系模型.采用传输矩阵理论研究了双镜像光子晶体的光学传输特性,并讨论了光子晶体周期层数、入射角度、介质层厚度等及介质的相对折射率差等参数对光子晶体缺陷模特性的影响.模拟结果表明,调整光子晶体参数和缺陷层的相对位置可有效调控光子晶体的缺陷模特性,可为光子晶体多通道滤波器等光学器件的设计和应用提供一定的理论参考.  相似文献   

2.
一维光子晶体中多缺陷耦合导致的杂质带   总被引:17,自引:8,他引:9  
安丽萍  刘念华 《光子学报》2003,32(9):1083-1085
利用传输矩阵方法研究了包含多个周期性分布的缺陷的一维光子晶体的透射谱.以33个周期的1/4波堆存在5个缺陷的光子晶体为例作了数值计算.结果表明,在周期性光子晶体中加入多个缺陷时,将在截止带中产生多个缺陷模.这些缺陷模构成的杂质能带依赖于缺陷在晶体中的分布.当缺陷密集时,缺陷模耦合较强,杂质带中透射峰相距较远,它们对应禁带中许多分立定域的杂质能级;当缺陷稀疏时,缺陷模耦合较弱,透射峰相距较近,分立的杂质能级趋于简并,由此形成一个很窄的通带.  相似文献   

3.
朱奇光  董昕宇  王春芳  王宁  陈卫东 《物理学报》2015,64(3):34209-034209
利用紧束缚方法分析了双局域态光子晶体产生双缺陷模的机理, 采用传输矩阵法研究了一维光子晶体的光学传输特性, 并得到了透射谱与晶体结构参数的关系, 在此基础上讨论了光子晶体在受到单轴应力时所表现出的介观压光效应, 据此设计了一种结构简单的应力调制的近红外波段的多通道滤波结构.通过数值模拟可以看出, 随着各介质层折射率或厚度的增加, 缺陷模发生红移.当对多系双局域态光子晶体施加单轴拉伸应力时, 各缺陷峰都向长波长移动, 且缺陷峰峰值基本不变.经过数值拟合, 缺陷峰中心波长与对光子晶体施加单轴拉伸应力所产生的应变呈线性关系.该滤波器结构简单、可调谐性好, 在一系列精巧的光子晶体激光器、波分复用器或者其他精密仪器的制造中有一定的应用价值.  相似文献   

4.
设计了一种六角晶格二维光子晶体耦合腔阵列,平面波展开法计算能带表明,处于禁带中的耦合缺陷腔模的色散曲线在光子晶体平面内所有k矢量方向更加平坦.模拟了横电波沿ΓK方向的透射谱.与光子晶体单缺陷腔相比,耦合腔阵列结构的缺陷腔模透射率提高三个量级以上,而群速度降低一个量级,得到0.007c的结果.该慢波效应在构造微型可调谐光延迟器和低阈值光子晶体激光器等方面具有潜在的应用前景. 关键词: 光子晶体 耦合腔阵列 慢波 透射率  相似文献   

5.
含双负缺陷的一维光子晶体耦合腔的杂质带特性   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
利用转移矩阵方法研究了含双负缺陷的一维光子晶体耦合腔的透射谱.计算结果表明,如果改变缺陷的折射率,缺陷模之间的耦合作用将发生改变,使得能隙中的杂质带也随之改变.若这个折射率取适当值,则可以在禁带中同时出现几个尖锐的透射峰和较宽的通带,这种结构可同时用于多通道窄带滤波和宽带滤波. 关键词: 光子晶体 缺陷模 杂质带 滤波  相似文献   

