杂质银对氧化锌薄膜气敏光学特性的影响

用反应式射频磁控溅射方法制备了纯氧化锌（ＺｎＯ）薄膜和掺Ａｇ的ＺｎＯ气敏光学传感薄膜。测量了这些薄膜在ＮＯｘ气体中的透射光谱，然后由透射光谱获得了灵敏度的变化规律，发现掺Ａｇ后的ＺｎＯ薄膜对ＮＯｘ气体的灵敏度高于纯ＺｎＯ薄膜，用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）测试了这些薄膜的组分，发现当掺Ａｇ量为５％时灵敏度最高，并结合朗缪尔（Ｌａｎｇｍｕｉｒ）型吸附平衡关系式解释了这些现象，理论和实验结果能很好的相符。     

阴极射线激发下ZnO薄膜室温紫外发光的超线性增长规律

研究了直接溅射ＺｎＯ薄膜在阴极射线激发下紫外光（约３９０ｎｍ）和绿光（约５２０ｎｍ）的发光与激发电子束电流密度的关系。随激发电流密度增加绿光相对下降，紫外光相对增强，使得ＺｎＯ薄膜的发光颜色从绿变蓝紫，ＺｎＯ薄膜绿光随电子束流密度的增长呈亚线性增长，并在不高的束流密度下达到饱和，而紫外发光随电子束流密度呈超线性增长，这是ＺｎＯ薄膜在室温阴极射线激发下紫外受激发光的迹象，是高密度激发下的一种超辐射受     

用扩展长度的半球透镜改善Josephson结与毫米波的耦合

为了改善Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结和ｍｍ波辐射之间的耦合，我们设计了与温度超导薄膜台阶衬底相同介质的ＬＡＯ扩展半球透镜系统。运用积分方程法求解了不同扩展长度之下，ＬＡＯ透镜系统的远场方向图形，据此确定了最佳扩展长度Ｄｏｐｔ。进而，用ＹＢＣＯ薄膜台阶结作为检测元，在有和没有透镜系统时作了实验对比测量，结果表明增加了该透镜系统后，结与１０３ＧＨｚ的信号耦合提高了１４ｄｂ。     

ZnO及其含锌混合氧化物薄膜的充放电性能研究

从充放电性能、晶体结构等方面考察了包括粉末状的ＺｎＯ、脉冲激光沉积方法制备的ＺｎＯ薄膜和含锌混合氧化物薄膜的电化学性质。结果表明,ＺｎＯ粉末制备的电极 的嵌入容量随退火温度的升高而增大,掺他氧化物可以明显改善ＺｎＯ薄膜的电化学性能,在Ａｒ气氛中,基片温度为４００℃时,沉积的靶子成分为Ｚｎ：Ｂ：Ｐ：Ａｌ＝１：１：０．５：０．５（摩尔比）的含锌混合氧化物薄膜具有较高的可逆容量,且循环性能良好。     

Zno-SiO2-Si结构中压电薄膜C轴取向等参数对声表面波的影响

当ＺｎＯ－ＳｉＯ２－Ｓｉ结构中的ＺｎＯ薄膜Ｃ轴取向偏离基片法向时，将对声表面波传播速度，机电耦合系数等参量产生影响。本文对此问题进行了理论分析和数值计算；同时还讨论了本结构中影响声表面波束偏的一些参数。     

双离子束溅射沉积薄膜的光学特性与激光损伤研究

对氧化物薄膜的双离子束溅射沉积作用了系统地实验研究。考察了离子束溅射工艺参数对薄膜光学特性的影响。制备了折射率接近于块材料的ＴｉＯ２和ＺｒＯ２薄膜，显著降低了ＴｉＯ２，ＺｒＯ２和ＳｉＯ２薄膜的光吸收损耗，ＴｉＯ２和ＺｒＯ２薄膜的抗激光损伤阈值得到显著提高。用双离束溅射沉积１．０６μｍ多层高反，是到了大于９９．５％的高反射率，经高温退火处理的双离子束溅射沉积高反膜的抗激光损伤阈值同热蒸发沉积的高反膜     

二氧化钒薄膜的光学特性及应用前景

本文着重介绍二氧化钒（ＶＯ２）薄膜的性质，相变原理，若干制备工艺对ＶＯ２薄膜相变特性的影响并给出ＶＯ２薄膜的应用方向。     

VO2薄膜对TEACO2激光响应特性的实验研究

报道了ＶＯ２薄膜在ＴＥＡＣＯ２激光照射下的相变特性的实验研究，结果表明：对于本文镀制的ＶＯ２薄膜，在偏置温度为５２℃条件下，ＴＥＡＣＯ２激光入射能量密度为１５０ｍＪ／ｃｍ＾２时，可使ＶＯ２薄膜发生相变，响应时间，５０ｎｓ，恢复时间≈２００μｓ。     

光助MOCVD生长ZnSe单晶薄膜

光助ＭＯＣＶＤ生长ＺｎＳｅ单晶薄膜＊赵晓薇范希武张吉英杨宝均于广友申德振（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）关键词光助ＭＯＣＶＤ，ＺｎＳｅ基半导体材料，辐照光强度蓝绿光发射二极管和激光...     

