高含沙水流的水流结构及运动机理

本文在室内水槽试验和天然河流资料分析的基础上,对含有一定细颗粒泥沙(d₅₀<0.01mm)的高含沙水流进行了分析研究.对高含沙水流的类型、宾汉切应力τ_B和刚性系数η的性质、流核与非流核区的水流运动机理和切力分布等都提出了作者的见解,对二维恒定均匀紊流的高含沙水流的流速分布提出了计算公式,公式既适用于高含沙宾汉流体,也适用于清水和高含沙牛顿流体.     

粗颗粒高含沙两相紊流运动规律的实验研究

本文通过在矩形断面水平管道中的输沙试验,研究了粗颗粒二相高含沙水流的流速及含沙浓度分布。在主流区,流速分布遵从对数规律,卡门常数则为利查逊数及浓度的函数。底床附近,流速分布受到升力效应的影响。管道高含沙水流的悬沙浓度分布与明渠低含沙水流大不相同,利用扩散方程求出浓度分布公式,与实测结果符合得很好。     

相似理论和泥沙的垂直分布

本文利用相似性原理处理了二维渠道均匀定常挟沙水流,在湍流脉动速度和含沙量涨落值相似的条件下,我们得到了泥沙垂直于挟沙水流的流动方向的含沙量分布.这个含沙量分布和扩散理论得到的含沙量分布略有差别,而和重力理论得到的含沙量分布则差别较大.     

YBa2Cu3Ox超导体的光谱研究

能带是决定固体特性的头等重要的因素。我们用光谱方法对单相YBa₂Cu₂O_x高T。超导体进行了研究,测量了样品的反射-吸收谱、Raman光谱和荧光光谱.其350和500nm吸收带以及390nm,560nm荧光峰来自晶格中Cu⁺发光中心,是跃迁过程¹A_1g(3d¹⁰)-¹E_g和~3E_g(3d⁹4s¹)。其720nm和860nm荧光峰来自Cu²⁺发光中心,是由于自由离子光谱项²D在八面体晶场、正交晶系晶场中分裂为5个能级之间的跃迁。此外,还有一些光谱可能来自晶格中Cu³⁺发光中心,其481cm^-1和551cm^-1声子对说明了312cm^-1处声子对与电子系统是强耦合。     

C2*d3Πg态的布居反转和弛豫动力学

本文给出了在5—43乇五种不同氩气压力和0.07—1乇钠蒸气压下利用Na+CCl_4反应得到的C₂^*d³Π_g到a³П_u态跃迁的△v=0带序的化学发光光谱。假定C₂^*d³Π_g v=6为优先生成,并然后经碰撞逐渐弛豫到低振动能级,这样就可以计算出C₂^*d³Π_g态的总的脱活速率和振动弛豫速率。计算结果是:在温度为 340℃时,在氩气中其总脱活速率为4.1×10⁶乇^-1秒^-1,振动弛豫速率为2.2×10~6乇^-1秒^-1。在氮气中这两个传能速率则要略高一些。C₂^*d³Π_g态被钠原子猝灭的速率约为10⁷乇^-1秒^-1,约比气动碰撞速率高一个数量级。这是由于发生电荷传递形成了Na⁺C₂^*-中间络合物所引起。     

紧Riemann流形上的第一特征值估计 *

设 M 是紧Riemann流形 ,其Ricci曲率具有负下界 -R(R >0 ) ,d是M的直径 ,证明了其Laplace算子的第一特征值λ1≥π²/d² - 0.52R ,且只要R≤ 5π² /3d² ,就有λ₁≥π²/d² - R/2 .     

关于Monogeny和Epigeny模类

设(S,≤)是严格全序幺半群,M和N是左R-模。记A=[[RS,≤]]。证明了如下结论:(1)如果(S,≤)是有限生成的且对任意s∈S有0≤s,则Epi(_[[R^S,≤]][[M^S,≤]]) = Epi(_[[R^S,≤]][[N^S,≤]])当且仅当Epi(M)=Epi(N);(2)如果(S,≤)是Artinianr ,则 Mono(_[[R^S,≤]][M^S,≤])= Mono(_[[R^S,≤]][N^S,≤])当且仅当Mono(M)=Mono(N).     

循环单列代数的Hall代数

本文在(Z⁺)^nm上引入序<1和<2,通过(Z⁺)^nm与一个有n个单模且不可分解投射模长度为m的循环单列代数R的有限模同构类的一一对应,它们亦可视为后者的序。由此我们证明了循环单列代数的Hall代数等同于它的Loewy子代数,它的有理扩张有一个BPW型的基,且是一个其相伴分次环为进代斜多项式环的((Z⁺)^nm,<2)滤环。本文结论亦可推广到有限域上的管的Hall代数。     

亚纯函数及其导数的唯一性

本文证明了如下结果：设ｋ，ｎ是两个正整数，ａ，ｂ，ｗ是三个有穷复数，满足ａⁿ≠ｂⁿ，ｗⁿ＝１．如果一开平面上的亚纯函数ｆ（ｚ）以及它的ｋ阶导数ｆ^(k)（ｚ）分担两个集合S₁={awⁱ| i=1,2,…, n} , S₂={bwⁱ| i=1,2,…,n}，则ｆ（ｚ）≡ｔｆ^(k)（ｚ），其中ｔⁿ＝１．     

高能离子注入硅形成导电埋层的光学表征

将能量为1.5MeV,剂量分别为1.5×10¹⁵cm^-2和7.5×10¹⁵cm^-2的磷离子注入<100>硅单晶,经1050℃,20s退火形成导电埋层,在500—4000cm^-1波数范围的红外反射谱中,观测到由自由载流子等离子体效应所致的干涉现象,在分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应光学响应的特征基础上,通过计算机模拟红外反射谱,建立了深导电埋层的光学表征方法,应用这种表征方法,获得了导电埋层中的载流子分布、迁移率和高能注入离子的电激活率,模拟计算结果表明红外反射谱对载流子分布形状和模型中参量是敏感的,模拟计算的准确程度是高的,进行了模拟计算的结果与实验结果的比较。