6.
利用传输线技术制备了左手材料,将左手材料与正常材料交替排列组合成平均折射率为零的一维光子晶体.该光子晶体在特定频段具有光子带隙,带隙不随晶格尺度和入射角的变化而改变.通过掺杂技术破坏光子晶体的周期性,可在禁带中引入缺陷模,这种结构的光子晶体可用于实现滤波器小型化和超强耦合.研究表明,通过调节缺陷的厚度可以控制缺陷模的频率,这为调节频率提供了一种方法.实验与仿真结果相符. 关键词: 左手材料 复合左右手传输线 光子晶体  相似文献   

7.
矩形掺杂光子晶体中电磁波的模式和缺陷模   总被引:15,自引:0,他引:15       下载免费PDF全文
刘启能 《物理学报》2010,59(4):2551-2555
利用一维矩形掺杂光子晶体中电磁波横向受限的条件,推导出电磁波在其中各个模式满足的关系式,利用它研究了电磁波各模式的特性.利用特征法研究了电磁波的缺陷模随模式量子数和矩形边长的变化规律,得出了一维矩形掺杂光子晶体缺陷模的新结构. 关键词: 矩形光子晶体 受限 模式 缺陷模  相似文献   

8.
林旭升  吴立军  郭旗  胡巍  兰胜 《物理学报》2008,57(12):7717-7724
光子晶体的耦合缺陷模可以通过透射谱形状来表征,而透射谱形状则与连接缺陷的条形耦合波导相关.不同于直接耦合时信号相移只依赖于缺陷模的共振频率,当存在耦合波导时信号相移也决定于波导的长度和色散关系.随着波导长度的增加,透射谱形状发生从三峰到两峰,再到平项,最后又回到三峰的周期性变化.时间耦合模的分析表明,在缺陷模频率附近理论结果与时域有限差分法的计算结果完全一致,表明在此复杂情况下理论模型依然有效.  相似文献   

9.
设计了一种六角晶格二维光子晶体耦合腔阵列,平面波展开法计算能带表明,处于禁带中的耦合缺陷腔模的色散曲线在光子晶体平面内所有k矢量方向更加平坦.模拟了横电波沿ΓK方向的透射谱.与光子晶体单缺陷腔相比,耦合腔阵列结构的缺陷腔模透射率提高三个量级以上,而群速度降低一个量级,得到0.007c的结果.该慢波效应在构造微型可调谐光延迟器和低阈值光子晶体激光器等方面具有潜在的应用前景.  相似文献   

10.
一维缺陷光子晶体温度的测量   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用Si和SiO2两种介质材料构造一维缺陷光子晶体,缺陷层介质为Si,利用传输矩阵法对带有缺陷的一维光子晶体的传光特性进行了理论分析,并得到其带隙特性.由于缺陷的存在,使得光子晶体的透射谱中产生缺陷峰.当被测温度变化时,根据两种介质的热光效应和热膨胀效应,光子晶体介质和缺陷层的光学厚度和折射率发生变化,透射谱缺陷峰产生漂移,由缺陷峰的中心波长漂移量得到被测温度的大小.构建了一维缺陷光子晶体测量温度的实验系统,实验结果表明缺陷峰中心波长与光子晶体所受的温度呈线性关系,测量灵敏度为0—2  相似文献   

11.
在一维线缺陷的研究基础上进一步应用转移矩阵方法数值研究带其它缺陷的二维正方晶格圆柱光子晶体的透射谱,缺陷的引入使得原来不透电磁波的禁带中,出现了缺陷模,即某一波长的电磁波可以透过,计算结果表明禁带位置、宽度,缺陷模的位置与透过率随着缺陷的种类、介质、程度有关,特别是都受到波源的入射角调制.  相似文献   

12.
提出了一种具有完全带隙的二维复式晶格光子晶体,该晶体是在二维正方形格子中,旋转截面为正方形的柱子,同时在每个原胞中心引入圆形截面的柱子而形成的,并在其中引入点缺陷。运用平面波展开法并结合超晶胞理论分析此缺陷态光子晶体的频率特性。仿真结果表明,通过调节缺陷的尺寸、角度等结构参量,可以改变缺陷态频率的位置,使TE和TM模缺陷态频率一致,TE模和TM模同时谐振,处于缺陷态频率的入射光就能够完全耦合进点缺陷,具有较高的耦合效率。这种结构的复式晶格完全带隙光子晶体为制作完全带隙光子晶体谐振腔提供了理论基础。  相似文献   

