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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
方静云  孙庆丰 《物理学报》2022,(12):201-209
石墨烯是一种特殊的二维材料,其独特的能带结构允许人们通过电场来调控其载流子的类型和浓度,因此,在构建双极型纳米电子器件方面具有潜在应用前景.本文基于紧束缚格点模型,利用非平衡格林函数方法及Landauer-Büttiker公式,研究了石墨烯p-n结在磁场中的电输运热耗散问题.在强磁场作用下,结的两边均处于量子霍尔相,存在拓扑保护的手性边缘态.直觉上,这种拓扑保护的手性边缘态应当是无热耗散的.但本文研究发现,当有耗散源时,尽管手性边缘态受到拓扑保护,热耗散却依然可以发生.对于完美的石墨烯,单极结输运时热耗散发生在体系边缘;偶极结输运时在体系边缘和结的界面处均可以发生热耗散.当无序存在时,无论单极结还是偶极结,无序均能增强热耗散.此外,本文还研究了不同位置处的电子能量分布,发现热耗散是否发生只取决于电子是否处于非平衡分布.这些结果表明拓扑只能保护电子的传播方向,却不能禁止热耗散的发生.  相似文献   

2.
一、光阴极的研究进展情况 1.问题的提出 在发展FEL的过程中,对电子束的品质提出了很苛刻的要求,而束流品质是用亮度来表征的,规一化峰值亮度定义为:  相似文献   

3.
光阴极RF腔注入器   总被引:3,自引:8,他引:3       下载免费PDF全文
 光阴极RF腔注入器是一种强流、窄脉冲(ps量级)、低发射度的电子束源。文章给出了CAEP光阴极RF腔注入器的结构和实验结果,结构主要包括驱动激光器、Cs2Te阴极制备室、2.5个RF腔、高功率微波源和测量仪器等,其中驱动激光器的参数是影响注入器电子束质量的重要因素;实验上,该光阴极RF腔注入器可稳定输出能量2MeV、流强70A、发射度~4mm.mrad的高亮度电子束流。  相似文献   

4.
光阴极注入器要求驱动激光器的激光时间抖动小、脉冲宽度窄、激光波长短和脉冲功率高。从原理和实验上介绍光阴极注入器的驱动激光器,包括连续波锁模振荡腔、时间同步,激光脉冲功率放大等;该激光器输出激光微脉冲宽度10ps,微脉冲时间抖动小于2ps,宏脉冲宽度2.5 μs, 峰值功率100kW, 已用于光阴极RF腔注入器实验,并获得了很好的结果。  相似文献   

5.
 光阴极注入器要求驱动激光器的激光时间抖动小、脉冲宽度窄、激光波长短和脉冲功率高。从原理和实验上介绍光阴极注入器的驱动激光器,包括连续波锁模振荡腔、时间同步,激光脉冲功率放大等;该激光器输出激光微脉冲宽度10ps,微脉冲时间抖动小于2ps,宏脉冲宽度2.5 μs, 峰值功率100kW, 已用于光阴极RF腔注入器实验,并获得了很好的结果。  相似文献   

6.
张猛  廖浪 《强激光与粒子束》2014,26(2):025104-299
基于正在建设的大连自由电子激光装置,研究了基因算法在注入器优化设计中的系统应用。与传统的注入器优化方法相比较,基因算法在多变量、多目标注入器优化问题中具有优化效率高、优化结果精确的优势;通过采用权重因子的方法将多目标问题转化为单目标优化问题,大大简化了基因算法优化流程;光阴极注入器对束流稳定性要求严格,通过基因算法优化使束流的到达时间抖动控制到150fs,满足束流稳定性的要求。  相似文献   

7.
基于正在建设的大连自由电子激光装置,研究了基因算法在注入器优化设计中的系统应用。与传统的注入器优化方法相比较,基因算法在多变量、多目标注入器优化问题中具有优化效率高、优化结果精确的优势;通过采用权重因子的方法将多目标问题转化为单目标优化问题,大大简化了基因算法优化流程;光阴极注入器对束流稳定性要求严格,通过基因算法优化使束流的到达时间抖动控制到150 fs,满足束流稳定性的要求。  相似文献   

8.
不同Cs、O电流比激活对GaAs光阴极灵敏度和稳定性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
鉴于不同的铯氧电流激活GaAs光阴极时会对激活过程和结果产生不同的影响,从而影响GaAs光阴极的灵敏度和稳定性.以固定铯源电流,改变氧源电流的方式获取不同铯、氧电流比,激活同类GaAs光阴极,得到了3组实验数据.对数据进行分析,结果表明:同类光阴极在相同条件下激活时,光电流出现的时间几乎一致,并且首个光电流峰值也非常接近;激活时ICs/IO=1.07是目前获得高灵敏度、高稳定性GaAs光阴极的最佳电流比,而ICs/IO=1.10时光阴极灵敏度低但稳定性好,ICs/IO=1.03时光阴极灵敏度高但稳定性差.双偶极层模型认为Cs、O激活后GaAs表面形成了稳定均匀的GaAs-O-Cs:Cs-O-Cs双偶极层,并达到了负电子亲和势,这一点与实验数据的分析结果相一致.该方法可用于提高GaAs光阴极灵敏度和稳定性.  相似文献   

