30MeV/u 40Ar+112,124Sn反应中的同位素产额比与核温度

系统研究了30MeV/u^40Ar ^112,124Sn反应中的轻粒子同位素产额比随角度和初始激发能的变化关系,对于两个反应体系,均观察到3He/^4He和^6Ni/^7Li的产额比随角度的增加而增加,^6He/^4He和^8Li/^7Li随角度的增加而减少,统计发射的运动学效应不能完全符合实验结果,各种单同位素产额比与靶核的N／Z比有关,表现出同位旋效应,而由双同位素比提取的核温度几乎没有靶核相关性。     

35MeV/u 36,40Ar+112,124Sn反应中同位旋自由度的弛豫

35MeV/u ^36,40Ar+^112,124Sn反应中,在前角5°和20°观测到丰中子核与稳定核的产额比随粒子出射动能的增加而减小,而缺中子核与稳定核的产额比随动能的增加而增加.对于某种元素,随着动能的减小,其平均中质比逐渐由弹核N/Z向靶核N/Z过渡.这些现象表明在这样的入射能量下,周边或近周边碰撞过程中同位旋自由度没有完全达到平衡.这种行为对两个靶核系统是相似的,但是同位素产额比的绝对值在5°没有靶核相关性,而在20°处却表现出明显的靶核相关性.     

核温度测量与粒子能量的关系

提取了30MeV/u ⁴⁰Ar+natAg反应中后角出射的同位素(^6,7Li,^3,4He)产额比温度为5MeV.观察到这一同位素产额比温度随阈值能量E_cut/A的增加而逐渐由5MeV上升到6MeV.为进一步研究这一变化关系,用Monte Carlo方法模拟了热核蒸发粒子的过程,表明随粒子能量的增加,发射该能量粒子的发射源平均温度也在增加.说明高温热核发射高能量粒子的几率大.     

在30MeV/u 40Ar+159Tb、natAg反应中比较热核两种温度值

用双同位素产额比方法和能谱斜率方法,在110°对30MeV/u ⁴⁰Ar+¹⁵⁹Tb和^natAg反应得到的热核的温度进行了研究.对于不同的双同位素产额比,同位素温度值相同,为4.6MeV.能谱斜率温度随粒子或复杂碎片的不同而异.从α粒子能谱和质量数小于4的粒子能谱得到的斜率温度均是正常的,但是更重的碎片的斜率温度则高于极限温度Tlim,这可能是更重的碎片发射于复合核形成后的早期阶段,或者是库仑不稳定的发射.同时还分析了斜率温度高于极限温度T_lim的较重碎片能谱随探测角的变化.     

17N+197Au反应中碎片与中子的符合测量

在3?3?.4MeV/u ¹⁷N束轰击¹⁹⁷Au靶产生的反应中,利用放置于不同角度组合的17个中子探测器(4°—83°)和14个半导体望远镜(2.3°—9.0°)对反应产物碎片与中子进行了符合测量.经对所得实验角分布积分得到Z=3—6元素的同位素产额分布.在参加者-旁观者模型框架下,采用¹⁷N原子核内部的不同密度分布计算了同位素产额分布并与实验数据做比较.     

25MeV/u6He+9Be反应的轻粒子发射

在25MeV/u ⁶He与⁹Be靶的反应中,107°和128°处明显地观察到了轻粒子发射.粒子能谱形状与平衡热源蒸发相一致,分析得到热源的核温度为完全熔合条件下的5.6MeV或非完全熔合条件下的5.2MeV .实验发现发射氚的数量特别大,这可能与目前广泛研究的⁶He的集团结构和同位旋效应有关.     

46.2MeV/u 12C+64Ni、58Ni反应中发射的轻粒子和复杂碎片

用光二极管读出的CsI(Tl)闪烁探测器和多叠层硅望远镜,测量了46.2MeV/u ¹²C引起各种靶⁶⁴Ni、⁵⁸Ni、¹²C、¹⁹⁷Au、²⁰⁹Bi反应中所发射的轻粒子和中等质量碎片,这些探测器对轻粒子和中等质量碎片有很好的能量分辨和质量分辨.单举的能谱用运动源模型进行了分析,对各种靶在不同角度的中等质量碎片的产额进行了比较.由单举数据推出同位素产额比随靶质量变化的系统性,讨论了N/Z自由度的平衡.     

6He中t+t结构的实验研究

在25MeV/u ⁶He轰击⁹Be靶的反应中,用探测器望远镜测得氚碎片,得到了5个角度的能谱,经过仔细的分析取得了高能直接破碎成分的角分布.利用Serber模型进行了破碎反应的理论计算,证实了实验中高能成分的t来自于⁶He的直接破碎反应.利用Fermi破碎模型计算了⁶He中各破碎反应道基于相空间的百分比产额,进而估算出⁶He初态中t+t结构的概率约占1/3, 而⁴He核心加价中子的组态约占2/3.     

28.7MeV/u的14,16,18O+7,9Be反应中的同位素分布研究

用同位旋相关的Boltzmann-Langevin方程研究了在入射能量为28.7MeV/u下,不同弹核¹⁴O,¹⁶O和¹⁸O轰击不同靶核⁷Be和⁹Be的反应,计算了生成碎片的产生截面,发现用丰中子(缺中子)炮弹或丰中子(缺中子)靶进行反应,所得到的产物均有丰中子(缺中子)的碎片出现.同位素分布宽度和峰位与入射体系密切相关,产生碎片的电荷数越接近入射弹核的电荷数,则同位素分布的宽度越大,峰位偏离β稳定线值越远,其同位旋效应越明显.     

中能12C+197Au产物中Ir的同位素分布观测

以¹²C(47MeV/u)+¹⁹⁷Au靶,通过化学分离及γ谱学方法获得了Ir和Pt同位素产额. 用测到的Pt累积产额对相应Ir同位素做了照射期内母体衰变修正,从而获得了很好的Ir同位素分布. 讨论了A>170丰中子核产生截面、截面的Q_gg系统性和剩余激发能的问题.