基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究

基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温I-V测试和C-V测试，采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明，肖特基接触的电流输运机理非常复杂，在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触I-V特性方程进行了修正，得到了很好的拟合曲线.试验表明，高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值. 关键词： 氮化镓 肖特基二极管 表面势垒减薄模型 热电子场发射     

InAlN材料表面态性质研究

运用电流-电压(I-V), 变频电容-电压(C-V)和原子力显微镜 (AFM) 技术研究In组分分别为15%, 17%和21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN 样品表面态性质 (表面态密度、时间常数和相对于InAlN 导带底的能级位置). I-V和变频 C-V方法测量得到的实验结果表明, 随着In组分增加, 肖特基势垒高度逐渐降低, 表面态密度依次增加. 变频 C-V特性还表明,随着测试频率降低, C-V曲线有序地朝正电压方向移动, 该趋势随着In组分的增加而变得更加明显, 这可能归结于InAlN表面态的空穴发射. AFM表面形貌研究揭示InAlN 表面粗糙度增加可能是表面态密度增加的主要原因. 关键词： 不同In组分的InAlN材料 表面态 电流-电压特性 变频电容-电压特性     

60Co γ-射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响

在肖特基二极管(Schottky barrier diode,SBD)辐照损伤机理和总剂量效应分析的基础上,利用1/f噪声的迁移率涨落和载流子数涨落模型,深入研究辐照损伤对器件1/f噪声的影响. 研究结果表明,辐照诱生新的界面态,改变界面态密度分布,进而调制了肖特基势垒高度,增大表面复合速度是引起器件性能退化主要原因,也是1/f噪声剧烈增加的主要原因. 正因为如此,噪声与器件退化存在相关性,即噪声拟合参数B越大,偏离标准值越多,器件可靠性越差,抗辐照 关键词： 肖特基二极管 f噪声')" href="#">1/f噪声 60Co γ射线')" href="#">⁶⁰Co γ射线 界面态     

硼掺杂对四面体非晶碳膜电导性能的影响

以单质硼和高纯石墨的混合粉末压制成型的靶材作为靶源,采用过滤阴极真空电弧技术制备不同硼含量的掺硼四面体非晶碳膜.分别采用四探针法、阻抗分析仪和电化学界面对薄膜的变温电导率、I-V特性和C-V特性进行了测试和研究.实验结果表明,当B含量由0增加至6.04 at%时,薄膜的室温电导率先逐渐增大而后逐渐减小,相应薄膜的电导激活能先逐渐减小而后逐渐增大,并在2.13 at%时分别出现最大和最小值1.42×10^-7S/cm和0.1eV.此外,掺硼四面体非晶碳/n型硅异质结的I-V曲线表现出典型的整流特性,表明p-n结二极管已经形成,且结两端的掺杂能级在空间上连续统一. 关键词： 四面体非晶碳 电导率 I-V曲线')" href="#">I-V曲线 C-V曲线')" href="#">C-V曲线     

原子力显微技术研究ZnO纳米棒的压电放电特性

在原子力显微镜的接触扫描模式下,研究了半导体ZnO纳米棒的压电放电特性.采用两步湿化学法制备沿c轴择优生长的ZnO纳米棒阵列;利用镀Pt探针接触扫描ZnO纳米棒获得峰值达120 pA电流脉冲,脉冲持续时间可达30 ms,电流脉冲与纳米棒的形貌存在对应关系.镀Pt探针与ZnO纳米棒接触形成肖特基二极管,I-V特性研究表明放电的ZnO纳米棒压电电势必须大于03 V,以驱动肖特基二极管并输出电流;放电时肖特基二极管的结电阻达吉欧(GΩ)量级,是影响压电电势输出的主要因 关键词： ZnO 纳米棒 压电放电 肖特基接触     

非均匀相互作用MAS边带的抑制

在本文中,我们用Bessel函数展开法从理论上分析了非均匀相互作用产生的MAS旋转边带以及消除这些旋转边带的各种方法,从而指出当相互作用强度与转速的比值大于2时,对于最常用的TOSS方法来说会产生严重的谱失真。本文还对现存的各种抑制边带的方法作了实验比较。     

描述高自旋弱耦合系统的广义积算符

本文提出了Z算符与角动量积算符相结合的广义积算符,用于描述高自旋弱耦合系统NMR实验谱。给出了高自旋系统在自旋耦合作用下的演变公式,Z算符在脉冲作用下的变化公式。以氘(D)为例,计算了重聚INEPT,DEPT和同核COSY实验谱,并对计算方法作了讨论。     

