深度热处理ZnO压敏陶瓷的晶界缺陷模型

对650～900℃之间深度热处理ZnO压敏陶瓷的研究表明,在直流偏置电压作用下,漏电流随时间的蠕变曲线呈现峰值,正向伏安特性非但没有退化,反而得到改进.设想是由于热处理时,耗尽层中Zn_i^?向外扩散速度快,以致耗尽层中Zn_i^?浓度迅速降低,结果扩散进入晶界的氧以O′o形式得以在界面积累;原来主要由V''_Zn构成的界面负电荷转变为主要由V''_Zn和O′o共同构成,在偏压作用下O′o发生迁移所致.提出一个适用于深度热处理下改进的晶界缺陷模型,并由正电子寿命谱的实验数据中得到验证.     

ZnO压敏陶瓷中组分工艺对Znï本征缺陷的影响

用导纳谱法,测量ZnO压敏陶瓷中Schottky势垒区的陷阱能级,研究组分、制备工艺对二价填隙锌离子Znï本征缺陷的影响.结果表明,ZnO压敏陶瓷中由于添加剂的多元化,导致制备过程中组分之间反应增强,从而形成本征缺陷的趋向也随之增强;其中那些能分凝于晶界的Bi,Ba添加剂,则对Znï的形成有抑制作用;而过高的退火处理温度,则大大地促进Znï的形成.     

铁中刃型位错芯的电子结构

本文基于弹性应力场理论对位错中心进行了点阵修正,建立了刃型位错芯的初始原子坐标,并以此为基础,用分子动力学方法进行自洽计算,给出了弛豫后的位错芯的原子组态.又从弛豫修正的原子坐标出发,用Recursion 方法计算了体系的电子结构,发现刃型位错导致简并量子态分裂、Fermi能级移动;同时还给出了由形变引起的Fermi能级的变化△E_F(r),并基于△E_F(r)表式计算了位错芯态的电荷分布,预期了位错芯对杂质的俘获作用。     

过渡金属Ni晶界的电子结构

本文基于重位点阵模型,用分子动力学方法弛豫界面原子,给出倾转∑5晶界原子坐标.在此基础上,用递推方法计算了过渡金属Ni的晶态及含晶界态的电子结构,给出了晶界能、键序及原子间相互作用,以及电荷转移信息.同时,定义了界面电子活性.结果表明:预弛豫的∑5晶界是一类可能出现的结构,且有俘获电子的作用.此外,计算还表明,与晶态相比,界面原子间力有减弱的倾向,这意味着界面原子属弱连接结构.     

单层巴基葱的电子结构与几何结构的关系

通过紧束缚近似的计算方法,研究单层巴基葱的电子结构。发展了一种表示巴基葱结构的新方案,以表示所有的正二十面体点群结构的巴基葱。根据它们的几何结构因子,巴基葱的电子结构可以分为两类:一类是准金属球,另一类是宽带隙半导体球。文中还讨论了单层巴基葱电子与几何结构关系的稳定性,指出单层巴基葱的几何结构的方式是决定其电子结构的主要因素。     

金属Ni的电子结构及物理性质

本文依据单原子状态法确定金属Ni的电子结构[Ar](3d_n)^2.69(3d_m)^0.66(3d_c)^5.24(4s_c)^0.25(4s_f)^1.16,计算了势能曲线、晶格常数、结合能、原子磁矩、各种弹性模量、线热膨胀系数和比热随温度的变化。     

SrTiO_3陶瓷晶粒的壳-芯结构及晶格缺陷

用分析电子显微镜发现SrTiO₃晶粒中存在壳-芯结构。进一步研究表明,壳-芯结构是由Pb,Bi的分布不均所致。同时证实,壳-芯处的Pb,Bi分布不同会影响其性能。另外,高分辨晶格象揭示了SrTiO₃晶格中存在局部的八面体共棱现象,这种晶格缺陷在ABO₃型陶瓷结构中尚不多见。     

金属Cu的电子结构和物理性质

本文介绍一种以单原子状态代替单电子状态和以多原子相互作用的势能函数代替Schrodinger方程的方法,以便对金属和合金的结构和性质进行系统的分析。纯金属的原子状态可由若干遵守Pauli不相容原理的基本原子态组成,通过自洽方法确定金属Cu的电子结构是(3d_n)^4.89(3d_c)^4.77(4s_f)^1.34.与这种电子结构相应的多种性质理论值,如晶格常数、结合能、体弹性模量和热膨胀系数随温度的变化都与实验值符合很好。     

低维C_(60)系统电子结构的研究

本文利用X射线和紫外光电子能谱研究了金属锡衬底上沉积的C_(60)薄膜的电子结构,对于亚单层的C_(60)薄膜,来自C_(60)价带顶部占有的分子轨道(π_(5u和π_(4g))的两个价带峰的宽度与固体C_(60)的谱相比增加了0.3eV,实验结果的分析表明:电子在上述两个π带中的公有化运动是很弱的,固体C_(60)应该被看作是强相关的电子体系,对于厚度接近一个单层的C_(60)薄膜,C 1s芯能级谱的结果表明在低于C 1s主峰22eV处出现了一个很宽的能量损失峰,实验表明该峰可能是来自二维C_(60)薄膜的等离子体损失峰,固体C_(60)中位于C 1s主峰以下28eV处的等离子体损失峰只是在C_(60)薄膜的覆盖度大于两个单层之后才被观察到,这表明上述损失峰并非来自单个C_(60)分子而是来自固体C_(60)。     

区熔硅中质子注入缺陷的EPR研究

在质子注入的n型区熔硅中,电子顺磁共振(EPR)测量观察到一个新的缺陷,命名为Si-PK5.该缺陷具有以〈111〉为对称轴的三角对称,其顺磁参数为S=1/2,g_∥=2.0078,g_⊥=2.0174.根据Lee和Corbett 以及Sieverts 提出的缺陷分类法,Si-PK5属键心间隙型结构.此外,还观察到两个文献已报道过的缺陷:Si-S1和Si-S2. 对Si-S2,首先看到由²⁹Si核引起的超精细分裂.