9.
硅p-n结太阳电池对DF激光的响应   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
 对硅p-n结太阳电池在DF激光辐照下的响应进行了理论和实验研究。推导了p-n结反向饱和电流随温度的近似变化关系。根据该近似关系,计算了太阳电池在DF激光辐照过程中输出电压的变化曲线。计算结果和实验结果之间取得了比较好的一致性。  相似文献   

10.
对硅p-n结太阳电池在DF激光辐照下的响应进行了理论和实验研究。推导了p-n结反向饱和电流随温度的近似变化关系。根据该近似关系,计算了太阳电池在DF激光辐照过程中输出电压的变化曲线。计算结果和实验结果之间取得了比较好的一致性。  相似文献   

11.
杨圣雪  龚剑  李京波  夏建白 《发光学报》2013,34(11):1413-1418
设计了由金属硫化物/聚苯胺p-n异质结和紫外光敏材料氧化锌所组成的光敏传感器,通过紫外光照外接氧化锌层来控制金属硫化物/聚苯胺p-n结的耗尽区厚度。与其他报道的光敏材料不同的是,其他光敏材料在紫外光照射下光电导会增加,而该光敏传感器在紫外光照射下光电导会减少。  相似文献   

12.
The magnetoresistance effect of a p–n junction under an electric field which is introduced by the gate voltage at room temperature is investigated by simulation. As auxiliary models, the Lombardi CVT model and carrier generationrecombination model are introduced into a drift-diffusion transport model and carrier continuity equations. All the equations are discretized by the finite-difference method and the box integration method and then solved by Newton iteration.Taking advantage of those models and methods, an abrupt junction with uniform doping is studied systematically, and the magnetoresistance as a function of doping concentration, SiO_2 thickness and geometrical size is also investigated. The simulation results show that the magnetoresistance(MR) can be controlled substantially by the gate and is dependent on the polarity of the magnetic field.  相似文献   

13.
基于p-n结二极管的理想工作状态的基本假定,推导了二极管在交流电下工作时其基区和p-n结分界面附近上的时间常数与二极管空间尺寸、扩散长度、载流子寿命和外加交流电频率等的依赖关系.结果发现高频和低频两种状态下二极管各类特征参量对时间常数的作用不一样.低频条件下,二极管的时间常数由材料本身来决定,与外加电流频率无关.高频情况下,时间常数则与半导体材料性质无关,只由外加交流电的频率来决定.  相似文献   

14.
张磊  邓宁  任敏  董浩  陈培毅 《中国物理》2007,16(5):1440-1444
Effective spin-polarized injection from magnetic semiconductor (MS) to nonmagnetic semiconductor (NMS) has been highlighted in recent years. In this paper we study theoretically the dependence of nonequilibrium spin polarization (NESP) in NMS during spin-polarized injection through the magnetic p-n junction. Based on the theory in semiconductor physics, a model is established and the boundary conditions are determined in the case of no external spin-polarized injection and low bias. The control parameters that may influence the NESP in NMS are indicated by calculating the distribution of spin polarization. They are the doping concentrations, the equilibrium spin polarization in MS and the bias. The effective spin-polarized injection can be realized more easily by optimizing the above parameters.  相似文献   

15.
基于p-n结二极管的理想工作状态的基本假定,推导了二极管在交流电下工作时其基区和p-n结分界面附近上的时间常数与二极管空间尺寸、扩散长度、载流子寿命和外加交流电频率等的依赖关系.结果发现高频和低频两种状态下二极管各类特征参量对时间常数的作用不一样.低频条件下,二极管的时间常数由材料本身来决定,与外加电流频率无关.高频情况下,时间常数则与半导体材料性质无关,只由外加交流电的频率来决定. 关键词: p-n结二极管 时间常数 载流子 分界面  相似文献   

16.
掺杂锰氧化物La0 .9Sr0 .1 MnO3薄膜被直接沉积在n型硅基片上 ,构成p -n结 .这种p -n结在很宽的温度范围内都有很好的整流特性 .研究结果表明 ,这种p- n结的结电阻对低磁场敏感 ,在 3× 10 - 2 T的磁场下 ,磁电阻可达 70 % .磁电阻的正负依赖于温度 .磁电阻的大小可通过加在p- n结上的电压调节 .  相似文献   

17.
Since the discoveries of high Tc superconductors and colossal magnetoresistance, enormous efforts have been devoted to investigating the perovskite oxide materials. The fabrication of artificial crystalline materials through layer-by-layer epitaxial growth with full control over the composition and structure at the atomic level has become one of the most exciting areas of research in condensed matter physics and materials science. In related research, much attention has been paid to the new de…  相似文献   

18.
掺杂锰氧化物La0.9Sr0.1MnO3薄膜被直接沉积在n型 硅基片上,构成p-n结.这种p-n结在很宽的温度范围内都有很好的整流特性.研究结果表明, 这种p-n结的结电阻对低磁场敏感,在3×10-2T的磁场下,磁电阻可达70%.磁 电阻的正负依赖于温度.磁电阻的大小可通过加在p-n结上的电压调节.  相似文献   

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