溶胶—凝胶法制备CdS微晶掺杂TiO2／SiO2薄膜及其非线性光学特性

采用溶胶－凝胶方法在普通的载玻片上制备了ＣｄＳ微晶掺杂的ＴｉＯ２／ＳｉＯ２复合薄膜。用正硅酸乙酯、钛酸丁酯、醋酸镉作原料，比较了两种硫化剂：硫尿和硫代乙酰氨的硫化作用。Ｘ射线衍射谱和拉曼光谱揭示了ＣｄＳ微晶镶嵌在ＴｉＯ２／ＳｉＯ２薄膜的玻璃网络中。不同热处理温度、不同热处理时间的吸收光谱表明薄膜中存在着量子尺寸效应。采用Ｚ扫描技术测量了薄膜的非线性吸收及非线性折射率ｎ２＝－４．６７×１０－７ｅｓｕ。     

基于量子尺寸效应的InP纳米内包层光纤研制及放大性

利用改进的化学气相沉积法制作出纳米级InP薄膜内包层光纤；根据氢原子本征能量模型计算了InP微粒产生量子尺寸效应的相对粒径a_B=8313 nm，且由量子尺寸效应计算了不同尺寸粒子的带隙能量以及相对应的光吸收波长；由测试工作系统测试，在906—1044 nm，1080—1491 nm，1524—1596 nm 波段上均有增益；结果表明：当内包层薄膜材料厚度达5—50nm量级时，其能级将发生红移，产生放大性能. 关键词： 纳米包层光纤 量子尺寸效应 光放大     

Fabrication and optical properties of MgxZn1-xO thin films

MgxZn1xO (x ≤ 0.3) thin films have been prepared on silicon substrates by radio frequency magnetron sputtering at room temperature. The thin films have hexagonal wurtzite single-phase structure and a preferred orientation with the c-axis perpendicular to the substrates. The Mg content in the films is slightly larger than that in the targets. The refractive indices of MgxZn1xO films measured at room temperature by spectroscopic ellipsometry (SE) on the wavelength 632.8 nm are systematically decreased with the increasing of Mg content. Optical band gaps of Mg x Zn 1 x O films are determined by the transmittance spectra. With increasing Mg content, the absorption edges of MgxZn1xO films shift to higher energies and band gaps linearly increase from 3.24 eV at x=0 to 3.90 eV at x=0.30.     

电子回旋共振等离子体增强沉积氟化非晶碳薄膜的光学性质

用紫外可见光透射光谱(UV-VIS)并结合键结构的X射线光电子能谱(XPS)和红外谱(FTIR)分析,研究了电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备的氟化非晶碳薄膜的光吸收和光学带隙性质.在微波功率为140—700W、源气体CHF₃∶C₆H₆比例为1∶1—10∶1条件下沉积的薄膜,光学带隙在1.76—2.85eV之间.薄膜中氟的引入对吸收边和光学带隙产生较大的影响,吸收边随氟含量的提高而增大,光学带隙则主要取决于CF键的含量,是由于强电负 关键词： 氟化非晶碳薄膜 光吸收与光学带隙 电子回旋共振等离子体     

溅射制备非晶氮化镓薄膜的光学性能

采用直流磁控溅射方法在不同的氩气-氮气（Ar-N₂）气氛中制备了非晶氮化镓（a-GaN）薄膜. X射线衍射分析（XRD）和拉曼光谱（Raman）表明薄膜具有非晶结构. 通过椭偏光谱（SE）得到薄膜的折射率和厚度都随着氩气分量的增多而增大. 紫外—可见光谱（UV-Vis）的测量得到，当氩气分量R，即Ar/（Ar+N₂），为0%时，薄膜的光学带隙为3.90eV，比晶体GaN （c-GaN） 的较大，这主要是由非晶结构中原子无序性造成的；而当R关键词： 非晶氮化镓 溅射 光学带隙 带尾态     