一维扩展t-J模型中密度-自旋相互作用诱导的相分离

t-J模型是研究高温超导电性的重要理论模型之一. 最近的冷分子实验表明可用极性分子模拟t-J模型. 实验模拟的t-J模型除了引进长程的偶极相互作用外, 还引进了密度-自旋相互作用. 本文使用密度矩阵重整化群方法研究了密度-自旋相互作用对一维t-J 模型基态性质的影响. 选取了t-J模型基态相图中不同相区的三个点, 计算了不同密度-自旋相互作用强度下的粒子数和自旋的实空间分布,以及密度-密度关联函数和自旋-自旋关联函数与相应的结构因子. 计算结果表明, 密度-自旋相互作用强度较弱时, 对系统的性质不会产生定性影响;当其强度足够大时, 系统会进入相分离, 该相分离与传统t-J模型的相分离有很大区别.     

基于氧化锌纳米线的紫外发光二极管

构建了基于n-ZnO纳米线/p-Si异质结的紫外发光二极管.ZnO纳米线准阵列采用水热法生长于重掺p型Si片上.此法简易，反应温度低，易于大规模生产；其产物ZnO纳米线结晶良好，以c轴为优势取向，光激发下的紫外荧光发射很强.二极管的电学接触采用聚合物填充的In阴极或以氧化铟锡(ITO)玻璃紧压形成阴极.它们的I-V特性体现出良好的二极管性质.在正向偏置电压驱动下，构建的发光二极管可稳定发射波长在387nm的较强的近紫外光和较弱的绿光. 关键词： ZnO纳米线 异质结 电致发光 水热法     

CO电子基态P线系跃迁谱线的理论研究

基于微分的思想,结合经典的双原子分子跃迁谱线表达式,提出了预言双原子分子P线系高激发振-转跃迁谱线的新解析物理公式.对于某分子电子体系的某一P支跃迁带,利用实验上获得的一组(15条)精确的跃迁谱线和该跃迁带对应的上下振动态的转动常数(B_υ',B_υ″)的精确数据,该公式不仅可以精确地重复已知的实验跃迁谱线,而且还能预测出实验上难以获得的更高激发态的跃迁谱线数据.利用该公式,研究了CO分子电子基态的(2,0)振-转跃迁带的< 关键词： 双原子分子 发射光谱 P线系')" href="#">P线系 CO     

用探测棒研究颗粒堆中的最大静摩擦力

实验研究了筒仓内颗粒堆中部的竖直探测棒被提拉时受到的最大静摩擦力F.研究发现：当筒仓半径R小于0.040　m时， F随R的增加而减少，当R大于0.045　m时，F几乎不受R的影响. F随颗粒堆高度h变化的实验数据可以用公式F=A［h+B(e^-h/B-1)］拟合，拟合参数A与探测棒横截面形状及备制颗粒堆的流量有关，拟合参数B与备制颗粒堆的流量有关. 关键词： 颗粒物质 静摩擦力 数据拟合     

Jacobi矩阵特征值反问题

研究如下一类Jacobi矩阵特征值反问题:问题IEP:给定两个互异实数λ,μ(λ<μ)和两个n维非零实向量x,y,求n阶Jacobi矩阵J,使得(λ,x),(μ,y)分别恰是J的第i,j(i≠j)个特征对。还分析了Jacobi矩阵的特征性质,给出了一个特征对恰是Jacobi矩阵J的第i个特征对的充分必要条件,由此导出了问题IEP有解的充分必要条件。     

向前台阶分离流的数值模拟

本文利用文献[1~3]中提出的差分格式,数值求解了二维向前台阶分离流的问题。着重研究了流体粘性和流体可压缩性对流动的影响。给出M=0.2,0.8,2.3,Re=720和M=2.3,Re=72,720,7220的流动结果。在M=0.8,Re=720流动中计算结果给出了台阶后有一个小分离泡的现象。所得M=2.3,Re=7220的计算结果和文献[5]中的实验结果进行了比较。     

一种直接测量W-J参数的实验方法

本文探索了一种直接测量W-J参数的方法. 实验选用NaCl作为试样, 在快速压缩过程中原位测量样品的温度和压力的变化值. 通过温度修正使测量值在原理上更符合等熵压缩过程的结果, 并采用大幅度增压结合中值定理得出中点压力处温度随压力的变化率, 进而根据R=(P/T) (∂T/∂P)_S关系式求出W-J参数, 整个过程没有引入其他参数. 此外, 作为对比, 我们还从相关的物态方程、经验公式和已知参数出发计算了NaCl的W-J参数及其随压力变化的关系. 结果表明: 实验测得的NaCl的W-J参数随压力增加而增加; 实验结果与计算值符合得很好. 这说明快速增压直接测量物质的W-J参数是一种可行且可靠的方法. 关键词： NaCl W-J参数 快速增压 高压     

