电压反峰对脉冲电容器寿命特性的影响

以金属化聚丙烯膜电容器电压反峰为研究对象,探讨了脉冲电流对电容器寿命的影响机制,通过对电容器在不同电压反峰系数下进行寿命测试,研究了电压反峰系数与电容器寿命之间的关系。研究结果表明:当电压反峰系数在10%~65%时,电容器寿命成指数下降。基于试验结果,通过统计分析的方法,拟合出寿命随电压反峰系数变化的经验公式,可以用来预测不同反峰系数下金属化聚丙烯膜电容器的寿命特性。     

小波消噪与二维相关红外光谱的质量优化

采用小波变换消噪技术首次应用到中药二维相关红外光谱的数据处理中。结果表明 ,经过消噪处理后 ,可以有效地去除噪声对二维相关红外光谱同步图的影响 ,优化谱图的质量。该技术的应用既增强了同步图中的信号峰 ,又分离了消噪前的重叠峰 ;不但提高了谱图的分辨率 ,而且还获得了更多的光谱信息。     

NaI(Tl)谱仪中反散射峰的影响因素研究

本文利用Geant4和分离变量的方法,模拟了衬底材料、以及闪烁体的包装材料对反散射峰计数大小的影响.使用不同衬底材料时,模拟产生的反散射峰与全能峰计数比例、不同材料的饱和厚度值,与实验结果一致.本文还模拟了反散射峰计数随着闪烁体包装材料的厚度,以及闪烁体的长度、横截面积和体积的变化关系,找到了抑制由此产生反散射峰本底的方法.     

抑制NaI(Tl)谱仪中反散射峰的简便实验方法

本文通过控制变量的对比实验方法,系统研究了NaI(Tl)谱仪中反散射峰产生的原因以及影响其大小的因素.结果发现衬底材料、衬底厚度、源仪距、源衬底距、闪烁体的包装材料和闪烁体的尺寸均对反散射峰有不同程度的影响.经过对比分析,找到了几种抑制反散射峰的简便易行的实验方法.     

微分消卷积法提高重迭谱图的分辨率

本文介绍了微分消卷积法的基本原理，通过对模拟谱图与各种类型的实测谱图进行微分消卷积处理，说明该方法能使谱峰宽度减小，从而提高重叠谱图的分辨率，提高了重叠谱图的解析精度。     

Lucy-Richardson迭代解谱在X射线荧光分析的应用

硬X射线调制望远镜是我国第一颗X射线天文卫星,其载荷低能X射线望远镜采用了SCD型探测器CCD236,主要对能量在0.7～13.0 keV的软X射线光子进行观测。卫星发射前,需要对探测器进行详细的性能标定,其中包括能量响应矩阵的标定。能量响应矩阵是能谱分析的关键。CCD236探测器输出能谱并不是观测光源的真实发射谱,而是发射谱与探测器能量响应矩阵的卷积结果。一般可以通过直接反卷积的方法还原光源的真实能谱。解谱过程可以看作是一维成像问题,利用能量响应矩阵与输出能谱进行反卷积解谱。常用的反卷积算法为Lucy-Richardson迭代算法,其利用条件几率的贝氏定理反复进行运算,进而对输出能谱进行反解,得到观测光源的真实发射能谱。通过能量响应矩阵对CCD236探测器的55Fe测量能谱进行解谱。经过解谱,能谱的能量分辨从144.3 eV提升到了65.6 eV@5.9 keV,连续谱成分被明显地抑制,提高了能谱的峰背比。反解能谱由两个半峰全宽很小的（<70.0 eV）高斯峰组成,两成分的强度比为8.4,能够很好地表征真实发射谱的结构。利用这种方法可对材料X射线荧光谱进行解谱,还原材料的荧光谱,提高能谱的能量分辨。反解结果中主要元素各类荧光线通过解谱彼此独立,能谱峰背比很高,可以很好地用于X射线荧光分析中,提高荧光谱的质量。     

Ni+注入n-GaPDLTS谱中Ni杂质能级的识别

在不同条件下退火的Ni+注入n-GaPDLTS谱中观测到表观激活能在0.60～0.70eV范围内的多个多子峰和少子峰。对各样品掺杂层内的能带弯曲及Ni杂质各荷电状态浓度空间分布在DLTS测量的零偏-反偏过程中的变化进行了计算。结合分析实测各能级热发射率数据,对其中起源于NiGa中心的DLTS峰作出了判断。     

金银核壳结构复合纳米颗粒的消光特性研究

利用离散偶极近似(Discrete Dipole Approximation-DDA)算法,从理论上模拟分析了金银核壳结构复合纳米颗粒的消光光谱以及不同核壳厚度、不同介质折射率情况下峰位的变化情况。研究结果表明,随着壳层厚度的增加,复合纳米颗粒的消光谱线先逐渐形成两个与单质金属纳米颗粒相似的消光峰,后又逐渐合为一个半峰宽度较宽的消光峰;在不同介质环境中复合纳米颗粒的消光峰都随着介电常数的增大出现红移;无论是作为核层还是壳层,银对总体消光谱线的作用都要比金强。     

Si(111)7×7清洁表面的总电流谱

用自制的总电流谱仪对Si(111)7×7清洁表面进行了测量,得到A,B,C,D四个谱峰的能量位置分别在真空能级以上2.6,5.2,8.6和12.9eV。样品饱和吸氢后表面峰A消先。用带间跃迁模型对实验结果作了初步分析。 关键词：     

强电场作用下反铁电锆钛酸铅的介电行为研究

采用电滞回线方法和偏置直流电场中叠加小交变电场方法研究了锆钛酸铅反铁电陶瓷材料在强电场作用下的介电行为.测量结果显示，锆钛酸铅反铁电材料的介电常数随外加电场强度呈非线性变化，在反铁电 铁电转变的电场区间形成介电峰.表征极化强度随电场强度变化率的微分介电常数εd峰值出现在反铁电 铁电转换电场强度处，最高达到41000.随着偏置电场增加反铁电向铁电体转变过程中，小信号介电常数εc减小；在电场降低铁电回复成反铁电过程中，小信号介电常数εc增大，小信号介电常数εc峰先于微分介电常数εd峰出现.根据电场作用下反铁电 关键词： 锆钛酸铅反铁电陶瓷 介电行为 强电场条件