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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 187 毫秒

1.  半导体超晶格结构参数的X射线衍射运动学理论的计算  
   王玉田 马琳《发光学报》,1992年第13卷第1期
   本文基于X射线衍射的运动学理论,给出了超晶格的结构因子.运用计算机模拟计算技术,成功地解出了超晶格的结构参数.证明X射线运动学理论适用于所有的超晶格结构,和动力学理论同样有效,而且理论计算简单.    

2.  MBE[(GaAs)_l(Ga_(1-λ)Al_xAs)_m]_n/GaAS(001)一维超晶格的X射线双晶衍射测量  
   王玉田《发光学报》,1989年第1期
   本文着重介绍了MBE[(GaAs)_l(Ga_(1-x)Al_xAs)_m]_n/GaAs(001)一维超晶格的X射线双晶衍射测量方法。根据卫星峰的出现,证明超晶格的存在。基于超晶格的台阶模型和X射线衍射的运动学理论,推导出超晶格多结构参数的计算方法。并对X射线双晶给出的其他信息做了必要的讨论。    

3.  MBE[(GaAs)l(Ga1-λAlxAs)m]n/GaAS(001)一维超晶格的X射线双晶衍射测量  被引次数:1
   王玉田《发光学报》,1989年第10卷第1期
   本文着重介绍了MBE[(GaAs)l(Ga1-xAlxAs)m]n/GaAs(001)一维超晶格的X射线双晶衍射测量方法。根据卫星峰的出现,证明超晶格的存在。基于超晶格的台阶模型和X射线衍射的运动学理论,推导出超晶格多结构参数的计算方法。并对X射线双晶给出的其他信息做了必要的讨论。    

4.  Ⅱ-Ⅵ族应变层超晶格的X射线衍射分析  
   李梅  葛中久  关郑平  范希武《发光学报》,1996年第3期
   本文报导了用计算机控制的衍射仪(CuKα辐射)测量的金属有机化学汽相沉淀(MOCVD)方法生长的Ⅱ-Ⅵ族应变层超晶格的X射线衍射曲线,观察到了超晶格结构的多级卫星峰,且卫星峰的强度随角度呈周期性变化.对这种卫星峰形成包络的衍射曲线,用X射线运动学衍射理论进行了分析和讨论,这种讨论有助于理解X射线衍射曲线中卫星峰的形成.同时用光致发光和包络峰宽度的方法估算了样品的结构参数.    

5.  Ⅱ-Ⅵ族应变层超晶格的X射线衍射分析  
   李梅 葛中久《发光学报》,1996年第17卷第3期
   本文报导了用计算机控制的衍射仪(CuKα辐射)测量的金属有机化学汽相沉淀(MOCVD)方法生长的Ⅱ-Ⅵ族应变层超晶格的X射线衍射曲线,观察到了超晶格结构的多级卫星峰,且卫星峰的强度随角度呈周期性变化.对这种卫星峰形成包络的衍射曲线,用X射线运动学衍射理论进行了分析和讨论,这种讨论有助于理解X射线衍射曲线中卫星峰的形成.同时用光致发光和包络峰宽度的方法估算了样品的结构参数.    

6.  双势垒超晶格结构的同步辐射及X射线双晶衍射研究  
   王玉田  庄岩  江德生  杨小平  姜晓明  武家杨  修立松  郑文莉《物理学报》,1996年第45卷第10期
   利用高精度的X射线双晶衍射和同步辐射散射对可用于半导体红外探测器的双势垒超晶格材料进行了研究,并运用X射线衍射动力学理论进行模拟计算,得到了与实验结果符合得很好的理论曲线.同时发现包络函数节点处的卫星峰对结构参数的变化极为灵敏.以此进行模拟计算,可准确地确定出样品的结构参数,厚度误差范围为±0.1nm.并利用X射线衍射运动学理论对实验中观测到的卫星峰调制现象给予了解释    

7.  高完整Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格的X射线双晶衍射研究  
   田亮光  朱南昌  陈京一  李润身  许顺生  周国良《物理学报》,1991年第3期
   本文用X射线双晶衍射技术对分子束外延生长的Ge_xSi(1-x)/Si应变超晶格的结构参数进行研究,分别采用X射线运动学理论和动力学理论对超晶格的双晶摆动曲线进行计算模拟,得出超晶格的全部结构参数;并对这两种理论计算模拟的结果进行比较,发现这两种理论计算的结果基本一致,只是在细微结构上略有差别,对高完整Ge_xSi(1-x)/Si超晶格,用动力学理论计算的曲线更接近于实验曲线。    

