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一、引言 Nb_3Ge溅射薄膜是一种较新的超导材料,膜中Nb与Ge的比值对材料的性质有影响.分析Nb、Ge含量有原子吸收法,X-荧光光谱法,电子探针及化学分析法等.文献[3]是在9NHCl中,用CCl_4二次萃取Ge与Nb等分离,以消除Nb对苯芴酮(PF)比色Ge的严重干扰.有机相用稀碱溶液反萃Ge,进行比色测定,水相蒸干后,用PAR-酒石 相似文献
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本文报道了用快速多层沉积的CVD方法连续制备Nb_3Ge超导带的初步研究结果.用H_2还原气态的NbCI_4和GeCI_2,在带速为15—23m/hr·的加热基体(Hastelloy B)上沉积出Nb_3Ge.已制出带宽2.5mm、沉积层每边厚5μm、A15 Nb_3Ge含量占大部份的样品,其T_c(起始)达到21.0K,T_c(中点)为19.0K,在4.2K和4T场强下,I_c和J_c(Nb_3Ge)分别为115A和4.6×10~5A/cm~2.对改进连续CVD法制备实用化Nb_3Ge带的某些工艺问题进行了讨论. 相似文献
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本文基于作者发展的一种制取高临界温度Nb_3Ge超导材料的快带速极薄多层CVD新技术,研究了一些工艺参数对Nb-Ge层的成份、成相和显微组织的影响。在带速为50—70m/h的Hastelloy B基体上,沉积出平均Nb/Ge比接近于3、Nb与Ge含量比较均匀和以A15相为主且呈等轴晶粒的多层化Nb_3Ge样品,其T_e(起始)、T_c(中点)、△T_c分别为20.7K、19.9K和1.4K,Jc(Nb_3Ge)约为1×10~6A/cm~2(4.2K,4T)。对改进本技术制备实用化高T_cNb_3Ge长带的某些工艺问题进行了讨论。 相似文献
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不同厚度溅射Ag膜的微结构及光学常数研究 总被引:11,自引:3,他引:11
用直流溅射法在室温Si基片上制备了4.9nm-189.0nm范围内不同厚度的Ag薄膜,并用X射线衍射及反射式椭偏光谱技术对薄膜的微结构和光学常数进行了测试分析。结构分析表明:制备的Ag膜均呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方;随膜厚增加薄膜的平均晶粒心潮6.3nm逐渐增大到14.5nm;薄膜晶格常数均比标准值(0.40862nm)稍小,随膜厚增加,薄膜晶格常数由0.40585nm增大到0.40779nm。250nm-830nm光频范围椭偏光谱测量结果表明:与Johnson的厚Ag膜数据相比,我们制备的Ag薄膜光学折射率n总体上均增大,消光系数k变化复杂;在厚度为4.9nm-83.7nm范围内,实验薄膜的光学常数与Johnson数据差别很大,厚度小于33.3nm的实验薄膜k谱线中出现吸收峰,峰位由460nm红移至690nm处,且其对应的峰宽逐渐宽化;当膜厚达到约189nm时,实验薄膜与Johnson光学常数数据已基本趋于一致。 相似文献
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离子束溅射沉积不同厚度铜膜的光学常数研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用Lambda-900分光光度计对离子束溅射沉积不同厚度Cu膜测定的反射率和透射率,运用哈德雷方程,并考虑基片后表面的影响,对离子束溅射沉积的Cu膜光学常数进行了计算。结果表明,在同一波长情况下,膜厚小于100 nm的纳米Cu膜光学常数随膜厚变化明显;膜厚大于100 nm后,Cu膜的光学常数趋于一定值。Cu膜不连续时的光学常数与连续膜时的光学常数随波长变化规律不同;不同厚度的连续膜的光学常数随波长变化规律相同,但大小随膜厚变化而变化。 相似文献
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用直流平板磁控溅射装置在不同的溅射条件下制备了一系列Nb-Ge薄膜.在最佳条件下(溅射电压V_s~200V,溅射电流I_s~450mA,氩气压力P_(Ar)1—2×10~(-1)托,基体温度T_s780—810℃)重复制备了T_(c0)>23k的样品.T_c最高的样品的T_(c0)为23.5k,△T_c1.5k.用X-射线衍射仪测定了相组成以及晶格参数.研究了T_c与沉积参数、化学计量比、相组成以及晶格参数的关系.结果表明少量的Nb_2Ge_3存在于接近或等于化学计量比的A15相占优势的薄膜中,有利于高T_c亚稳A15相的稳定化,使样品呈现高T_c.结论指出:用磁控溅射技术研究高T_c亚稳A15材料的实用化是有意义的. 相似文献
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用扫描电镜和光学显微镜研究了“青铜法”制作的多芯Nb_3Sn的结构.观察了Nb_3Sn的晶粒形貌及复合线的断口形貌.测量了不同热处理制度下的Nb_3Sn层厚度、晶粒度及导体的临界电流.讨论了它们之间的关系.研究了固态扩散时产生的Kirkendall孔洞及其对导体机械性能的影响. 相似文献
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在0—67kbar压力范围,对名义成分为Nb_3(Al_(1-x)Ge_x)的合金(x=0.20,O.23,0.25;含有Al5 σ相)进行了热处理。X射线分析表明:1)随着压力的升高,Al5相的晶胞参数a_0出现极大值;2)与Al5相结构成分密切相关的衍射峰(211),(210)的相对累积强度I~(211)/I~(210)随压力的变化与a_0的变化类似;3)Al5相结构成分随压力向着富Nb的方向移动。低温测试结果表明:随着压力的升高,试样的超导转变温度降低,转变宽度出现极大值。 相似文献
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采用离子束溅射技术制备了单层和双层Ge量子点, 通过原子力显微镜对比了不同Si隔离层厚度和不同掩埋量子点密度情况下表层量子点的尺寸和形貌差异, 系统研究了掩埋Ge量子点产生的应变对表层量子点的浸润层及形核的影响, 并用埋置应变模型对其进行解释. 实验结果表明, 覆盖Ge量子点的Si隔离层中分布着的应变场, 导致表层量子点浸润层厚度的降低, 从而增大点的体积; 应变强度随隔离层厚度的减小而增加, 造成表层量子点形状和尺寸的变化; 此外, 应变还调控了表层量子点的空间分布.
关键词:
Ge量子点
埋层应变
离子束溅射 相似文献
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利用F点的对称性,找到了A-15化合物的力常数与弹性模量之间的关系。根据这种关系,建立了一种半经验的方法讨论A-15材料的品格动力学行为。对Nb_3Sn的声子谱及其与温度的依赖作了数值计算。结果与实验较好地符合。这一方法可以推广到其它材料。 相似文献