直链烷烃结构型和凝聚型性质的递变规律研究

用图示法和非线性规划的方法对直链烷烃同系物最高成键分子轨道能级、最低成键分子轨道能级,电离电位,氧化半波电位,正常沸点,正常熔点、临界压力、临界温度、密度、折光率、表面张力和粘度和１２种结构型性质和凝聚型性质的变化规律进行研究,结果发现,直链烷烃结构型性质和凝聚型性质一般能遵守同系对数递变规律,各种结构型性能和凝聚型性能均与对数递变函数呈优良的相关性,相关系数均大于０．９９,用同系对数递变规律对直     

直链烷烃物理性质递变规律研究

以直链烷烃同系物结构重复单元数值连续变化为模型假定,获得了描述直链烷烃同系物物理性质递变规律的数学表达式：P=α+bn^(1/c),其中α、b、c均为常数,n为结构重复单元数值,P为直链烷径同系物的物理性质。通过非线性回归分析,得到回归方程,结果表明直链烷烃同系物的物理性质与重复单元数值之间满足上述关系式,均显示优良的相关性。     

Rb3C60超导薄膜的电输运性质

在成功制备Ｃ６０外延薄膜的基础上，我们又尝试了碱金属Ｒｂ对该膜的掺杂。结果表明，从室温至８０Ｋ左右，Ｒｂ３Ｃ６０薄膜的电阻温度系数大于０，并近似符合公式：ρ（Ｔ）＝ａ＋ｂＴ＾２，与单晶样品一致。但是，当温度低于８０Ｋ以后，出现了弱的对数局域。在５Ｋ、零场下，样品的Ｊｃ值一般为１０＾３－１０＾４Ａ／ｃｍ＾２，且有如下规律：Ｊｃ（Ｔ）＝Ｊｃ（０）（１－Ｔ／Ｔｃ）＾ａ，α＝１．３－２．０。此外，我们还测     

高功率808nm InGaAsP—GaAs分别限制结构的半导体激光器

介绍了研究分别限制结构ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术，基于量子阱结构的ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ激光器，可用短时间液相外延技术制造。在ＧａＡｓ衬底上制成的ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ分别限制结构的激光器，主要参数如下：发射波入λ＝８０８ｎｍ，阈值电流密度Ｊ＝３００Ａ／ｃｍ＾２，对于条宽ω＝１００μｍ的激光器，连续功率为１－２Ｗ。     

齐次平衡法求解非线性SCHR绑DINGER方程

用齐次平衡法求解了非线性Ｓｃｈｒｄｉｎｇｅｒ方程ｉφｔ＋ａ１φｘｘ＋ａ２φ－ａ３｜φ｜２φ＝０,并讨论了解与方程系数的关系。     

分子转动惯量与正烷烃熔沸点的预测

在分子转动模型基础上,以半经验分子轨道（ＡＭ１）方法计算分子的转动惯量及其它结构参数,获得１５个正烷烃的沸点和熔点的多元线性回归方程。其中正烷烃的沸点与短轴转动惯量（ｃ）和碳原子数（ｎ）相关（ｂｐ＝－１４７．－０．０１１８９ｃ＋３６．１７ｎ,Ｒ＝０．９９８５,ＳＤ＝６．９７）,而熔点与分子的长轴转动惯量（ａ）、短轴转动惯量（ｂ,ｃ）及重定向能（Ｅ）相关（ｍｐ＝－２６０．３＋１５．７０ａ＋１９．７４     

具有Keggin结构的多元杂多化合物的合成与光谱研究

本文合成了一些具有Ｋｅｇｇｉｎ结构的Ｐ－Ｖ－Ｍｏ－Ｗ四元杂多阴离子「ＰＶｘＭｏｙＷ１２－ｘ－ｙＯ４０」＾（３＋ｘ）－的化合物（其中,ｘ＝１,２和３）,并对其进行红外和拉曼光谱研究,可看到化合物的νａｓ（Ｍ＝Ｏｄ）、νａｓ（Ｍ－Ｏｂ－Ｍ）和νａｓＭ－Ｏｃ－Ｍ）的红外伸缩振动峰随着Ｖ原子数目的增加而红移;而钨原子数目的增加一般使之蓝移,但在所研究的ＰＶ２Ｍｏ９Ｗ和ＰＶ３Ｍｏ８Ｗ杂多化合物却出现略为反常     

四氯合铜酸苯铵盐的结构及其红外与拉曼光谱研究

制备了四氯四铜酸苯铵盐（Ｃ６Ｈ５ＮＨ３）２ＣｕＣｌ４单晶，Ｍｒ＝１８７．２６，由四园衍射数据确定了晶体结构，晶体属单斜晶系，空间群Ｐ２１／ａ，ａ＝０．７１８４（１），ｂ＝０．７４４８（２），ｃ＝１．５０７０（４）ｎｍ，β＝１００．６７（２）°，Ｖ＝０．７９２４ｎｍ＾３，Ｚ＝２，Ｄｘ＝１．６５０ｇｃｍ＾－３，（Ｍｏ，Ｋａ）＝０．０７１０６９ｎｍ，μ＝４．０５６ｍｍ＾－１，Ｆ（０００）＝３８９，Ｒ＝０     

用同位素替代方法识别化合物ABPO_5(A=Ca,Sr,Ba)的内振动模

用同位素替代方法识别化合物ＡＢＰＯ５（Ａ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）的内振动模张昊施颖朱恪刘玉龙刘竟青赵铁男梁敬魁（中国科学院物理研究所北京１０００８０）ＶｉｂｒａｔｉｏｎａｌＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙＳｔｕｄｉｅｓｏｆＩｎｔｅｒｎａｌＭｏｄｅｓｏｆＳｔｉｌｗ...     

A3M2Ge3O12石榴石体系中Cr3+离子的宽带发射光谱

首次报告在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２∶Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ２＋,Ｃａ２＋;Ｍ＝Ａｌ３＋,Ｇａ３＋,Ｓｃ３＋）锗酸盐石榴石体系中,Ｃｒ３＋离子室温下的红—近红外（Ｒ—ＮＩＲ）宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ３＋→Ｇａ３＋→Ｓｃ３＋和十二面体格位上的Ｃｄ２＋→Ｃａ２＋组成顺序变化,室温下,Ｃｒ３＋离子的４Ｔ２→４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。这是由于晶场强度减弱,阳离子的离子半径增大的结果。在镉（钙）铝和镉（钙）镓锗酸盐体系中,少量Ｓｃ３＋取代八面体上的Ａｌ３＋和Ｇａ３＋时,可使Ｃｒ３＋的Ｒ－ＮＩＲ荧光发射强度增强。