13.
We reveal the existence of dynamically stable nonlinear defect kink modes at an interface separating a defocusing Kerr medium and an imprinted semi-infinite lattice with a positive or negative defect covering single or several lattice sites. Increasing the number of defect sites equivalently results in a band-gap shift of lattice which in return alters the existence domains and stability properties of defect solitons. Comparing with the uniform semi-infinite lattice, the instability of kink soliton in lattice with a negative defect is significantly suppressed, especially for in-phase soliton. Our results provide an effective way for the realization of stable in-phase kink solitons.  相似文献   

14.
In this paper, the characteristic matrix method is used to study the propagation of electromagnetic waves through one-dimensional lossy photonic crystals composed of negative and positive refractive index material layers with symmetric and asymmetric geometric structures with a defect layer at the center of the structure. First, the positive index material defect layer is considered, and the effects of the polarization and the angle of incidence on the defect mode in the transmission spectra of the both structures are investigated. The results show that the number of the defect modes in the transmission spectra depends on the geometry (symmetric or asymmetric) of the structure. In addition, it is shown that the defect mode frequency increases as the angle of incidence increases. This property is independent of the geometry of the structure. Then, for normal incidence, the negative index material defect layer is considered, and the properties of defect modes for both structures are investigated. The results can lead to designing new types of transmission narrow filters.  相似文献   

15.
用时域有限差分法计算了二维光子晶体的带隙和缺陷模,结果表明:在缺陷中心位置其强度达到最大值,离缺陷中心越远,强度越小.比较了方形介质柱与圆形介质柱光子晶体缺陷模:圆形缺陷缺陷模衰减的特征长度较小,但其缺陷模的品质因数较大.缺陷模的中心频率随缺陷介电常数的增大而变小,并近似成线性关系.  相似文献   

16.
张凯旺  钟建新 《物理学报》2008,57(6):3679-3683
利用分子动力学模拟研究了具有几种常见缺陷的单壁碳纳米管的熔化与预熔化性质. 研究结果表明, 类似于纳米颗粒和聚合物, 碳纳米管发生熔化时的Lindemann指数为003, 远低于晶体熔化的判据01—015 使用Lindemann指数, 得出标准碳纳米管的熔化温度为4800K左右, 而带缺陷的碳纳米管的熔化总是从缺陷处开始, 并且缺陷会影响碳纳米管局部的熔化温度, 导致局部预熔化. Stone-Wales缺陷在2600K引起碳纳米管的局部熔化,空位缺陷导致的局部熔化温度在3200K, 而具有硅替位缺陷的碳纳米管在3800K以下具有很好的热稳定性. 关键词: 熔化 预熔化 缺陷 碳纳米管  相似文献   

17.
嵌入线型缺陷的石墨纳米带的热输运性质   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
姚海峰  谢月娥  欧阳滔  陈元平 《物理学报》2013,62(6):68102-068102
采用非平衡格林函数方法研究了嵌入有限长、半无限长、 无限长线型缺陷的锯齿型石墨纳米带 (ZGNR)的热输运性质.结果表明, 缺陷类型和缺陷长度对ZGNR的热导有重要影响. 当嵌入的线型缺陷长度相同时, 包含t5t7线型缺陷的石墨纳米带比包含Stone-Wales线型缺陷的条带热导低. 对于嵌入有限长、同种缺陷的ZGNR, 其热导随线型缺陷的长度增加而降低, 但是当线型缺陷很长时, 其热导对缺陷长度的变化不再敏感.通过比较嵌入有限长、半无限长、无限长线型缺陷的ZGNR, 我们发现嵌入无限长缺陷的条带比嵌入半无限长缺陷的条带热导高, 而后者比嵌入有限长线型缺陷的条带热导高. 这主要是因为在这几种结构中声子传输方向的散射界面数不同所导致的. 散射界面越多, 对应的热导就越低. 通过分析透射曲线和声子局域态密度图, 解释了这些热输运现象. 这些研究结果表明线型缺陷能够有效地调控石墨纳米带的热输运性质. 关键词: 石墨烯 线型缺陷 热导  相似文献   