8.  Ba TiO3/SrTiO3超晶格Bragg衍射及其理论模拟  
   崔树范  罗光明  于文学  陈向明  刘翠秀  李明  麦振洪  吕慧宾  陈正豪  贾全杰  郑文莉  姜晓明《中国物理 C》,2001年第25卷第Z1期
   用X射线全外反射掠入射衍射和通常Bragg衍射,研究了Ba TiO3/SrTiO3(BTO/STO)超晶格的界面应变.X射线衍射动力学理论用于模拟Bragg衍射.发现与一般半导体外延膜或超晶格不同,BTO/STO超晶格的垂直和水平晶格常数的关系不完全遵守四方畸变的规律.这种偏离可能与钙钛矿型氧化物材料的结构复杂性有关.    

9.  半导体应变超晶格结构与界面的X射线双晶衍射研究  
   朱南昌  李润身  许顺生《物理学报》,1991年第40卷第3期
   本文应用X射线在畸变晶体中的动力学衍射理论,分析了超晶格衍射峰强度分布的规律,计算了应变超晶格中界面变化,层厚波动对双晶摇摆曲线的影响,并初步探讨了超晶格衍射峰之间的小峰消失以及衍射峰宽化的原因,研究表明,衍射峰强度分布依赖于超晶格周期中层厚、成份及应变的综合效果,界面和层厚波动将对摇摆曲线产生一定影响,而晶格弯曲是使衍射峰宽化的主要原因。    

10.  利用一维原子链模型研究薄膜瞬态结构变化  
   郭鑫  李明华  李毅飞  陶梦泽  王进光  李大章  辛建国  陈黎明《物理学报》,2017年第66卷第18期
   对于晶格结构响应的仿真与实验有助于我们理解激光激发引起的动态过程.利用一维原子链模型研究了激光加热后由于温度分布不均匀性产生的热应力对晶格的影响,该模型的计算结果与使用超快X射线衍射获得的实验结果相符合.该模型为研究光激发金属以及半导体等材料的超快晶格动力学提供了理论分析基础.    

11.  高完整GexSi1-x/Si应变超晶格的X射线双晶衍射研究  
   田亮光  朱南昌  陈京一  李润身  许顺生  周国良《物理学报》,1991年第40卷第3期
   本文用X射线双晶衍射技术对分子束外延生长的GexSi1-x/Si应变超晶格的结构参数进行研究,分别采用X射线运动学理论和动力学理论对超晶格的双晶摆动曲线进行计算模拟,得出超晶格的全部结构参数;并对这两种理论计算模拟的结果进行比较,发现这两种理论计算的结果基本一致,只是在细微结构上略有差别,对高完整GexSi1-x/Si超晶格,用动力学理论计算的曲线更接近于实验曲线。    

12.  Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的X射线小角衍射分析  
   周国良  沈孝良  盛篪  蒋维栋  俞鸣人《物理学报》,1991年第1期
   用分子束外延生长了23周期的Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格,用计算机控制的衍射仪(Cu K_α辐射)测量了X射线衍射曲线,共观察到13级超晶格结构的衍射峰。超晶格的周期和Ge平均含量可以根据考虑折射修正的布喇格定律得出。用光学多层膜反射理论分析衍射曲线可以确定超晶格的结构参数,第2级衍射峰与第一级峰的强度比对应于超晶格两种材料的相对厚度变化非常灵敏,通过比较实验和计算的I_2/I-1值,可以确定Si,Ge_xSi_(1-x)层的厚度以及合金组份x。用光学多层膜反射理谁计算得到的衍射曲线与实验曲线趋于一致。    

13.  高分辨X射线双晶衍射技术在半导体薄膜材料研究中的应用  被引次数:4
   麦振洪《物理》,1992年第21卷第3期
   本文介绍了X射线双晶衍射技术的原理和对半导体外延膜的检测;对普遍关心的衬底与外延膜的 点阵失配、膜厚和成分及其变化的测定、衬底和外延膜完美性的检测以及超晶格结构和非常薄的外延膜 的评价等作了扼要的综述.    

