PECVDSi3N4/InP界面特性的研究

本文利用Auger分析技术和C-V测量方法,详细地研究了PECVDSi₃N₄/InP界面特性,Auger能谱分析表明热处理使界面面发生互扩散,同时InP的热分解导致P元素穿过Si₃N₄薄膜到达表面。C-V测量表明Ag/Si₃N₄/InPMIS结构可以实现载流子的堆积、耗尽和反型。     

SnO2:Zr薄膜对SO2气体的光学气敏特性研究

采用双靶反应溅射制得SnO₂:Zr薄膜,并对它作了150°C下SO₂气敏光学特性试验,首次发现在适当工艺条件下制得的SnO₂:Zr薄膜在近红外波段(1.7～3μm)对SO₂气体具有明显的光学气敏特性,在2.65μm附近透过率上升幅度达10%左右.Zr的引入增强了SnO₂薄膜对SO₂的吸附能力.用二次离子质谱对吸附SO₂前后的薄膜作了组分相对含量分析.本实验结果对今后研究高性能SO₂气敏传感器有一定的价值.     

激光光控超导YBa2Cu3Ox薄膜开关的研制

在对光控热电效应开关进行理论分析的基础上,木文提出用YBa₂Cu₃O_x薄膜制作光控开关,并测试了在液氮温度下薄膜开关在不同激光波长下的特征参数,测试的最好结果是响应度R_v(632.8nm,10kHz,1Hz)为217V/W,归一化探测率D_*(632.8nm,10kHz,1Hz)为2.3×10¹¹cm.Hz^1/2/W,响应时间τ为0.21ms.     

温度对PSⅡCP4 7/D1/D2/Cytb559复合物荧光光谱特性的影响

采用激励光源为514.5 nm的分幅扫描单光子计数荧光光谱装置对经20℃、42℃和48℃不同温度处理后的反应中心复合物CP47/D₁/D₂/Cyt b559的荧光光谱特性进行了研究.经解析,获得不同温度处理后,CP47/D₁/D₂/Cyt b559复合物最大峰值未发生变化,均在682 nm,说明Chla670的能量都由Chla682接收,但损耗愈来愈小,在48℃时,损耗程度最小,而其荧光百分比未发生多大变化.振动副带～700 nm和～740 nm的中心波长都发生蓝移,在不同温度下分别为:20℃ 703 nm,749 nm;42℃ 697 nm,744 nm;48℃ 694 nm,740 nm.因此可以推测温度的升高,影响了CP47/D₁/D₂/Cyt b559色素蛋白的二级结构以及色素分子的空间位置,使最大峰值处的荧光强度逐渐降低,振动副带逐渐蓝移.42℃的温度已造成影响,48℃影响较大.     

Gd2O2S:Eu荧光谱及能级的高压研究

 在21 500~11 500 cm^-1光谱区间内测量了Gd₂O₂S:Eu的荧光光谱，测量是在室温和液氮条件下进行的，对122条低温谱线和96条常温谱线进行了指认。识别了Eu³⁺离子⁵D_0~2及⁷F_0~6的39个斯塔克能级中的35个能级。在0~15 GPa压力范围内，研究了Gd₂O₂S:Eu高压下的发射光谱。在压力作用下，发现所有观测到的谱线都红移，强度降低。6个⁵D_0~2能级下降速度大于⁷F_J，⁵D₂、⁷F_2~5多重态的斯塔克劈裂变大，而⁵D₁和⁷F₁的劈裂变小。     

Ba2CuO2Cl2的高压合成及原位高压结构稳定性研究

 在高温高压下合成出了单相的Ba₂CuO₂Cl₂化合物,在高压下对该化合物晶体结构的稳定性进行了研究。结果表明,在实验测量的压力范围内,Ba₂CuO₂Cl₂化合物的晶体结构是稳定的,并且其压缩性表现出较强的各向异性,计算得到了Ba₂CuO₂Cl₂化合物的体弹模量和状态方程。     

