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相似文献
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1.
采用φ50.8m (即2 in)YBCO*/YBCO/CeO2 /YSZ/Si多层膜制成的磁通变换器与SrTiO3 双晶上制备的尺寸为10mm×5mm平面式DC-SQUID梯度计构成一个倒装片梯度计 .磁通变换器与平面梯度计之间的耦合系数为0.18.磁通变换器有效地提高了梯度计的磁场梯度分辨率.倒装片式梯度计在白噪声区的磁场梯度分辨率为73fT·cm-1·Hz-1/ 2 ,在1Hz下 ,磁场梯度分辨率为596fT·cm-1·Hz-1/ 2 .在无屏蔽条件下 ,采用该梯度计成功地测得了高质量心磁图 .  相似文献   

2.
用离子束辅助的脉冲激光法,在多晶的金属基底上制备出了较高质量的具有双轴取向的钇稳定氧化锆(YSZ)缓冲层,缓冲层的平面内取向的最小半高宽为19°,垂直于膜面的取向的最小半高宽为4.5°.在其上外延生长的YBCO高温超导膜的临界电流Jc为2.1×105A/cm2,临界转变温度Tc为90K.在优化沉积参数时发现了一些未曾报道的新现象,并分析了其原因.  相似文献   

3.
利用高分辨透射电子显微镜对高Tc YBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7(以下简称为YBCO/PrBCO)超晶格的微结构进行了系统的观察分析,高分辨电子显微象(HREM)表明YBCO/PrBCO超晶格层与层之间具有清晰的衬度,没有界面互扩散,通过HREM象观察,发现衬底表面的原子台阶和缺陷使薄膜最初1—2个晶胞层中出现层错等缺陷,但这些缺陷并没有向薄膜内部扩展,当薄膜厚度超过几个晶胞层后,其结构趋于完整。另外,在HREM照片上还可看出YBCO/PrBCO超晶格的调制周期存在波动,波动范围相当于一个晶胞层厚度,实验结果表明,利用YBCO/PrBCO超晶格研究CuO2面的二维超导电性时,临界温度Tc和临界电流密度Jc的变化不仅与二维CuO2面的失耦程度有关,还会受到各种晶格缺陷的影响,对YBCO/PrBCO超晶格和超薄YBCO膜的输运特性进行理论解释时,必须考虑衬底和晶格缺陷造成的影响。  相似文献   

4.
在有40nm厚的PrBa2Cu3O7过渡层的(100)SrTiO3基片上生长了YBa2Cu3O7超薄膜,典型的厚度为2,6,10个原胞层.X射线衍射表明薄膜取向都是C轴垂直于膜面.原子力显微镜观察发现YBa2Cu3O7超薄膜具有层状和螺旋两种生长模式,并且在6个原胞层的生长阶段观察到螺旋位错,而类似的生长特征并没有出现在PrBa2Cu3O7过渡层中.实验结果表明,在 10个原胞层范围内,薄膜的超导转变温度和临界电流密度对厚度有很强的依赖关系.  相似文献   

5.
本文利用高分辨率透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)对高Jc外延生长YBa2Cu3O7-x超导薄膜的微观结构进行了观察分析.研究发现,薄膜外延程度的好坏与生长工艺和衬底表面的完整性有直接的关系.实验结果表明(100)SrTiO3单晶衬底上外延生长YBa2Cu3O7-x超导薄膜中影响临界电流密度Jc的因素主要有界面过渡区、缺陷和不同的外延取代等.  相似文献   

6.
本文揭示了YBa2Cu3O7-x超导陶瓷材料中微结构特征参量与临界电流密度(Jc)以及Cu-O面行为之间的关系.实验用3个样品的Tc均为90K,但他们的Jc分别为30,300和2000A/cm2.结果表明,l/w≥3晶粒数,含畴晶粒数和平直晶界数这3个微结构特征参量,在YBCO超导材料中起着重要作用.研究结果还表明,这些微结构特征参量与结构中二维Cu-O面的行为密切相关,并且也是解释微结构影响Jc原因的关键.  相似文献   

7.
采用XRD及Rietveld粉末衍射峰形拟合方法对氧化锆的晶体结构及其相变进行了研究 .当掺杂CeO2 和Y2 O3后 ,氧化锆的晶体结构发生了由单斜向四方的转变 .四方氧化锆的空间群为P42 /nmc ,Z =2 ,对于CeO2 ,Y2 O3稳定的ZrO2 其晶格常数分别为a =0 .3 62 6( 5 )nm ,c =0 .5 2 2 6( 3 )nm及a =0 .3 60 2 ( 8)nm ,c =0 .5 179( 1)nm ,单胞中阳离子Zr4+ ,M (M =Ce4+ ,Y3+ )和阴离子O2 - 分别占据空间群的 2b和 4d晶位 ,还从晶体学角度讨论了立方、四方、单斜 3种不同结构的氧化锆之间的相互转换关系 .  相似文献   

8.
激光分子束外延制备高质量的YBCO超导薄膜   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用活化气体做氧源,使生长气压比普通脉冲激光沉积方法(PLD)低2~3个数量级,用激光分子束外延在SrTiO3(100)衬底上制备出临界转变温度Tc0=85~87K,临界电流密度Jc≥1×106A/cm2的高质量YBCO超导薄膜.原子力显微镜(AFM)测得表面无明显颗粒,均方根粗糙度约为7.8nm.在这种薄膜基础上制备的Josephson量子干涉器件(DC-SQUID)具有良好的温度循环稳定性.  相似文献   

9.
报道了一种新的适用于在绝缘衬底上生长金刚石薄膜的方法,利用在直流电压上叠加交流成分,作为微波等离子体的电场偏置,成功地在SiO2衬底上首次实现了>108cm-2的金刚石成核.实验结果表明,金刚石薄膜的成核密度与偏压中交流信号的频率和幅度以及直流信号的幅度存在密切的关系.  相似文献   

10.
研究了用部分熔化法制备T1-1223超导体的工艺,样品的名义组成为(Tl0.5Pb0.5)(Sr0.8Ba0.2)2Ca2Cu3Oy,调整样品中Ba的含量,出现了织构的迹象,经烧结一部分熔化—退火的样品,其磁化电流在77K和1T下大于2×104A/cm2,用这样的样品作原料所制备的Tl-1223复Ag带短样,在77K和0T下,Jc达2.1×104A/cm2,超导带横断面的SEM显微观察表明,在1223相中夹杂了BaPbO3和Sr-Ca-Cu-O相.  相似文献   

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