14.  应变弛豫InGaAs/GaAs超晶格的X射线双晶衍射及形貌研究  被引次数:1
   李建华  麦振洪  崔树范《物理学报》,1993年第42卷第9期
   应用X射线双晶衍射及双晶形貌术,对应变弛豫的InGaAs/GaAs超晶格作了研究,通过对双晶衍射摇摆曲线的计算机模拟,得到了超晶格的结构,应变弛豫机制,弛豫比,超晶格层与衬底的取向差等重要参数。从双晶形貌,得到了超晶格与衬底界面处和超晶格中的位错分布。    

15.  双势垒超晶格结构的同步辐射及X射双晶衍射研究  被引次数:2
   王玉田 姜晓明《物理学报》,1996年第45卷第10期
   利用高精度的X射线双晶衍射和同步辐射散射对可用于半导体红外探测器的双势垒超晶格材料进行了研究,并运用X射衍射动力学理论进行模拟计算,得到了与实验结果符合得很好的理论曲线。同时发现包络函数节点处的卫星峰对结构参数的变化极为灵敏。    

16.  北京同步辐射装置X射线衍射实验站在材料科学研究中的应用  
   王德武  刘建飞《中国物理 C》,1995年第19卷第5期
   简述了北京同步辐射装置X射线衍射实验站的实验装置,工作性能.利用X射线衍射仪开展了非晶周期多层膜、半导体超晶格结构研究,测量了Si3N4材料残存应力微区分布.    

17.  X射线三晶衍射及其应用  被引次数:3
   李超荣《物理》,1994年第23卷第1期
   X射线三晶衍射由于同时采用了单色器和分析器,因而能区分样品中由完美晶体部分对X射线的动力学衍射和由缺陷部分引起的运动学散射,还可把晶体中晶格常数的变化和晶格取向缺陷区别开,并可测定倒易点附近X射线散射强度的二维分布图。近来,X射线三晶衍射技术广泛应用于研究晶体的表面和界面精糙度、表面损伤、晶体内的微缺陷以及精确确定外延膜的结构参数等。此外,还简要地介绍了X射线三晶衍射的技术、原理和应用。    

18.  InAlAs/InGaAs/InP异质结构的X射线双晶衍射研究  
   麦振洪  王超英  吴兰生  江潮  周钧铭《中国科学A辑》,1994年第37卷第1期
   本文应用X射线双晶衍射技术结合X射线衍射动力学理论的计算模拟,研究了MBE生长的InGaAs/InAlAs/InP异质结结构材料的外延层生长条件与层厚、成分的关系,X射线双晶衍射形貌图表明:衬底和外延膜存在位错和沉淀物等缺陷,衬底的不完美性直接影响外延膜的质量,文中还应用X射线衍射动力学理论对所观察到的沉淀物衬度进行解释,指出沉淀物周围点阵受张应变场。    

19.  X射线衍射进展简介  被引次数:2
   解其云  吴小山《物理》,2012年第41卷第11期
   100年前,劳厄等证明X射线对硫酸铜晶体具有衍射能力,揭开了X射线衍射分析晶体结构的序幕.100年的发展,X射线衍射已经成为自然科学乃至医学、考古、历史学等众多学科发展的必备技术.文章介绍了X射线衍射现象的发现历史,X射线运动学和动力学理论的发展概况,并举例说明了X射线衍射在粉末多晶体、单晶体和人工功能晶体以及人工薄膜材料中的具体应用情况,最后简要展望了X射线衍射技术的发展前景.    

20.  磁性超晶格的研究  
   赵见高  马小丁  杨林原《物理》,1988年第6期
   科学的新发展常常以技术的进步为先导.正是由于薄膜技术的高度发展,人们可以逐个原子层地制备薄膜和控制薄膜的生长,从而激发起科学家们去研究人造超晶格的结构.所谓超晶格是指几种不同材料按一定厚度作周期性交替生长的多层薄膜结构。 一、历史概况 超晶格的研究首先是从半导体材料开始的(譬如 GaAs/AlAs).近年来对非晶态半导体也作过超晶格研究,如1983年美国EXXON公司的B.Abeles和 T.Tiedje[1]介绍的非晶 a-Si:H/a-SiNx:H等.近年来人们对金属超晶格进行了研究[2].过去,人们也曾无意识地研究过金属多层膜问题,如早期从X射线角度研…    

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