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通过热释光方法研究了PbWO4(PWO),PWO:Y3+,PWO:Gd3+多晶粉末及PWO,PWO:Y单晶的低温(<300K)热释光现象.多晶粉末中,掺杂Y3+或Gd3+都会大大降低甚至消除200K附近的热释光峰,同时产生新的热释光峰,分别位于125和150K(掺Y掺Gd).这表明掺三价离子除了起到电荷补偿作用以减少Pb3+,O-浓度外,还可以产生新的陷阱能级.对于PWO:Y单晶,掺杂Y3+可以消除253K的热释光峰,即消除较深(~0.89eV)的陷阱,但PWO单晶中较浅的陷阱(~0.42eV)对应130K热释光峰仍然存在,对此进行讨论,它最可能源于氧空位缺陷.根据Pb3+,Gd3+,Y3+的电子库仑势不同,在PWO晶体中替代Pb2+后形成的电子陷阱深度有别(EPb>EGd>EY),从而解释了相应的热释光峰值温度的不同
关键词:
4')" href="#">PbWO4
Y和Gd掺杂
热释光
陷阱 相似文献
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通过透射光谱、光产额(LY)和光致发光等发光性能测试,研究了F,Y双掺钨酸铅(PbWO4 ,简称PWO)晶体的发光性能,并利用热释光曲线和正电子湮没寿命谱对F,Y双掺PWO晶 体中的缺陷种类和变化进行了分析. 结果表明:与未掺杂晶体相比,双掺样品在350nm附近 的透过率大大提高,吸收边向短波方向移动约30nm,光致发光谱中出现位于350nm的发光峰 ,双掺样品的LY(100ns内)为未掺杂PWO的2.7倍左右.晶体中主要存在的缺陷为(WO3)-
关键词:
F
Y双掺钨酸铅闪烁晶体
高光产额
热释光
正电子湮没寿命谱 相似文献
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通过高温固相法在还原气体保护下合成Ba4(Si3O8)2:Eu2+,Pr3+样品及一系列参比样品.分别利用两种模式测得光致发光与余辉光谱.结果显示:光致发光与余辉的发光中心均是Eu2+离子;共掺Pr3+在基质中引入新的俘获载流子的缺陷.热释光与余辉衰减测试表明,与单掺Eu2+所形成的陷阱深度相比,共掺Pr3+导致余辉强度增强是归因于:在浅陷阱区(T1区)的陷阱深度变得更浅.而余辉时间增长是归因于:在深陷阱区(T2区)深陷阱密度大幅度减少.同时发现在不同激发波长下激发,余辉机理中的激发路径归结于以下两种过程.其一:268 nm激发时,是基质中的电子被直接激发至陷阱.其二:330 nm或365 nm激发时,电子从Eu2+基态激发至激发态.随后部分电子通过导带运输被陷阱中心所俘获.因此,余辉强度的不同归结为以上两种载流子俘获路径的不同. 相似文献
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为了分析材料在低温下的陷阱能级,获得更多有关缺陷结构的信息,研制了一套由STM32微控制器为核心的低温热释光发光谱测量系统。设计了低温样品室,采用液氮冷却样品;STM32通过控制加热电流,实现样品以恒定速率升温,从而获得低温热释光发光曲线或三维热释光谱。温度测量范围为85~400 K,升温速率范围为0.1~10 K/s。设计了由STM32控制X射线及紫外光源的驱动电路,用于样品的激发。采用高灵敏度CCD实现对三维热释光谱的测量,采用单光子计数器获取二维热释光发光曲线。利用该系统测试了(Lu,Y)2SiO5:Ce3+(LYSO:Ce3+)单晶闪烁体与SrSO4:Dy3+粉末样品的热释光谱及辐射发光光谱。观察到LYSO:Ce3+在108,200,380 K左右的热释光峰,发光波长位于390~450 nm之间,是明显的宽带峰。在低温下由于基质的自陷激子(STE)发射所形成的发射峰在166 K时发生猝灭。在309 K时,Ce3+发射峰展宽为单一发射峰;SrSO4:Dy3+发光峰温度为178,385 K,发光波长由Dy3+离子的能级跃迁决定,在480,575,660,750 nm处呈现窄带发光峰。结果表明,系统人机交互界面友好,实验数据可靠,智能化程度高,操作简单。 相似文献
