吸附于纳米磷化镓粉体表面碱性品红的拉曼光谱(英文)

本文中,对吸附于纳米磷化镓(GaP)粉体表面的碱性品红拉曼光谱进行了研究。通过将吸附碱性品红与纯碱性品红晶体样品的拉曼光谱进行对比、分析可知,碱性品红在纳米GaP粉体表面发生了化学吸附。在吸附碱性品红样品的拉曼光谱中,位于1200~1320cm-1范围内的光谱特征表明可能有新的化学键(P-O-C+或Ga-O-C+)形成。碱性品红分子的中央碳正离子(C+)与GaP表面具有孤对电子的氧原子形成配位键。红外光谱结果表明,氧原子与纳米GaP粉体表面的磷原子或镓原子键合,以P-O,Ga-O或P-O-Ga形式存在于GaP表面。碱性品红分子的呼吸振动,N-苯环伸缩振动,以及苯环C-C伸缩振动散射强度与纯碱性品红晶体样品相比皆有所增强。N-苯环伸缩振动散射强度增加意味着N原子是除C+离子以外的另一个可以与GaP表面发生化学作用的活性中心,这种化学作用是由N原子与GaP表面存在共轭效应造成的。     

结晶紫在纳米磷化镓粉体表面吸附的表面增强拉曼光谱分析

利用Raman光谱对结晶紫(Crystal Violet,CV)在纳米磷化镓(GaP)粉体表面的吸附状态进行了分析.结果表明:与普通拉曼散射谱(Normal Raman Scattering,NRS)相比,结晶紫表面增强拉曼散射(Surface Enhanced Raman Scattering,SERS)谱的4种振动模式,即:中央键的呼吸振动、环-C -环面外弯曲振动、环C-H面外弯曲振动以及N-环伸缩振动,在纳米GaP粉体表面得到增强;通过分析吸附前后结晶紫拉曼散射峰相对强度的变化,确定了结晶紫在纳米GaP粉体表面的吸附取向,并对其表面增强散射机理进行了探讨.     

碱性品红分子在正、负电性纳米银上的吸附取向

制备了两种不同电性的纳米银粒子的胶体,发现当碱性品红分子分别吸附的在这两种纳米银上时,其表面增强拉曼谱在谱线的强度及谱线数目上均有有明显的不同。在正电性纳米银上,主要是面内模式得到增强,且碱性品红特征峰的强度是I1589>I1524>I1371。而在负电性纳米银上,面内伸缩模式及面外弯曲模式均得到增强,且碱性品红特征峰的强度是I1588<I1520=I1371,通过分析增强谱的差异表明,分子在这两种不同电性胶态纳米银表面上可能分别以垂直及倾斜方式吸附。     

纳米磷化镓粉体中混杂石墨和金刚石微晶的拉曼光谱分析

利用Raman光谱并结合能量色散X射线显微分析(EDX)和X射线衍射图谱(XRD)对混杂于纳米磷化镓粉体内的石墨和金刚石纳米微晶进行了分析。结果表明,在纳米GaP粉体Raman光谱中,位于1324 cm-1和1572 cm-1的两个宽强散射谱带分别归属于金刚石的F2g模和石墨的E2g模振动。EDX结果证实纳米GaP粉体材料中含有碳元素。XRD图谱中出现了石墨和金刚石的低晶面指数衍射峰。     

不同的银表面上系列氨基苯甲酸的吸附行为的差别(英文)

分别以覆银的干燥滤纸和银胶溶液中的银纳米颗粒为基底,对苯甲酸的一系列氨基取代物[n -ABA(n =P ,M和O) ]进行了表面增强拉曼散射(SERS)的研究,发现PABA在两种基底上的SERS光谱差别较大,而MABA和OABA则不然,我们分析了可能的原因     

表面增强拉曼光谱研究聚乙烯咔唑(PVK)在银表面的吸附状况

ＰＶＫ表面增强光谱及粉末拉曼光谱的对比分析表明,ＰＶＫ分子是通过杂五环和邻 双取代苯环同衬底银表面吸附的,且ＰＶＫ分子与银原子之间存在电荷转移。     

硫脲在铂电极表面吸附行为的表面增强拉曼光谱研究

本文通过电化学方法有效抑制了硫脲在铂电极表面的解离,从而实现了用SERS技术研究粗糙铂电极表面硫脲的吸附行为。结果表明,硫脲分子是以硫端斜躺吸附在电极表面,随着电位变负渐渐转为直立。     