基于透射光谱确定溅射Al2O3薄膜的光学（已撤稿）

基于反应磁控溅射Al₂O₃薄膜的紫外—可见—近红外透射实验光谱,采用Swanepoel方法结合Wemple-DiDomenico色散模型,方便地导出了Al₂O₃薄膜在200—1100 nm波长范围内的光学常数,包括折射率、色散常数、膜层厚度、吸收系数及能量带隙.研究发现反应磁控溅射Al₂O₃薄膜具有高折射率(1.556— 1.76,测试波长为550 nm)、低吸收和直接能量带隙(3.91—4.20 eV)等光学特性,而且其光学常数对薄膜制备过程中的重要工艺参数——膜层后处理温度表现出强烈的依赖性.此外,在膜层的弱吸收和中等吸收光谱区域内,计算得到的折射率色散曲线与分光光度法的测试结果基本符合,说明本实验中所建立的计算方法在确定反应磁控溅射Al₂O₃薄膜光学常数方面的可靠性. 关键词： 光学常数 Swanepoel方法 2O₃薄膜')" href="#">Al₂O₃薄膜 热处理     

近距离升华沉积CdTe掺Cd薄膜的微结构和电学、光学特性

采用近距离升华技术制备了掺杂Cd元素的CdTe多晶薄膜.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征其微结构，用霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计分析其电学、光学特性.结果显示，适量的掺杂Cd元素可改善CdTe薄膜晶形，显著提高薄膜的电导特性，由弱的p型电导转变为导电性能良好的n型电导，但对光能隙影响不大. 关键词： 近距离升华 CdTe薄膜 掺杂Cd 电学和光学特性     

Thickness-dependent electrical and optical properties of Ge8Sb2Te11 thin films

The amorphous Ge₈Sb₂Te₁₁thin films with varying thickness are thermally deposited on well-cleaned glass substrate from its polycrystalline bulk. Absence of any sharp peak confirms the amorphous nature of deposited films. Thickness-dependent electrical and optical properties including dc-activation energy, sheet resistivity, optical band gap, band tailing parameter, etc. of Ge₈Sb₂Te₁₁thin films have been studied. The optical parameters have been calculated from transmission, reflection and absorbance data in the spectral range of 200–1100 nm. It has been found that optical band gap and band tailing parameter decreases with the increase in Ge₈Sb₂Te₁₁thin films thickness. The dc-activation energy and sheet resistivity decreases while the crystallization temperature of the amorphous Ge₈Sb₂Te₁₁ films increases with the increase in thickness of the films. The decrease of the sheet resistivity has been substantiated quantitatively using the classical size-effect theory. These results have been explained on the basis of rearrangements of defects and disorders in the amorphous chalcogenide system.     

基于透射光谱确定溶胶凝胶ZrO2薄膜的光学常数

基于溶胶凝胶ZrO₂薄膜的紫外/可见/近红外透射实验光谱，采用Swanepoel方法结合Wemple-DiDomenico色散模型，方便地导出了ZrO₂薄膜在200—1200nm波长范围内的光学常数，包括折射率、色散常数、膜层厚度、吸收系数及能量带隙.研究发现，溶胶凝胶ZrO₂薄膜具有高折射率(1.63—1.93，测试波长为632.8nm)、低吸收和直接能量带隙(4.97—5.63eV) 等光学特性，而且其光学常数对薄膜制备过程中的重要工艺 关键词： 光学常数 Swanepoel方法 2薄膜')" href="#">ZrO₂薄膜 热处理     

微波电子回旋共振-化学气相沉积SiN_x薄膜的光学性能研究

研究了微波电子回旋共振－化学气相沉积ＳｉＮｘ薄膜的光学性能，这种ＳｉＮｘ薄膜具有透光谱宽、透光率高的特点，总结了透光谱、折射率、光隙能随微波功率、基片温度的变化关系     

高性能三端口全光纤开关

提出采用２×２和３×３单模光纤耦合器组合成的马赫－陈德尔干涉仪来制作全光纤开关。解决了在连续熔融拉伸两个耦合器组成马赫－陈德尔干涉仪的过程中，由于干涉的作用而无法监视光功率来控制第二个耦合器的分束比的问题。并且由于是连续熔融拉伸，保证了两条单模光纤干涉臂长度的一致，从而提高了单模光纤马赫－陈德尔干涉仪的性能，使得用其做成的三端口压电陶瓷电控全光纤开关具有宽频带的特性，其最小交调达到３０ｄＢ，附加损耗为０．２３ｄＢ。