0212型Ca3Cu2O4+δCl2-y化合物高温高压合成与研究

 利用“顶角氧掺杂”机制，即以二价氧部分替代顶角一价氯，用Ag₂O做氧源，在高温高压下制备了单相的Ca₃Cu₂O_4+δCl_2-y样品。X射线衍射分析发现，随着Ag₂O含量的增加，Ca₃Cu₂O_4+δCl_2-y样品的晶格常数a逐渐变小，c逐渐增大，体现了空穴掺杂的本质。进行了电阻率和磁化率测量，没有发现超导性，可能是空穴载流子没有达到合适的浓度所致。     

基于组分Ca2Pr2Cu5O10三元固溶区的范围和晶体结构

 利用X射线衍射分析和Rietveld结构精修方法研究了基于组分Ca₂Pr₂Cu₅O₁₀三元固溶区的范围和晶体结构。根据X射线分析结果和相消失法，为了保持Ca_2+xPr_2-xCu₅O₁₀结构单位晶胞中恒定的氧含量和电价平衡，基于组分Ca₂Pr₂Cu₅O₁₀的三元固溶区的范围可确定为：在Ca_2+xPr_2-xCu₅O₁₀固溶区的富Ca区（Ca/Pr>1），其表达式仍可以表示为一般的化学计量式Ca_2+xPr_2-xCu₅O₁₀（x=0.4, 0.2, 0）；在富Pr区（Ca/Pr<1），其表达式为Ca_1.7Pr_2.2·Cu₅O₁₀、Ca_1.4Pr_2.4Cu₅O₁₀，即：Ca_2+xPr_2-xCu₅O₁₀固溶区范围从Ca_2.4Pr_1.6Cu₅O₁₀至Ca_1.4Pr_2.4·Cu₅O₁₀。研究表明：基于组分Ca₂Pr₂Cu₅O₁₀的三元固溶体晶体结构可以看作是正交晶系NaCuO₂型亚晶胞的无公度相；Ca_2.4Pr_1.6Cu₅O₁₀亚晶胞的点阵常数为a₀=0.282 46(7) nm，b₀=0.636 93(1) nm，c₀=1.067 94(1) nm；其正交超结构的点阵常数为a=5a₀，b=b₀，c=5c₀。Ca_2.4Pr_1.6Cu₅O₁₀的结构也可以用单斜超晶胞来表述，该单斜超晶胞的空间群为P2₁/c，Z=4，a=5a₀，b=b₀，c=c₀/sin β，β=104.79°或136.60°，V=5a₀b₀c₀。在基于组分Ca₂Pr₂Cu₅O₁₀的三元固溶体晶体结构中，Ca和Pr之间在一定范围内是可以相互替代的，而且它们在结构中的占位是无序的。     

Zn0.83Mn0.17Se和ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格材料中Mn2+的压力光谱研究

 采用压力光谱技术在低温下观测到了Mn²⁺离子的⁴T₁→⁶A₁跃迁,该谱线在Zn_0.83Mn_0.17Se和ZnSe/Zn_0.84Mn_0.16Se超晶格样品中有不同的压力行为,体材料中其压力系数为-42.4 peV/Pa,超晶格中为-29.5 peV/Pa。用晶体场理论计算得到体材料Zn_0.83Mn_0.17Se中Mn²⁺离子⁴T₁→⁶A₁谱线的压力系数为-38.3 peV/Pa,与实验结果基本一致。结合材料中发光峰积分强度随压力的变化关系进行分析,证实Mn²⁺离子的发光性质主要与其近邻的晶体场环境有关。     

高压高温下B2O3与Mg和Li3N的反应

 通过B₂O₃与Mg和Li₃N分别在不同温度压力条件下的反应，用X射线方法研究了生成物的物相。当采用Mg与B₂O₃为原料时，其产物是Mg₃B₂O₆；用Li₃N与B₂O₃反应时，产物中除了Li₃BO₃，还有立方氮化硼（cBN）生成。这表明，当原料中含有相同数量B₂O₃时，用Mg和Li₃N分别作触媒合成立方氮化硼，将得到不同的结果。     

