ZnO压敏陶瓷中组分工艺对Znï本征缺陷的影响

用导纳谱法,测量ZnO压敏陶瓷中Schottky势垒区的陷阱能级,研究组分、制备工艺对二价填隙锌离子Znï本征缺陷的影响.结果表明,ZnO压敏陶瓷中由于添加剂的多元化,导致制备过程中组分之间反应增强,从而形成本征缺陷的趋向也随之增强;其中那些能分凝于晶界的Bi,Ba添加剂,则对Znï的形成有抑制作用;而过高的退火处理温度,则大大地促进Znï的形成.     

低维C_(60)系统电子结构的研究

本文利用X射线和紫外光电子能谱研究了金属锡衬底上沉积的C_(60)薄膜的电子结构,对于亚单层的C_(60)薄膜,来自C_(60)价带顶部占有的分子轨道(π_(5u和π_(4g))的两个价带峰的宽度与固体C_(60)的谱相比增加了0.3eV,实验结果的分析表明:电子在上述两个π带中的公有化运动是很弱的,固体C_(60)应该被看作是强相关的电子体系,对于厚度接近一个单层的C_(60)薄膜,C 1s芯能级谱的结果表明在低于C 1s主峰22eV处出现了一个很宽的能量损失峰,实验表明该峰可能是来自二维C_(60)薄膜的等离子体损失峰,固体C_(60)中位于C 1s主峰以下28eV处的等离子体损失峰只是在C_(60)薄膜的覆盖度大于两个单层之后才被观察到,这表明上述损失峰并非来自单个C_(60)分子而是来自固体C_(60)。     

重电子化合物LiV2O4的电子结构

用第一性原理的FP-LMTO能带计算方法研究了重电子化合物LiV₂O₄的电子结构. 结果表明, Fermi面附近的导带是由V原子的3d电子形成的宽度为2.5 eV的窄能带,是3 d态在立方晶体场中具有t_2g对称性的子带;它与O的2p轨道构成的能带约有1.9 eV的能隙. 计算得出的Fermi能处电子态密度和线性电子比热系数分别是11.1 (states/eV· f^-1·u^-1.)和26.7 mJ/mol·K². Fermi面处的能带色散具有电子型和空穴型两种,呈现出一种复杂的Fermi面结构. L SDA以及GGA计算表明,LiV₂O₄有一个磁矩为1.13 μB/钒原子,总能比LDA基态低约148meV/f·u.的铁磁性基态. 由目前的能带结构计算的结果无法确定这一类Kondo体系的局域磁矩的来源,表明这一化合物中的重电子行为可能有别于在含有4f和5f稀土的重电子合金中观察到的局域磁矩与传导电子的交换作用机制,其中存在量子相变的可能.     

K3C60单晶膜的同步辐射光电子谱研究

在C60单晶(111)解理面上制备出厚度约30 nm的K3C60单晶膜.利用同步辐射光源,在低温下(约150 K)测量了样品法向发射的角分辨光电子谱.观察到K3C60导带和价带明显的色散.导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰,这些子峰的最大色散超过0.5 eV,并且色散曲线与K3C60的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合,只是子带间隔差异较大.     

Ge/ZnS(111)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究 *

利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnS(111)异质结界面的能带连接问题.芯能级谱显示出Ge原子与S原子在界面处存在反应.利用芯能级谱及价带谱技术,测量了该异质结的价带偏移.对于衬底温度为200℃条件下生长的异质结,其价带偏移为l.94士0.leV;而室温条件下生长的异质结,则为2.23土0.leV该实验结果与一些理论计算值进行比较,符合得较好.     

K3C60单晶膜的同步辐射光电子谱研究

在C₆₀单晶(111)解理面上制备出厚度约30 nm的K₃C₆₀单晶膜.利用同步辐射光源,在低温下(约150K)测量了样品法向发射的角分辨光电子谱.观察到K₃C₆₀导带和价带明显的色散.导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰,这些子峰的最大色散超过0.5eV,并且色散曲线与K₃C₆₀的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合,只是子带间隔差异较大.     

分子轨道的图形理论

本文建议用分子轨道的图形理论,以求共轭分子的本征多项式,从而计算能级。根据文中提出的几条定理,只需画出分子图形和有关的子图形,就可直接写出任何复杂共轭分子的本征多项式.完全省略了久期行列式展开这一步,而这一步运算往往是很复杂的,且迄今未能一般地解决.文中引进半图形,讨论了利用对称性使本征多项式分解因子,从而进一步简化计算,并将MO能级分类;指出了复杂分子能谱中包含有关简单分子能谱的内在原因。全文以直链烯烃,环状共轭分子和合杂共轭分子等类型为对象,给出了很多种同系物本征多项式的一般表达式。     

过渡金属分子氮络合物的化学键理论——兼论氮分子的不同配位方式对分子氮络合物的稳定性及氮原子上电荷密度的影响

本文用HMO理论(采用图论方法)计算了单核、双核和三核分子氮络合物的稳定化能量,电荷密度及键序,得到了下列结论:(1)对于单核和双核分子氮络合物,端基配位比侧基配位稳定,而三核分子氮络合物,在相当宽的能量参数变化范围内,兼有端、侧基配位比只含有端基配位稳定.(2)端点氮原子比中间氮原子带有更多的负电荷.(3)络合物中过渡金属原子的d轨道能级越高,d电子数越多.则氮原子上带的负电荷越多.     

类铍离子双激发态能级和辐射及Auger跃迁率

用组态相互作用方法计算了类铍Ar¹⁴⁺离子高双激发态能级结构及辐射和Auger跃迁率,发现与类氦离子的相应结果有所不同.结果表明这是由于类铍离子中的激发电子偏离了O(4)对称性的缘故.     

求解非线性Schr(o)dinger方程本征值部分和的新算法

计算物理、计算化学与计算生物学涉及诸多粒子系统的电子结构问题的计算,相当一类归结为用“第一原理”从头计算非线性Schrodinger方程本征值的部分和.当原子个数较多时,现用常规的“自洽方法”计算量很大.本文提出的新算法基于变分原理,把求本征值部分和的问题还原为带正交约束的优化问题.对于文中所给的模型问题分析表明,该方法具有计算量小、物理直观、理论严格等优点.