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高温固相法合成了Ce3+掺杂的Y3Al5O12(YAG)样品,研究了样品的结构、光致发光和热释发光性质.X射线衍射分析结果表明合成样品为YAG纯相,稀土离子的少量掺杂不改变基质YAG的结构.荧光光谱测试表明在高温空气气氛下Y2.95Al5O12:Ce4+0.05制备过程中存在Ce4+的自还原现象,一部分Ce4+被自还原为Ce3+,导致531nm黄光宽带发射.弱还原气氛下制备的Y2.95Al5O12:Ce3+0.05在紫外光照射后具有黄色长余辉,余辉时间长达35 min.热释光测试表明在Ce3+掺杂的YAG样品中存在热释发光,在弱还原气氛下制备的样品Y2.95Al5O12:Ce3+0.05的热释光随温度变化曲线上有112℃和256℃两个明显的热释光峰;而在空气气氛下制备的样品Y2.95Al5O12:Ce4+0.05的热释光随温度变化曲线上只有128℃一个明显的热释光峰.通过对比研究,热释发光主要来源于YAG基质中缺陷能级所陷俘的Ce3+. 相似文献
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在用阻抗谱研究PbWO4(PWO)晶体的介电特性时发现,掺La3+的PW O晶体中存在典型的介电弛豫现象,它被归因于La3+进入Pb位并与铅空位VPb缔合 成偶极缺陷.这一结果不仅清楚地证明了PWO晶体中铅空位的存在,而且表明阻抗谱测试可以成为PWO晶体微结构研究的有力工具.以阻抗谱测试为主要工具,结合光吸收谱(包括红外谱)和x射线光电子能谱,阐明了在异价掺杂离子(3+,4+,5+以及3+和5+双掺)掺杂的PWO晶体中
关键词:
钨酸铅
偶极缺陷
异价掺杂
退火效应 相似文献
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在 10 5~ 30 0K温区内 ,测量了X射线激发下Ce3+ ∶LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖 (I T) ,在 2 37~30 0K温区内发光强度有特殊的增强结构 ,结合 10 5~ 30 0K温区内热释光的测量 ,证实这种发光强度的增强效应是由于陷阱参与发光过程所导致。通过对热释光曲线的进一步分析 ,得到深度分别为 0 5 1eV和 0 5 5eV的陷阱能级 ,这些陷阱主要源于Ce3 + 取代Sr2 + 所形成的杂质缺陷和基质LiSrAlF6中的F-空位以及Li+ 空位所形成的本征缺陷。 相似文献
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AlL3-L'及AlL3-AlL3'(L=噻吩甲酰三氟丙酮,L'=乙酰丙酮)体系分子间配体交换的19F NMR研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用19F NMR研究了Al(Ttfac)3-aeac、Al(Ttfac)3-Al(aeac)3体系分子间配体交换反应,其中Ttfac为非对称二齿配体噻吩甲酰三氟丙酮),acac为对称二齿配体乙酰丙酮(反应的平衡常数、自由能,发现这一非对称二齿配体金属络合物与对称二齿配体金属络合物体系的配体交换反应平衡时各物种的摩尔分数服从随机统计分布,并讨论了结构与能量及交换反应平衡程度的关系。 相似文献
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(LaO)3BO3中Eu^3+和Sm^3+的光致发光 总被引:4,自引:2,他引:2
研究了紫外光激发下,(LaO)3BO3基质中Eu^3+和Sm^3+的光谱性质,Eu^3+和Sm^3+的电荷迁移激发带及发光强度随组成和结构变化的规律性,并探讨了Eu^3+和Sm^3+自身浓度猝灭的机理。 相似文献
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本文利用平行板电极装置及飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行了多光子电离光谱及飞行时间质谱的研究得到了激光激发波长在390.6nm处硅原子的一个单光子共振峰,获得了该分子在这个波长点处的飞行时间质谱,并据此讨论了四甲基硅MPI可能的机理. 相似文献