Al-W二元合金机械合金化扩展固溶度研究

用行星式高能球磨机对成分为Al _1-x W_x(x =0 .1 ,0 .2 ,0 .5 ,0 .9)的粉末进行了不同时间的研磨 ,用X射线衍射法和电镜对球磨后的粉末的结构和形貌进行了研究 .实验结果表明 ,球磨后Al在W中的固溶度大大扩展 ,可超过 5 0 % (原子分数 ) .用嵌入原子理论和机械合金化扩展固溶度的理论对实验结果进行了分析 ,理论计算结果与实验相符     

纤维复合材料后微屈曲的理论和实验

后微屈曲是单向纤维复合材料和层状复合材料压缩破坏过程的基本特征。结合Kevlar 49增强648/BF₃·400(脆性环氧)和EP(韧性环氧)基复合材料对后微屈曲的折带扩展进行理论分析和实验研究。理论预测与实验结果达到定性、定量符合,实验展现出扩展折带模式的微屈曲特征。     

纳米复合材料Fex(SiO2)1-x中的界面相互作用和渗透效应对磁性的影响

采用机械合金法制备了纳米复合材料Fe_x(SiO₂)_1-x系列样品 .用X射线粉末衍射 (XRD)、透射电子显微镜 (TEM )、M ssbauer谱和Faraday磁天平系统地研究了该系列样品不同Fe合量和不同球磨时间的微结构和磁性 .实验表明样品的微结构和磁性与球磨时间和Fe含量密切相关 .当样品的Fe含量少于 2 0wt% ,并球磨了 80h后呈现出非常复杂的微观结构 :α -Fe纳米晶粒和Fe团簇镶嵌在SiO₂ 基质中 ,形成α -Fe纳米岛状和纳米尺度的类三明治结构 .Fe-SiO₂ 界面的相互作用和渗透效应、纳米晶的尺寸效应和类三明治的特殊微观结构导致了纳米复合材料Fe_x(SiO₂)_1-x的物理性能的变化     

脉冲激光制备薄膜材料的机理

给出脉冲激光作用块状靶材的烧蚀模型.根据能量平衡原理,导出烧蚀面的位置随时间的变化关系.利用绝热近似、温度连续性条件和能量平衡原理来获得烧蚀面与固液相界面边界条件.结合热传导方程,利用精确解与积分近似法相结合的方案,给出固液两相的温度分布与时间和位置的变化关系,以及固液相界面的位置随时间的变化规律,并将理论结果与实验数据进行比较.由流体动力学理论,得出了脉冲激光产生的等离子体的空间输运方程,将此方程与靶材烧蚀率公式结合起来,根据实验数据研究了不同激光功率密度和波长对KTN(KTa_0.65Nb_0.35O₃)薄膜沉积特性的影响,得到了一些有价值的结果,并对结果进行了详细的讨论.     

弹性圆柱壳扭转屈曲研究

本文给出两端固支的弹性圆柱壳扭转屈曲实验与理论计算结果.实验发现,对于较长的壳,其屈曲后的变形并不占据整个壳体的长度.另外在计算中仅考虑壳体的法向边界条件,而不考虑其周向和轴向边界条件,结果和Yamaki精确解以及本文实验结果相符较好,说明周向和轴向边界条件对圆柱壳的扭转屈曲影响较小.     

表面绕射射线的焦距与扩展因子

用几何绕射理论(G.T.D.)计算导弹及飞行体上的天线的辐射特性,或解决其他绕射问题时,都必须用到表面绕射射线的焦距和扩展因子。现有文献对扩展因子有不同的定义。并且只有部份结果,缺乏系统的数学处理,有的结果还有错误,给应用带来了困难。本文首先求得了任意曲面上绕射射线的焦距和扩展因子的一般公式,然后给出应用上重要的圆柱面、球、圆锥面上二者的结果。这样,本文为曲面绕射的工程应用提供了必要的基础。     

自由面重力流的边界积分方程——反演法

本文对求解自由面重力流提出了一种新的数值方法.在利用Мусхелишвилн.Н,И.学派数学理论的基础上,再通过变换,我们得到了物理平面上的非奇异边界积分方程,从而克服了用解析函数理论研究该类问题时,固壁边界未知待求的困难,为利用解析函数理论研究自由面重力流开辟了新的广阔途径.理论研究和计算表明,本文方法收敛性好、收敛速度快、运算量小,与现有方法相比有明显的优越性.文中计算了挑射水流和闸孔出流,计算结果与实验吻合.     

圆柱薄壳在外压作用下屈曲的边界层理论

本文依据文[14]提供的圆柱薄壳屈曲的边界层理论,以挠度为摄动参数,采用奇异摄动方法,研究了固支圆柱薄壳在侧向外压和静水外压作用下的屈曲和后屈曲性态.本文同时考虑了初始几何缺陷的影响.计算结果与实验结果的比较表明二者是一致的.     

一类扩展Euler和的表示问题

应用Parseval定理和Nielsen广义多重对数函数的性质,给出了非线性扩展Euler和的Riemann Zeta函数表示.对来自于实验数学中的扩展Euler和∑n=1∞H2n/n2的经验公式给出了严格的理论证明.此方法也适用于求其它扩展Euler和的计算问题.     

p型热缺陷补偿的n-Ge在室温下的反常Hall效应和反常电导效应

关于n-Ge室温下的反常Hall效应产生的机理,至今尚未得到解决.我们用热处理的方法,对n-Ge样品进行了p型热缺陷的补偿.实验结果发现,补偿前样品呈正常Hall效应和电导效应,补偿后则变为室温下的反常Hall和反常电导效应.我们围绕这一变化进行了实验和理论研究工作,从这些工作中得出,n-Ge室温下的反常Hall效应产生的机理,是在样品中形成了反型层结构.