基于Alq3的有机发光器件的发光特性

以Alq₃作为发光层,在OLED串联型制作系统上成功制备出ITO/TPD/Alq₃/LiF/Al结构的有机发光器件,并建立了一套OLED电流(J)、电压(V)、亮度(B)自动测试系统,在氮气和空气环境下测试并分析了OLED的发光特性。结果表明,基于Alq₃的双层OLED的正向J-V特性可以用陷阱电荷限制流来描述;反向工作时,低压下的反偏电流可能是针孔产生的漏电流,高压下反偏OLED的J-V特性应满足F-N隧穿机制。随着电流进入快速增长阶段,B-J曲线近似地呈线性关系;在低场下,发光效率随电压升高而增大,在高场下,发光效率随电压升高而减小。实验中,还观察到了在电压V=4V左右时,器件具有明显的负阻特性(NDR),进一步的分析表明,由针孔引起的丝状电流可能是负阻特性的成因。     

AlAs相变及热动力学性质的第一性原理研究

利用基于密度泛函理论的全势能线性糕模轨函法研究了闪锌矿（B3）,NiAs（B8）和岩盐（B1）结构的AlAs的相变、结构性质以及热动力学性质.对B3-B8和B3-B1结构的能量体积曲线做公切线,得到了B3→B8相变压力为5.44 GPa,并预测到B3→B1相变压力为6.46 GPa.同时计算了高压下B8相的结构性质,结果显示当V/V₀≈0.7—1.05时,c/a基本保持恒定（仅有约 0.2%的波动）;当V/V₀≈0.4—0.7,c/a随着V/V₀的减小而近似线性地增大.通过状态方程拟合,得到了AlAs的相对体积V/V₀与压强P的函数关系,B8相的状态方程与实验结果符合很好.最后利用准谐德拜模型得到了AlAs的体弹模量B随压力P的变化关系以及不同压强下热容C_V与温度T的关系. 关键词： 相变 热力学性质 第一性原理     

20—50MeV O5+离子引起Au的L壳层X射线产生截面研究

在北京13 MV串列加速器上利用20—50MeV O⁵⁺离子研究Au的L壳层X射线产生截面. 实验结果表明σ（Ll）/σ（Lα） ,σ（Lβ）/σ（Lα） 和σ（Lγ）/σ（Lα）与EＣＰSSR理论计算结果符合比较好.在实验中由于较高的能量,在能量点存在能移现象. 关键词： 产生截面 ECPSSR X射线     

时间分数阶亚扩散方程的高阶差分方法

提出两差分格式求解时间分数阶亚扩散方程.两个格式都是绝对稳定的,收敛阶均为O(τ^q+h²),其中q(q=2-β或2)与方程解的光滑性有关,β(0 < β < 1)是分数阶导数的阶、τ和h分别是时间和空间方向步长.数值实验验证了理论结果的正确性,并与其他方法进行比较,显示了本文方法的有效性和精确性.     

纳米颗粒与纳米块材摩尔定压热容的理论计算

探讨了纳米颗粒和纳米块材摩尔定压热容 C_P(T)的理论计算方法,提出了利用纳米颗粒的熔点数据来计算纳米颗粒的德拜(Debye)温度、体膨胀系数和C_P(T)的理论公式,以铜纳米颗粒为例,C_P(T)的理论计算值与实验值符合较好;提出了纳米块材的Debye温度随块材密度变化的关系式,随着块材密度减小,Debye温度降低;铜纳米块材C_P(T)的理论计算值与实验值也符合较好;纳米块材的体 关键词： 纳米颗粒 纳米块材 C_P(T)')" href="#">摩尔定压热容C_P(T) 德拜温度     

二维旋转边带分解实验

描述了一类新的二维旋转边带分解实验,准备期包括交叉极化、若干个以TOSS序列的延迟加上的π脉冲和一个π/2脉冲,混合期包括一个π/2脉冲和一个TOSS序列,在演化期内,磁化矢量位于z方向。本实验能给出完全分解的各向同性化学位移与各向异性化学位移,它与Kolbert等人^[5]的实验方法相互补充。