共查询到20条相似文献,搜索用时 140 毫秒
1.
利用硅光电二极管探测器,对2008年夏季广东省从化地区和北京昌平地区的自然闪电光辐射信号进行了观测研究,并对获得的312个观测数据进行了统计。得到如下结果:光辐射脉冲峰值为[10.97(5.55)±12.46] mW/cm2,10%~90%光脉冲前沿为[1.14(0.44)±2.02] ms,50%~50%光脉冲宽为[1.44(0.49)±2.07] ms,一次闪电包含的光脉冲数为[3.78(3.00)±2.30]个;将统计结果与FORTE卫星上的硅光电二极管载荷的探测结果进行了对比,光脉冲峰值要大1~2个量级,脉冲宽度要小,符合对闪电光辐射信号传播的物理过程分析。 相似文献
2.
本文通过在不同温度下对金属卟琳系列光子选通光谱烧孔材料的测试,研究了部分有机电子转移型烧孔材料的均匀线宽随温度变化的关系,在30K到70K温度范围内得到了Γhom∝T1.29±0.05的结果. 相似文献
3.
用国产BWS-5kII型皮秒扫描相机测量了北京正负电子对撞机(BEPC)上极端相对论性运动正负电子束团产生的同步辐射光脉冲的时间结构、光脉冲长度与电子束流强度以及射频源电压的关系.当负电子束流强度由2mA增加到30mA时,光脉冲长度由220ps增加到670ps;在20mA电子束流强度条件下,射频源电压由250kV增加到500kV时,光脉冲长度在500ps到700ps范围内变化.测量系统的时间分辨率为30ps;时间刻度误差±15%,触发晃动小于±200ps. 相似文献
4.
本文从理论上分析了低激发密度下,选通光分别为脉冲光和连续光时,孔深随时间的变化,得到可以通过脉冲光烧孔、连续光选通的方法缩短烧孔时间.应用BaFCl0.5Br0.5:Sm2+(2%)进行了实验,分析了单脉冲烧孔的孔深. 相似文献
5.
本文由光谱烧孔的发光动力学方程出发,推导了脉冲光烧孔并选通的情况下量子效率的表达式.在77K下测量了以不同功率的560nm脉冲光烧孔并选通的条件下,孔深随烧孔脉冲数目的变化,验证了烧孔的量子效率与选通光强度的关系.在相同的烧孔条件下测量了BaF(Cl,Br):Sm2+与SrF(Cl,Br):Sm2+的孔深随脉冲数目的变化,验证了量子效率与5DJ-7F0跃迁几率的关系. 相似文献
6.
观测到ψ(3770)衰变到J/ψπ+π—非DD末态迹象.利用工作在北京正负电子对撞机上的北京谱仪探测器在质心系能量3.773GeV附近获取的8.0±0.5pb-1数据样本,共观测到6.8±3.0个ψ(3770)→J/ψπ+π—事例.由此得到的分支比为BF(ψ(3770)→J/ψπ+π—)=(0.59±0.26±0.16)%,其对应的分宽度为Γ(ψ(3770)→J/ψπ+π—)=(139±61±41)keV. 相似文献
7.
利用北京正负电子对撞机(BEPC)和北京谱仪(BES),基于在质心系能量s=4.03GeV的e+e–湮没中,D+s单标记的分析结果,测定了D+s→K0K+和D+s→K0K+衰变的分支比.其结果Br(D+s→K0K+)=(3.02±0.94±0.91)%,Br(D+s→K0K+)=(3.28±1.22±0.94)%与世界平均值在误差范围内一致.用π+,K0K+,K0K+作为单标记,共观测到94±13个D+s事例,测得在e+e–湮没中D+sD–s对产生的截面为σprod D+s D–s=451±63±118pb. 相似文献