二维晶格中电子的态密度

从考虑了次近邻原子的耦合及晶格二聚化后的电子能谱出发，计算出二维晶格中电子的态密度。     

Mn掺杂闪锌矿半导体ZnO的半金属铁磁性和光学性质

采用密度泛函理论(DFT)和平面波赝势(PWPP)方法,研究了Mn掺杂闪锌矿半导体ZnO的电子结构、磁性质和光学性质.自旋极化的态密度和磁矩显示Mn掺杂闪锌矿ZnO是一个半金属铁磁体,其在自旋电子学材料中有一定的应用.利用Kramers-Kronig色散关系,对Mn掺杂闪锌矿ZnO的介电函数和折射率进行了研究,根据计算的电子结构和光学性质的内在联系,解释了Mn掺杂闪锌矿ZnO的光学性质的微观机理.     

半导体外延层晶格失配度的计算

比较了晶格失配度的各种定义，建议统一使用同一定义。采用简化模型系统地探讨了各种情况下半导体外延生长层和衬底的二维晶格失配度的计算，最后讨论了结合XRD衍射图谱确定失配度的方法。结果表明，正三角形晶格和长方形晶格匹配，长方形晶格的宽列原子的匹配具有优先性，不受长列原子匹配的影响。长方形的长宽比接近匹配比时,整体匹配较好。     

二元超晶格弹性应力的能带理论计算

根据量子能带理论 ,采用经验赝势方法 ,对 (Pb) n/ (Bi) n,(Al) n/ (As) n 的假想简立方二元超晶格结构的弹性应力进行了计算 .结果表明弹性应力随超晶格周期λ的增加而迅速升高至一定大小后趋于稳定 ,且只有在周期较小时才同过渡金属氮化物超晶格硬度随周期的变化的趋势定性一致 ,为超晶格硬度随周期的变化提供了一种可能的解释     

二元超品格弹性应力的能带理论计算

根据量子能带理论，采用经验赝势方法，对(Pb)n／(Bi)n,(A1)n／(As)n的假想简立方二元超品格结构的弹性应力进行了计算．结果表明弹性应力随超晶格周期λ的增加而迅速升高至一定大小后趋于稳定，且只有在周期较小时才同过渡金属氮化物超晶格硬度随周期的变化的趋势定性一致，为超晶格硬度随周期的变化提供了一种可能的解释．     

超晶格带结构及透射谱

采用转移矩阵方法，研究了一维有限超晶格的电子态与透射问题。计算了一维有限超晶格的子带带隙，以及一维完整有限超晶格中电子的透射谱和一维有限超晶格中含单个缺陷层或少量缺陷层的电子的透射谱。本文给出的方法对于研究电子通过任意排列的一维有限超晶格的透射具有普适性。     

小富勒烯C28在Si(001)-c(2×1)表面吸附的密度泛函理论研究

采用第一原理密度泛函理论方法研究了小富勒烯C28在Si(001)-c(2×1)表面的化学吸附机理.分析了吸附前后基底和富勒烯构型的变化、吸附能、电荷转移以及电子态密度.结果表明C28与Si(001)表面具有很强的相互作用;基底和富勒烯分子发生了晶格松弛和结构扭曲;C28位于Si(001)表面沟渠位置的吸附构型最稳定,吸附能达到5.00 eV;Si(001)表面沉积C28后表面导电性能明显增强.     

超晶格的理论研究

本文用半经验紧束缚法研究了(ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格,计算了其能隙随层厚的变化,其结果能说明超晶格体系的准二维特性,表明(7,7)超晶格已足以模拟异质界面问题,并指出(ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格的禁带中很可能存在界面态。     

基于多体摄动理论的CaO电子能带结构及光吸收谱的研究

使用多体摄动理论研究了碱土金属氧化物CaO的电子激发态和光吸收谱. 运用GW近似方法来改进DFT对电子交换关联的处理, 并计算了CaO电子能带结构. 考虑到电子与空穴的相互作用, 运用二粒子格林函数理论来求解Bethe-Salpeter方程, 计算电子-空穴激发态, 并在此基础上计算光吸收谱. 计算结果CaO能隙为7.0eV, 与实验结果7.1eV符合很好; 并且CaO光吸收谱的理论结果与实验数据也相符合.     

CoH_x的电子结构和磁性

采用原子团模型和离散变分（ＤＶ－Ｘα）方法，计算了ＣｏＨｘ（０≤ｘ≤１）的电子结构和自旋磁矩，确定了钴原子和氢原子之间的电荷转移以及局域磁矩．结果表明掺氢的钴合金中钴原子有部分电荷转移到氢原子上，并且钴原子的磁矩随着掺氢量的增加而随之减小