18.
The near-infrared (NIR) narrow filter properties in the transmission spectra of a one-dimensional photonic crystal doped with semiconductor metamaterial photonic quantum-well defect (PQW) were theoretically studied. The behavior of the defect mode as a function of the stack number of the PQW defect structure, the filling factor of semiconductor metamaterial layer, the polarization and the angle of incidence were investigated for Al-doped ZnO (AZO) and ZnO as the semiconductor metamaterial layer. It is found that the frequency of the defect mode can be tuned by variation of the period of the defect structure, polarization, incidence angle, and the filling factor of the semiconductor metamaterial layer. It is also shown that the number of the defect mode is independent of the period of the PQW defect structure and is in sharp contrast with the case where a common dielectric or metamaterial defect are used. The results also show that for both polarizations the defect mode is red-shifted as the number of the defect period and filling factor increase. An opposite trend is observed as the angle of incidence increases. The proposed structure could provide useful information for designing new types of tuneable narrowband filters at NIR region.  相似文献   

19.
李立  焦敬品  吴斌  何存富 《声学学报》2021,46(2):281-291
针对结构中缺陷定量识别问题,建立了椭圆缺陷超声散射仿真模型,研究了缺陷偏转角度及尺寸对散射信号去相关特性的影响。结果表明,超声信号去相关系数矩阵与缺陷几何状态(如尺寸及角度)存在很大关联性,但并非线性相关。结合参数化有限元分析与贝叶斯理论,发展了一种基于超声散射信号去相关分析的缺陷反演方法,开展了缺陷反演数值仿真及检测实验。结果表明,发展的缺陷反演方法可以很好实现铝块与铝板缺陷位置及尺寸反演。其中铝块开口缺陷尺寸(深度)反演误差约为激励波长0.2倍,位置误差约为激励波长0.6倍;铝板圆形缺陷尺寸反演误差约为激励波长0.04倍,位置误差约为激励波长0.4倍。研究工作为结构中缺陷定量识别与评价做了有益探索。   相似文献   

20.
采用基于MS(Materials Studio)软件和密度泛函理论的第一性原理方法, 研究了HfO2 俘获层的电荷俘获式存储器(Charge Trapping Memory, CTM)中电荷的保持特性以及耐擦写性. 在对单斜晶HfO2中四配位氧空位(VO4) 缺陷和VO4 与Al替位Hf掺杂的共存缺陷体(Al+VO4)两种超晶胞模型进行优化之后, 分别计算了其相互作用能、形成能、Bader电荷、态密度以及缺陷俘获能. 相互作用能和形成能的计算结果表明共存缺陷体中当两种缺陷之间的距离为2.216 Å时, 结构最稳定、缺陷最容易形成; 俘获能计算结果表明, 共存缺陷体为双性俘获, 且与VO4缺陷相比, 俘获能显著增大; Bader电荷分析表明共存缺陷体更有利于电荷保持; 态密度的结果说明共存缺陷体对空穴的局域能影响较强; 计算两种模型擦写电子前后的能量变化表明共存缺陷体的耐擦写性明显得到了改善. 因此在HfO2俘获层中可以通过加入Al杂质来改善存储器的保持特性和耐擦写性. 本文的研究可为改善CTM数据保持特性和耐擦写性提供一定的理论指导.  相似文献   

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