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在色噪声间的关联程度受时间周期调制的激光系统中,研究噪声受信号调制情况下的随机共振.用线性化近似的方法计算了光强关联函数及信噪比.具体讨论信噪比随噪声强度、噪声自关联时间、信号频率以及时间周期调制频率的变化关系.发现一种新的随机共振:信噪比随时间周期调制频率的变化出现周期振荡型随机共振;发现广义随机共振:信噪比随抽运噪声自关联时间的变化、随信号频率的变化出现随机共振;同时也存在典型的信噪比随噪声强度的变化而出现的随机共振.而信噪比随量子噪声自关联时间的变化表现为抑制.
关键词:
信号调制
时间周期调制
噪声间关联程度
周期振荡型随机共振 相似文献
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计算了受信号调制的色泵噪声和实虚部间关联的量子噪声驱动的单模激光损失模型的输出光强信噪比.发现信噪比R随泵噪声自关联时间τ、调制信号频率Ω和量子噪声实虚部间关联系数λq的变化均存在随机共振,这种现象扩展了“信噪比R对噪声强度的变化曲线具有极大值”的典型随机共振. 若以Ω为参数,当Ω增加时,R随τ的关系曲线经历了从同时出现共振和抑制到单峰共振,最后到单调上升的变化,呈现多种形式的随机共振.若以τ为参数,当τ增加时,R随Ω的关系曲线经历了从单调上升到同时出现共振和抑制,最后又到单调下降的变化过程.R随λq的关
关键词:
噪声
信噪比
随机共振 相似文献
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对单模激光增益模型的光强方程加入调频信号,用线性化近似方法计算了以δ函数形式关联的两白噪声驱动下光强的输出功率谱及信噪比. 结果表明,信噪比随抽运噪声和量子噪声强度的变化可出现典型随机共振,受调制信号振幅的影响,信噪比随载波信号频率和调制信号频率的变化出现抑制、单调上升、共振、抑制和共振等几种情况.
关键词:
抽运噪声
单模激光
随机共振
调频信号 相似文献
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采用线性化近似,计算了由具有色关联的受偏置信号调制的色泵噪声和色量子噪声驱动 的单模激光增益模型的光强相对涨落,发现相对涨落随噪声强度的变化曲线中存在极小值,分析了偏置信号的强度、周期信号频率、噪声间的互关联强度和互关联时间对曲线的影响; 对单模激光增益模型在偏置信号调制和直接信号调制两种方式下的输出光强相对涨落进行了比较,发现光强涨落与偏置信号的强度密切相关.
关键词:
偏置信号调制
光强相对涨落
线性化近似 相似文献
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采用周期矩形脉冲信号直接调制色噪声作用下的单模激光增益模型,运用线性近似的方法计算得到了模型输出光强的自关联函数和关联时间(Tc),并讨论了光强关联时间随噪声强度和调制脉冲信号的变化关系.研究结果发现:噪声关联程度λ<0时,光强关联时间Tc随噪声强度Q、D及脉冲信号的振幅A的变化曲线均出现了随机共振现象,系统的涨落达到最小,而在λ≥0时,Tc单调变化;在-1<λ<1范围内,Tc随噪声关联时间τ和信号的脉冲宽度θ的变化曲线也均出现了随机共振现象,且随λ的减小,共振现象越明显;Tc随信号周期T的变化却出现了抑制现象,λ越小,抑制作用越强. 相似文献
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We study the discrete Painlevé equations associated to the affine Weyl group which can be obtained by the implementation of a special limits of -associated equations. This study is motivated by the existence of two -associated discrete both having a double ternary dependence in their coefficients and which have not been related before. We show here that two equations correspond to two different limits of a -associated discrete Painlevé equation. Applying the same limiting procedures to other -associated equations we obtained several -related equations most of which have not been previously derived. 相似文献
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研究了反向衬底偏压VB下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生(GMG)电流IGMG特性, 发现IGMG曲线的上升沿与下降沿随着|VB|的增大向右漂移. 基于实验和理论模型分析, 得出了VB与这种漂移之间的物理作用机制, 漂移现象的产生归因于衬底偏压VB 调节了表面电势φs在栅电压VG 中的占有比重: |VB|增大时相同VG下φs会变小, φs 的变化继而引发上升沿产生率因子gr减小以及下降沿产生率因子gf增大. 进一步发现IGMG 上升沿与下降沿的最大跨导GMR, GMF 在对数坐标系下与VB成线性关系, 并且随着|VB|增加而增大. 由于漏电压VD在IGMG 上升沿与下降沿中的作用不同, 三种VD下GMR-VB曲线重合而GMF-VB曲线则产生差异. 增大VD 会增强gf 随VG的变化, 因此使得给定VB 下的GMF变大. 同时这却导致了更大VD下GMF-VB 曲线变化的趋势减缓, 随着VD从0.2 V变为0.6 V, 曲线的斜率s从0.09减小到0.03.
关键词:
产生电流
表面势
衬底偏压
N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 相似文献
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