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利用精确的鞍点变分波函数和鞍点复数转动方法,计算了C+离子五电子原子系统内壳激发共振态1s2s(3S)2p32,4P°,2,4D°的俄歇能量和俄歇分支率,考察了俄歇跃迁的收敛性,对300 keV C+离子和CH4气体碰撞实验产生的高分辨率俄歇电子谱进行了标定,并指出这些类硼C+离子的内壳激发共振态对253~273 eV范围的实验谱线有重要贡献.本文计算结果与实验数据符合得很好. 相似文献
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采用对甲苯磺酸催化合成N1-烷基-1,2,3-三氮唑和N2-烷基-1,2,3-三氮唑。两种产物均有紫外吸收,但只有N2-烷基-1,2,3-三氮唑有荧光。研究了在N2位和C4位引入不同取代基后化合物的紫外可见吸收光谱和荧光激发发射光谱。结果表明,N2位是甲苯基或C4位是吸电子取代基的荧光强度最高,荧光量子产率高达79%,调节C4位取代基可以更好地提升荧光性能(荧光发射波长300~440 nm,Stokes位移49~70 nm)。N2-烷基-1,2,3-三氮唑良好的蓝紫光荧光性能使其具有潜在应用价值。 相似文献
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利用脉宽为25 ns的脉冲Nd: YAG 532 nm的激光,在1010—1011 W/cm2的强度下,用飞行时间质谱对丙酮团簇的激光电离过程进行了研究. 观察到了较强的Oq+(q=2—4)和Cq+(q=1—4)高价离子信号,这些高价离子 C4+,C3+,C2+,O4+,O3+,O2+的最大概然平动能分别为240 eV,70 eV,30 eV,90 eV,80 eV,40 eV. 高价离子的强度和平动能随激光强度的增大而增大. 我们提出一个多光子电离引发,逆韧致吸收加热-电子碰撞电离模型来解释高价离子的产生.
关键词:
丙酮
团簇
库仑爆炸
高价离子 相似文献
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本文利用基于密度泛函理论的第一性原理研究了不同浓度的Mo掺杂BiVO4的V位的电子结构、光学性质和光催化性能.缺陷形成能的计算结果说明BiMoxV1-xO4(x=0.0625, 0.125, 0.25)三种掺杂体系都是可以稳定存在的.电子结构计算结果表明:BiMoxV1-xO4(x=0, 0.0625, 0.125, 0.25)四种体系的带隙分别为2.123 eV,2.142 eV,2.160 eV和2.213 eV.掺杂BiVO4体系的带隙值均大于本征BiVO4,且带隙随着Mo浓度的增加而增大. BiMoxV1-xO4(x=0.0625, 0.125, 0.25)三种掺杂体系的能带结构全部向低能量区域移动,导致掺杂体系导带底越过费米能级,Mo掺杂BiVO4后具... 相似文献
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利用温和的溶剂热方法合成了具有上转换发光性能的Yb3+-Tm3+和Yb3+-Er3+共掺的纳米NaYGdF4。在该体系中,通过调节Gd3+在基质中的掺杂量可以有效地控制产物的相变、尺寸以及上转换荧光性能。XRD和TEM分析结果表明,Gd3+的掺入在促进NaYF4纳米颗粒由立方相到六方相转变的同时有助于减小其尺寸。上转换光谱研究表明,在Yb3+-Tm3+和Yb3+-Er3+共掺体系中,可通过优化Gd3+的掺杂量来有效提高产物的上转换荧光强度。同时,通过研究Tm3+和Er3+在不同可见光波段的发光强度与泵浦功率的关系探讨了上转换发光的机制。 相似文献