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电光调制在被动综合孔径成像探测中的应用 总被引:7,自引:3,他引:4
介绍了一种新型被动综合孔径成像探测方法:视场辐射信号被接收和放大后,通过电光幅度调制将其幅度和相位信息加载到光波上,经光纤传输在末端形成阵列,通过光学系统直接成像,将视场实时恢复出来.该方法可实现工作在微波、毫米波和太赫兹波段的高分辨力实时成像探测的目的.深入分析了电光调制器在综合孔径成像探测中的应用,建立电光调制模型,讨论了在小信号调制下的电光幅度调制近似理论.通过数值计算与仿真分析,得到综合孔径成像探测中电光调制器的调制信号强度限制的有关结论.结果表明,利用上变频电光调制技术和光信息处理,所得到的成像仿真图的半峰全宽和信噪比性能都优于传统的基于下变频技术的成像仿真结果. 相似文献
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用于获取大调制度的驻波型电光调制器的设计与制作 总被引:3,自引:1,他引:2
设计并制作了一种采用微波驻波电极的电光调制器,该调制器被用于光谱展宽。通过非周期极性反转方法,在16.25GHz的调制频率下实现了微波驻波与光波的相位匹配,从而获得了大调制度。实验中光谱展宽达到2.5THz。 相似文献
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采用线性电光效应耦合波理论,得到一种全新简便的基于线性电光效应的THz辐射电光探测 原理的分析方法.这种方法不仅适用于一切各向同性晶体,也适用于探测光沿光轴传播的单 轴晶体.它可以方便地描述在探测光偏振状态和THz辐射电场方向都任意的情况下探测器的行 为,并可以得到探测器的优化设计方案.同时此方法不需要复杂的坐标变换,计算方便简洁 ,而且得到一些在其他理论中没有得到的结论,有望给电光探测器设计者提供有益的参考 .
关键词:
电光探测器
THz
线性电光效应耦合波理论 相似文献
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借助抽运-探测技术研究了ZnTe晶体中光学整流产生的太赫兹(THz)辐射,利用ZnTe晶体的线性电光效应探测THz辐射场分布,观察到了较窄(约为0.2 ps)的THz场分布及相应较宽(响应超过4 THz,半峰宽约为2.4 THz)的THz频谱,并运用琼斯矩阵对实验结果进行了理论拟合. 研究了飞秒激光脉冲波长(750—850 nm)、脉冲宽度(56—225 fs)和晶体旋转与THz辐射产生的关系. 同时改变探测光偏振方向进行偏振调制,并从理论上分析了偏振调制对THz辐射探测的影响.
关键词:
THz辐射
光学整流
电光探测
ZnTe 相似文献
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介绍了电光采样法测量电子束束团长度的实验原理和装置,理论分析并模拟计算了被测电子束团库仑场分布、ZnTe晶体的电光效应与束团电场的关系,并利用琼斯矩阵法分析了探测光通过电光晶体时在束团电场作用下的偏振变化、测量信号与束团长度的关系等。分析表明:测量中应使束团库仑场垂直于ZnTe的[001]方向,探测光偏振方向与ZnTe晶体y″轴成45°或者135°夹角,1/4波片快轴与探测光偏振方向夹角应取45°,这时平衡探测器输出信号与束团库仑场Eb成正比。1/4波片的作用是将电光晶体的工作点从非线性段移到线性段,平衡探测的作用是简化信号与Eb的关系,并提高信噪比。为实际测量应用提供参考。 相似文献
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介绍了电光采样法测量电子束束团长度的实验原理和装置,理论分析并模拟计算了被测电子束团库仑场分布、ZnTe晶体的电光效应与束团电场的关系,并利用琼斯矩阵法分析了探测光通过电光晶体时在束团电场作用下的偏振变化、测量信号与束团长度的关系等。分析表明:测量中应使束团库仑场垂直于ZnTe的[001]方向,探测光偏振方向与ZnTe晶体y″轴成45°或者135°夹角,1/4波片快轴与探测光偏振方向夹角应取45°,这时平衡探测器输出信号与束团库仑场Eb成正比。1/4波片的作用是将电光晶体的工作点从非线性段移到线性段,平衡探测的作用是简化信号与Eb的关系,并提高信噪比。为实际测量应用提供参考。 相似文献
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以电流变材料制作的结构型及特性可随外界因素而变,当具备一定的感知功能后即成为智能结构,光纤传感器具有抗电磁干扰,高灵敏度,高频响,可挠曲铺设等特点,故成为传统感系统的首选技术。 相似文献
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硅酸铋晶体内电光、磁光相互作用的耦合波分析及其传感应用 总被引:1,自引:0,他引:1
通过建立并求解硅酸铋(BSO)晶体内电光、磁光相互作用的耦合波方程,得到了BSO晶体的偏振传递函数,由此分析了BSO晶体内偏振光的周期性变化规律,并给出直接描述外加电场、磁场对偏振光作用的琼斯矩阵和米勒矩阵.最后设计了一种基于BSO晶体的电压、电流同时传感系统. 相似文献
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畴反转结构片状集成4×4电光开关的设计与仿真 总被引:1,自引:1,他引:0
基于铁电体畴反转结构的电光偏转特性,设计了一种片状集成的4×4电光开关,其由四个结构相同的半抛物和四个抛物形微小偏转器集成构成.通过优化抛物形偏转器结构,给出了电光开关的设计参量,电光开关性能通过光束传播法进行仿真模拟,仿真结果表明该开关切实可行.实际应用中,系统误差可以通过电场调节补偿,使光路准确交换.该片状电光开关的整体尺寸为48 mm×2.2mm×0.5 mm(长×宽×高),最大使用电场约13.73 V/μm,适用于高速交换的光互连系统. 相似文献
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新型KTP电光偏转器的设计和分析 总被引:3,自引:0,他引:3
设计了新KTP电光偏转器,当通光口径D=4mm,长度L=40mm时,其时间分辨率为180ps,从而可获得最窄宽度为400ps的整形激光脉冲,而相同结构的LiNbO3电光偏转器最窄只可获得宽度为830ps的整形激光脉冲,分析了电光偏转器设计中影响其性能指标的因素,指出利用恒温炉装置可消除激光脉冲在传播过程中的波面畸变。 相似文献