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Amorphous silicon nanowires were prepared by heating an Si substrate at high temperatures using an Ni (or Au) catalyst.The nanowires have a diameter of 10-40nm and a length of up to several tens of micrometres.Unlike the well-known vapour-liquid-solid mechanism,a solid-liquid-solid mechanism appeared to control the nanowire growth.The heating process had a strong influence on the growth of silicon nanowires.It was found that ambient gas was necessary to grow nanowires.This method can be used to prepare other kinds of nanowires. 相似文献
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硅的可见光发射—通向全硅光电子集成之途 总被引:1,自引:0,他引:1
由于Si是一种禁带宽度只有1.1eV的间接带隙材料,其发光效率极低,因此长期以来Si被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料.但近一两年才出现的多孔硅光致发光现象,对人们的这种传统概念产生了巨大的冲击,一股多孔硅的研究热潮也正在兴起.本文将结合作者在多孔硅方面的工作,对多孔硅光致发光现象的研究背景、现状和潜在的应用作了较详细的介绍. 相似文献
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最近的研究中,采用1.06μm超短脉冲光激发,在多孔硅表面观察到了有效的红外多光子激发的荧光发射.研究表明,这是一个增强的三阶非线性光学过程.本文利用其三阶非线性特性对具有强可见光发射的多孔硅结构进行了研究,结果显示晶体硅的各向异性特征在多孔硅中几乎被保留;此外,较强的激光激发导致的红外上转换荧光信号衰减过程被归结为与多孔硅表面氢的脱附有关. 相似文献
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