∑e1型Banach空间上C0半群稳定性的谱特征

讨论一类不可分解的∑_e¹型Banach空间上有界线性算子的谱的特殊性质;给出了∑_e¹型Banach空间上一致有界C₀半群稳定性的一个谱特征,并给出稳定性定理的一个应用.     

Hilbert空间上线性算子广义逆A(2)T,S的存在性及其表示式

设H₁和H₂是两个Hilbert空间, B(H₁,H₂)表示从H₁到H₂的所有有界线性算子的集合, T和S分别是H₁和H₂的两个闭子空间. 如果存在线性算子X ∈ B(H₂,H₁)满足XAX=X, R(X)=T, N(X)=S,则称X为线性算子$A$的具有指定像空间T和零空间S的外逆,记为A⁽²⁾_T,S. 该文进一步研究了线性算子广义逆A⁽²⁾_T,S存在的若干等价条件及其性质,建立了算子广义逆A⁽²⁾_T,S的表示形式.     

ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al₂O₃衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al₂O₃固相反应制备了具有ZnAl₂O₄覆盖层的α-Al₂O₃衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl₂O₄薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl₂O₄表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl₂O₄在高温下不稳定. 在ZnAl₂O₄覆盖的α-Al₂O₃衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl₂O₄厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl₂O₄覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.     

Fτ-Coherent 风险度量

该文提出了一个风险度量的新概念,即定义在任意停时 τ上的 F_τ-Coherent 风险度量. 对任一 满足Fatou 性质的F_τ-Coherent 风险调整值度量(即一个F_τCoherent风险度量的负值) ф_т: L^∞ (F) →L^∞ (F_τ) 我们都可以用一个 F_τ-凸概率测度集来给出它的显式表示.同时我们还证明了一个 F_τ-Coherent 风险调整值度量可以用它的可接受头寸集合来表示.     

高压下层状钙钛矿结构锰氧化物Ca3Mn2O7的结构相变

采用金刚石压砧高压装置(DAC),对Ca₃Mn₂O₇的粉末样品进行了高压能散X射线衍射实验. 实验结果表明,由于岩盐层易被压缩,在压力作用下层状钙钛矿结构锰氧化物Ca₃Mn₂O₇的结构不稳定. 在0~35 GPa压力范围内,Ca₃Mn₂O₇晶体结构发生了两次相变. 在1.3 GPa左右,由原来的四方相变为正交相,在9.5 GPa左右,又由正交相向新的四方相转变.     

Woronowicz C*代数交叉积的正则与协变表示

A是Woronowicz C^*代数, G是作用于其上的离散群, 主要证明了它们的交叉积代数A×_αG的正则表示和协变表示都对应于乘法酉算子,同时证明了正则协变的C^*代数也是一个对应乘法酉算子的Woronowicz C^*代数,最后给出了C(SU_q(2)×_αZ对应的乘法酉算子的一个明确表示.     

非线性抛物椭圆方程组的正则解和奇异解

该文用单模方法在Lorentz空间研究了抛物椭圆方程组奇异解和正则解的存在性, 其中初值属于Lorentz空间L^{n/2,∞ ₍}Rⁿ), n≥ 3. 利用时间加权的Lorentz空间, 还得到了其正则解. 此外, 如果初值满足自相似结构, 也得到了自相似解的存在性.     

局部域的K2群中的一类挠元素

证明了(K₂Q_p(z_p))_I=G_p(Q_p(z_p)); 还证明若n|w(Q₅ (z₅)), 则(K₅Q₅(z₅))_n=G₅(Q5₅(z₅)), 这说明对于含有p次本原单位根的p局部域, 如果p|n, 则Browkin猜想一般不成立. 由此提出一个一般猜想. 另外, 否定了Urbanowicz的一个猜想.     

虚二次域整环的K2群的计算

在前人工作的基础上,给出在虚二次域整环的K₂群计算中对例外位的范的界的一种较有效的估计方法,并计算了K₂Z[(1+Ö-43)/2].     

弱 (K1, K2) -拟正则映射的正则性

给出空间弱(K₁, K₂) -拟正则映射的定义, 并以Hodge分解及弱逆Hölder不等式为工具, 得到了其正则性结果：对任意满足 的q1, 都存在可积指数 使得对任意弱 (K₁, K₂) -拟正则映射 都有 即f为通常意义下的(K₁, K₂) -拟正则映射.