GaInP材料生长及其性质研究

用常压MOCVD在半绝缘GaAs衬底上生长了Ga_xIn_1-xP(x=0.476～0.52)外延层,对外延层进行了X光双晶衍射、Hall和光致发光(PL)测试.77K下电子迁移率达3300cm²/V.s(浓度为1.4×10¹⁶cm^-3).载流子浓度随生长温度升高,随Ⅴ/Ⅲ比的增大而降低,并提出P空位(V_p)是自由载流子的一个重要来源,17KPL谱中,Ga_0.5In_0.5P(Tg=650℃,Ⅴ/Ⅲ=70)的峰能为1.828eV,半峰宽为19meV.另外,在1.849eV处还有一较弱的峰,GaInP峰能和其计算的带隙最大相差113meV,这可能与GaInP中杂质或缺陷以及其中存在有序结构有关.     

0.1~800 MPa压力下方解石拉曼光谱的实验研究

 利用石英的拉曼谱峰与温度和压力的关系，检验了在金刚石压腔中用方解石拉曼谱峰确定体系压力的可行性，并初步确定了在常温下方解石的拉曼谱峰与压力的关系。实验研究结果表明：在实验的压力范围内方解石稳定，且其1 085 cm^-1 谱峰约为石英464 cm^-1谱峰的3倍强度，因此非常适合作为热液金刚石压腔的压力标定物。在温度26 ℃、压力0.1~800 MPa条件下，方解石的拉曼谱峰（1 085 cm^-1）随着压力的增加，呈线形增大，其关系式为：p(MPa)=192×(ν_p－1 085)－21.8，1 085 cm^-1<ν_p<1 090 cm^-1。     

二维Rh-C60聚合相的制备和表征

 利用高压合成装置在6 GPa压力、700 ℃温度条件下合成了二维C₆₀聚合相,并用X射线衍射（XRD）和高分辨核磁共振（NMR）等方法对样品进行了表征。XRD分析结果表明,C₆₀分子在高温高压下发生了聚合反应,晶体结构由面心立方结构变为菱形结构,通过［2+2］加环反应在邻近分子间形成sp³杂化共价键。¹³C核磁共振魔角谱 （¹³C MAS NMR）在δ145和δ72处出现了两个共振峰,其中在δ145附近的峰展宽并有两个边带。δ145附近的峰的展宽与分裂主要是由于C₆₀分子上出现了不等价的sp²杂化碳和高温高压条件下产生的结构无序,边带的形成说明了其结构的各向异性;位置为δ72附近的峰证明了聚合物内C₆₀分子之间出现了sp³杂化键。     

Raman and X-Ray Investigation of Pyrope Garnet （Mg0.76Fe0.14Ca0.10）3Al2Si3O12 under High Pressure

The compressional behavlour of natural pyrope garnet is investigated by using angle-dlspersive synchrotron radiation x-ray diffraction and Raman spectroscopy in a diamond anvil cell at room temperature. The pressureinduced phase transition does not occur under given pressure. The equation of state of pyrope garnet is determined under pressure up to 25.3 GPa. The bulk modulus KTO is 199 GPa, with its first pressure derivative K′TO fixed to 4. The Raman spectra of pyrope garnet are studied. A new Raman peak nearly at 743 cm^-1 is observed in a bending vibration of the SiO4 tetrahedra frequency range at pressure of about 28 GPa. We suggest that the new Raman peak results from the lattice distortion of the SiO4 tetrahedra. All the Raman frequencies continuously increase with the increasing pressure. The average pressure derivative of the high frequency modes （650-1000 cm^-1） is larger than that of the low frequency （smaller than 650 cm^-1）. Based on these data, the mode Grǖneisen parameters for pyrope are obtained.     