苯硫酚吸附在新型Ag-Au合金纳米粒子上的表面增强拉曼光谱研究

以柠檬酸钠同时还原制备的Ag-Au合金纳米粒子为种子,用盐酸羟胺进一步使其生长得到粒径为40～60 nm的新型Ag-Au合金纳米粒子,采用UV-Vis光谱和TEM对纳米种子和再生长后的纳米粒子分别进行表征。两种粒子的UV-Vis光谱均只观察到一个等离子体共振峰,其频率随金的摩尔分数(x_Au)增加而红移,且TEM图像表明这两种粒子的颜色均一,因此判断这两种粒子均为合金结构。以苯硫酚为探针分子,研究了该新型合金纳米粒子的表面增强拉曼光谱(SERS),结果表明吸附了苯硫酚的合金纳米粒子的紫外最大吸收峰红移,并在近红外区出现聚集体的吸收峰。在632.8 nm波长激发下,由于表面等离子体共振效应Au上的SERS信号最强,而合金纳米粒子上的SERS信号随x_Au增大而增强。     

表面分子功能化银纳米粒子的光谱特征

通过玻片表面构筑银纳米粒子二维组装结构研究吸附分子对银粒子表面等离子体共振的影响.吸收光谱结果表明银纳米粒子表面吸附二硫代乙二酰胺分子可导致金属粒子的表面等离子体共振吸收红移,主要与金属粒子的微环境改变以及吸附分子与金属间电荷转移而导致的金属粒子内部电子密度改变有关.二硫代乙二酰胺分子通过其氨基和巯基共同吸附于金属表面.     

单个银纳米聚合体的偶极表面等离子体共振灵敏表面增强拉曼散射(英文)

pacc:5240F,7830Weinvestigatedpolarizationdependencesof surfaceenhancedresonanceRamanscattering(SERRS)andsurfaceplasmonresonance(SPR)toidentifytheSERRSyieldingSPRbands.We alsostudiedSERRSexcitationspectraforsingle Agnano-aggregateswiththeSPRbandstoex plore…     

纳米GaP粉体反射光谱的测量及其分析

通过测量纳米磷化镓(GaP)粉体在紫外可见光波段(200-800nm)的反射光谱,运用三流理论由反射光谱计算出纳米GaP粉体的吸收系数(Ea)和散射系数(Es)的比值(Ea/Es)。纳米GaP粉体的反射光谱的形状主要受吸收的影响,即GaP禁带结构的影响。     

碱性品红催化光度法测定痕量亚硝酸根

在H3PO4介质中和加热条件下,痕量亚硝酸根对溴酸钾氧化碱性品红的反应有强烈的催化作用,研究了反应的条件,测定了动力学参数,建立了测定痕量亚硝酸根的方法,方法检出限为1.38×10^-9g.mL^-1,测定范围为1.38—69.00μg.L^-1,用于水样、唾液等中的痕量亚硝酸根的测定,结果满意。     

Group-Theoretical Interpretation of Surface-Enhanced Raman Scattering Spectra of Copper Phthalocyanine Adsorbed on Gallium Phosphide

Optics and Spectroscopy - Spectra of surface-enhanced Raman scattering of a copper phthalocyanine molecule adsorbed on a GaP substrate are studied. It is shown that very strong lines forbidden in...     

噻菌灵在纳米银胶表面吸附的表面增强拉曼光谱研究

噻菌灵(TBZ)属苯并咪唑类杀菌剂,容易在水果、蔬菜及相应的果蔬饮品中形成有毒残留。基于密度泛函理论(DFT)的量子化学计算方法和表面增强拉曼光谱(SERS)技术,从理论和实验角度系统研究了噻菌灵在纳米银胶粒子表面的吸附行为和增强效应。采用柠檬酸钠还原法制备了具有表面增强拉曼散射活性的银纳米溶胶,并对水相的噻菌灵进行了SERS光谱研究。利用TBZ-Ag₄四种吸附模型对噻菌灵与银纳米溶胶的相互作用进行了理论分析。结合FT-Raman光谱和B3LYP/6-311G(d)理论计算的结果,借助Gaussian View5.0程序的图形化功能,对噻菌灵分子的振动模式、FT-Raman振动光谱和SERS光谱进行了系统的指认。研究结果表明：噻菌灵分子的所有原子在同一平面上,属于Cs对称性;其在银纳米溶胶表面具有十分显著的表面增强拉曼活性;分子中的S原子与银胶粒子发生吸附作用,并通过该分子的长轴方向垂直于银纳米银胶表面;可利用SERS光谱方法对痕量的噻菌灵进行快速检测。为研究噻菌灵的特性以及其快速检测提供了理论和实验依据。     

Progress of Aluminum Gallium Indium Phosphide Red Laser Diodes and Beyond

Abstract

High-quality aluminum gallium indium phosphide epitaxial layers for red laser diodes have been grown by the metal organic chemical vapor deposition method. The layers have some issues, such as narrowing of the band gap, low p-carrier concentration, difficulty in epitaxial growth for quantum well structures, and generating of high-density hillocks. The issues have been successfully solved by introducing (100) substrates with misorientaion toward the [011] direction. High performance transverse-mode stabilized lasers are achieved by introducing the substrates, novel strain-compensated multiple-quantum well structures, which can add large strain to the wells, and low-loss optical cavity. This article also describes their applications.