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相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
在电子入射能量300 eV条件下,测量了氮分子在不同散射角下的12—14 eV能区的能量损失谱,散射角范围为2.75°—10.25°。得到了电子态b1u振动能级v’=1—4的散射微分截面和广义振子强度,并通过外推k~2至零的方法得到了b1u及其振动能级v’=1—4的散射微分截面和广义振子强度,并通过外推K~2主零的方法得到了b1u及其振动能级v’=1—4的光学振子强度。所得结果与已发的实验数据和理论结果作了比较  相似文献   

2.
用光学方法测量了O5+离子(4.06~5.31 kev·amu-1)与He原子碰撞引起的200~800nm波长范围的可见光发射谱。分析表明,在O5+与He碰撞中存在着入射离子的单电子俘获激发和双电子俘获激发以及靶原子直接激发过程,并且有较高nl态间的跃迁。经计算得到了各发射谱线的绝对发射截面,并探讨了这些发射截面与入射离子能量之间的依赖关系。  相似文献   

3.
利用固体高分辨核磁共振技术对 4个国家的 6个煤样品进行了研究 ,测得了 1 2个结构参数 ,并与中国煤的参数进行了比较 ,同时进行了煤的谱编辑实验 ,测量了煤的15 N核磁共振谱 .  相似文献   

4.
本文给出用γ共振吸收法测量24Mg核Jπ=2+,11.52 MeV能级总宽度的定量结果。采用质子能量为1.799 MeV的27Al(P,γ)28Si共振反应,从13.320MeV能级退激到第一激发态时,放出11.542MeV能量,分支比为9495。用此γ射线激发吸收核“Mg的11.520 MeV能级,实验发现在相对于质子束128.0°及130.4°处均出现吸收谷点,分别对应于能量为11519.8±0.4 keV及11520.7±0.4 keV能级,两能级相差为900 eV,经过拟合搜索X2值,得到两个能级总宽度分别为22.6±3.4eV与10.0±2.9eV,跃迁到基态宽度Γ0=1.73eV及0.78 eV。本实验给出了11.520 MeV两个分裂能级的准确参数,并进一步显示了γ共振吸收法高能量分辨率的优越性。  相似文献   

5.
纳米硅光学特性的研究 *   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
结合微区Raman谱 ,研究了镶嵌在SiO2 基质中纳米硅的吸收谱和光致发光谱 .观测到了吸收边随纳米硅尺寸的减小而蓝移的现象 .并发现在1.9~3.0 eV的能量范围内 ,纳米硅的吸收系数与能量的关系为一指数关系 ,这可能是间接带隙的特征 .在0.95~1.6eV之间存在次带吸收 ,这归因于包括非晶相在内的纳米硅表面态和缺陷态 .通过发光谱与吸收谱的比较 ,认为声子可能参与了发光过程 .  相似文献   

6.
利用量子理论的微扰论,通过适当选择张量基矢,推导出分子C2v点群的简并三光子跃迁张量图,由近似法首次获得了三光子跃迁偏振比值.实验上用共振多光子电离(RMPI)技术,探测了气相甲苯分子的能量在52630~54050cm-1范围的RMPI(3+1)谱,归属了共振跃迁电子态为3p Rydberg态,对所观测到的4个振动带测量了偏振比,根据理论计算结果对电子态和振动态的跃迁作了对称性归属.  相似文献   

7.
模型为低质量AGB星的热脉冲氢氦混合燃烧模型,并考虑了恒星核心质量随脉冲的变化及星风质量损失的影响.采用了一个从56Fe-210Bi的无分支“s-过程”反应通道及从12C到22Ne的相关核素反应网络,计算了MS星及S星碳氧比(C/O),氟,及“S-过程”重元素的超丰并同观测做了比较 结果表明:对于内禀MS星及S星,氟的核合成与“S-过程”重元素的核合成,是在AGB星氦燃烧壳层进行的两个不同的物理过程,在热脉冲条件适宜时能够同时进行的;核合成产物通过第3次挖掘到达表面,从而使表面碳、氟以及重元素超丰.由于氟的核合成是在一个较窄的温度范围内进行的,因而对温度的变化较敏感.还特别讨论了由此可能产生的观测效应.  相似文献   

8.
使用多靶离子束溅射沉积方法制备出Ag/Si多层膜 .利用原位低角X射线衍射技术和截面高分辨透射电子显微镜观察 5 0~ 30 0℃退火过程中Ag/Si多层膜各亚层间发生的扩散现象 ,并由此分析研究Ag/Si多层膜微观结构变化 ,即Ag/Si纳米颗粒多层膜的形成过程 .计算出Si在Ag亚层中的扩散激活能和频率因子分别为 0 .2 4eV和 2 .0 2× 1 0 -20 m2 /s,纳米Ag颗粒的尺寸约为5nm .  相似文献   

9.
将能量为1.5MeV,剂量分别为1.5×1015cm-2和7.5×1015cm-2的磷离子注入<100>硅单晶,经1050℃,20s退火形成导电埋层,在500—4000cm-1波数范围的红外反射谱中,观测到由自由载流子等离子体效应所致的干涉现象,在分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应光学响应的特征基础上,通过计算机模拟红外反射谱,建立了深导电埋层的光学表征方法,应用这种表征方法,获得了导电埋层中的载流子分布、迁移率和高能注入离子的电激活率,模拟计算结果表明红外反射谱对载流子分布形状和模型中参量是敏感的,模拟计算的准确程度是高的,进行了模拟计算的结果与实验结果的比较。  相似文献   

10.
通过20Ne(p,n)20Na反应,对核天体物理反应中引人注意的20Na衰变作了较深入的研究。发现了20Na的1个新的β+延迟a衰变道,其a能量和相对强度分别为(5896±6)keV和(0.0024±0.0003)kev(以2150 kev a峰强度为100)。同时在实验上观察到了20Na β+延迟16O反冲,并由此推断出了β+延迟低能a衰变,a平均能量约为780kev,相对强度约为1.4。另外,还就此16O反冲和低能a衰变,讨论了低能带电粒子在物质中的能量损失规律。最后还对如何进一步甄别20Na β+延迟低能a衰变提出了新的探测方法。  相似文献   

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