The fluorescence and thermoluminescence characteristics of α-Al2O3:C ceramics

This paper reports that polycrystalline α-Al₂O₃:C ceramics are fabricated by conventional ceramics process. The excitation, emission spectra, thermoluminescence (TL) and optical stimulated luminescence (OSL) of α-Al₂O₃:C polycrystalline ceramics are investigated. There exists 410nm maximum emission peak which is caused by recombination of an electron with F⁺ centre to produce an excited F centre. The samples show three clear TL glow peaks at 405, 493 and 610K. The attenuation constant of exponentially decaying fast component (τ₁) and slow component(τ₂) of OSL curve are 8.43s and 41.73s, respectively. Those fluorescence and thermoluminescence characteristics are similar with α-Al₂O₃:C crystal.     

Broadband Infrared Luminescence from Bismuth-Doped GeS2--Ga2S3 Chalcogenide Glasses

Near-infrared luminescence is observed from bismuth-doped GeS2-Ga2Sa chalcogenide glasses excited by an 808 nm laser diode. The emission peak with a maximum at about 1260 nm is observed in 80GeS2-2OGa2 Sa：O.fBi glass and it shifts toward the long wavelength with the addition of Bi gradually. The full width of half maximum （FWHM） is about 200 nm. The broadband infrared luminescence of Bi-doped GeS2-Ga2Sa chalcogenide glasses may be predominantly originated from the low valence state of Bi, such as Bi＋. Raman scattering is also conducted to claxify the structure of glasses. These Bi-doped GeS2 Ga2Sa chalcogenide glasses can be applied potentially in novel broadband optical fibre amplifiers and broadly tunable laser in optical communication system.     

PbMoO4原位高压拉曼光谱和电导率的研究

 钼酸铅（PbMoO₄）具有高的声光品质因数、低的声损耗、良好的声阻抗匹配等性质，被广泛应用于声光偏转器、调制器、可调滤光器、声表面波器件等各类声光器件，其优异的低温闪烁性能亦引起人们的注意，具有在核设备方面的应用潜力。为探讨其晶体结构和物理性质，在金刚石对顶砧上原位测量了PbMoO₄的拉曼光谱，并测量了其在几个不同压力点下电导率随温度的变化。实验发现，压力在12.5 GPa时，拉曼峰完全消失，说明压力在10.8～12.5 GPa之间PbMoO₄样品出现了非晶态转变。当从26.5 GPa卸压到9.4 GPa时，PbMoO₄的拉曼谱在低波数出现无序化，而在2.4 GPa压力下858 cm^-1峰又重新出现，说明样品结构由无序向晶化回复。压力在10.8 GPa以上时，电导率随着温度的增加而显著增加，且随着压力的增加也明显增加。     

Broadening of Non-Transmission Band of Ultra-Narrow Band-Pass Filters Using Heterostructures

Transmission characteristics are studied for the hybrid structures combining defect and multiple heterostructures. It is shown that the non-transmission frequency range can be substantially enlarged and the phenomenon of narrow band-pass filter can be realized by adjusting the number, position and size of the defect. The theoretical and experimental results on heterostructures containing Ta2O5/SiO2 multilayer films are presented. With perfect non-transmission frequency range and high peak transmissivity, this structure opens a promising way to fabricate ultra-narrow band-pass filters with wide non-transmission frequency range.     

静高压下Cu-Si块状纳米合金的制备与表征

 用压淬的方法，在6 GPa静高压下，以200 K/s的冷却速率冷却熔融状态的Cu₇₀Si₃₀合金，制备出块状Cu-Si纳米合金．X射线衍射和透射电子显微镜分析表明：该纳米合金由γ-Cu₅Si和一未知相组成，未知相为简单立方晶体，晶格常数α₀=0.853 5 nm，其热力学状态为亚稳态。并对静高压下块状纳米合金的形成机理进行了探讨。     

MSLM调制组件的电光性能

对设计并制作的[M_gF₂+(ZrO₂/SiO₂)]膜系·LiNbO₃·ITO/玻璃结构的MSLM用调制组件的综合电光性能进行了实验测定。结果表明,其反射半波电压V_πR为1.2kV±0.1kV,反射率达99%,峰值次级电子发射系数为5.8。用其制作的光导址MSLM具有良好的功能与性能。