BeAl2O4:Cr3+的晶场能级

金绿宝石中镜对称格位上Cr³⁺(Ⅱ)离子的⁴T₂,⁴T₁和²E能级与该材料的激光运转有关。⁴T₂和⁴T₁能级各分裂成三个子能级。为从偏振吸收谱上确定BeAl₂O₄:Cr³⁺的能级图,本文计算了⁴T₂和⁴T₁的分裂,找到了对谱方法,得到了表征能级分裂的参量K_{1和K2的值。最后给出了以低点群不可约表示标号的、BeAl2O4:Cr³⁺(Ⅱ)的晶场能级图。 关键词：}     

Ni2+:BeAl2O4晶体发光性质的研究

用时间分辨的激光诱导荧光光谱方法测量了10—300K温度范围内Ni²⁺:BeAl₂O₄晶体的红外荧光光谱和荧光寿命。通过荧光寿命的温度变化特性分析,得出³T_2g态的内禀辐射衰减寿命为123±7.2μs。无辐射弛豫的Mott激活能为1147cm^-1,并导出了此晶体发光量子效率随温度的变化关系式。Ni²⁺:BeAl₂O_{4关键词：}     

调谐激光晶体Cr3+:ZnWO4光致发光特性的研究

研究了调谐激光晶体Ｃｒ³⁺：ＺｎＷＯ₄的光致发光特性。报道了它的吸收光谱、激发光谱、发射光谱及其随温度的变化、零声子跃迁和发射寿命等实验结果，并讨论了激发特性、电子－声子耦合作用、ＺｎＷＯ₄中Ｃｒ³⁺的发射寿命曲线等相关问题。 关键词：     

Cr4+在Al2O3多晶体中的光谱性能研究

采用传统无压烧结工艺制备Cr:Al₂O₃透明多晶陶瓷.测定了其退火前后的吸收光谱和荧光光谱，发现在Al₂O₃六配位的八面体结构中，Cr⁴⁺的荧光发射也处在1100—1600nm波段的红外区间，荧光发射峰位于1223nm附近，类似Cr⁴⁺在四面体中的发光行为.同时由于氧化铝晶格常数较小，晶体场强较强，使Cr⁴⁺:Al₂O_{3< 关键词： 4+')" href="#">Cr⁴⁺ 2}O₃透明陶瓷')" href="#">Cr:Al₂O₃透明陶瓷 光谱性质 八面体     

Cr3+:Al2O3透明多晶陶瓷光谱特性分析

对透光性良好的Cr³⁺:Al₂O₃透明多晶陶瓷的光谱性能 进行了研究，其吸收光谱中吸收峰与单晶红宝石相一致，按吸收光谱和Tanabe-Sugano能级 图，算出其晶场强度参数D_q及Racah参数B分别为1792cm^-1， 689cm ^-1，D_q/B=2.6，陶瓷中Cr³⁺离子所处格位的晶体场强 比单晶弱一些，但Cr³⁺:Al₂O₃透明陶瓷仍属于强场晶 体材料；当Cr³⁺掺杂浓度到达0.8wt%时，陶瓷的发射谱仍保持较好的R线发射 ；随Cr³⁺掺杂浓度的增大，激发峰位发生“红移”.在Cr³⁺:Al₂O₃透明多晶陶瓷的荧光谱上，发现一个波长为670nm的发射峰，经激发 谱确认为Cr³⁺的发射峰. 关键词： 氧化铝 透明陶瓷 离子格位 光谱性质     

YGG:Cr3+晶体的光谱特性

本文通过实验研究了YGG:Cr³⁺晶体的光谱特性,报道了室温下的吸收谱,10,133,300K的荧光谱,以及荧光寿命、无辐射跃迁几率、辐射量子效率与温度之间的依赖关系。从吸收谱及荧光谱中确定在C_3i(S₆)低对称场微扰下,Cr³⁺离子在基质YGG中²T₁能级分裂的子能级及基态⁺A₂→²E零声子跃迁R线的位置。 关键词：     

孤立格位中的Cr3+近红外发射波长的设计与调控:以AMP2O7:Cr3+为例

近红外光谱调控对于开发新型近红外荧光粉至关重要。3d³电子构型的Cr³⁺具有波长可调谐的宽带近红外发光性质,是一种理想的近红外激活剂离子。由于d轨道对晶体场敏感,Cr³⁺离子发射波长强烈依赖于其配位晶体结构,明确配位结构与发光性质之间的构效关系是指导近红外荧光粉理性设计的理论基础。而实际上晶体结构复杂,影响局部配位结构性质的因素很多,难以形成明确的构效关系。AMP₂O₇(A=Li,K;M=Ga,Sc,In)系列焦磷酸盐晶体中具有孤立的[MO₆]八面体结构特征,可为Cr³⁺提供孤立的配位环境,孤立格位大大减少了晶体结构的复杂性,为构效关系的建立提供了合理性保障。本文以AMP₂O₇:Cr³⁺系列荧光粉为研究对象,Cr³⁺取代在孤立的[MO₆]八面体中心格位,具有波长可调谐的近红外发光性质,其发射波长随M³⁺和...     

KCdF3晶体中Cr3+-Li+中心局域结构研究

利用零场分裂参量与晶体结构之间的定量关系,研究了双掺杂晶体KCdF₃:Cr³⁺,Li⁺的局域结构。指出,对于KCdF₃:Cr³⁺,Li⁺晶体,四角晶场的形成包含两个方面:(1)由于电荷补偿而产生的等效电荷形成的四角对称晶场;(2)Cr³⁺的局域结构发生晶格畸变而产生的四角对称晶场。事实上,当Cr³⁺和Li⁺掺入KCdF₃晶体时,Cr³⁺代替了Cd²⁺离子;由于Cr³⁺离子与Cd²⁺离子的半径不同、电荷不同、质量不同,导致Cr³⁺的局域结构发生晶格畸变,由此而产生四角对称晶场;由于电荷补偿,Li⁺离子取代了[001]方向与Cr³⁺离子邻近的Cd²⁺离子,由此产生的等效电荷而形成的四角晶场。这样,Cr³⁺的局域结构由O_h对称变为C_4v点对称。文中建立了ZFS参量和晶体结构之间的定量关系。在考虑晶格畸变和等效电荷的基础上,研究了KCdF₃:Cr³⁺,Li⁺晶体的ZFS参量,理论结果和实验符合很好。得到了F^-离子向中心离子分别移动为ΔR₁=0.00268nm,ΔR₂=0.001nm,ΔR₃=0.00165nm。     

KMgF3:Cr3+的EPR参量和K+空位研究

EPR和ENDOR表明:顺磁离子取代KMgF₃中的Mg²⁺离子后,所处的环境具有轴对称。本文研究了KMgF₃:Cr³⁺的Δg=g_∥-g_⊥和零场分裂值D,证实KMgF₃:Cr³⁺中K⁺空位的存在。并且指出:由于K⁺空位,使Cr³⁺的最近邻F^-离子分 关键词：     

KZnF3:Cr3+和KMgF3:Cr3+四角对称电子顺磁共振参量与晶格缺陷的研究

用Newman叠加模型研究了KZnF₃:Cr³⁺四角对称基态的零场分裂,证实了Zn²⁺空位和畸变的存在;并指出,空位对晶场的贡献不可忽略。计算得到:KZnF₃:cr³⁺晶体[0,01]方向的一个F^-配体向Cr³⁺移动Δ(KZnF₃)=0.0029-0.0043nm。还研究了KMgF₃:Cr^{3+关键词：}     

微重力下溶液法晶体生长模型中晶体生长界面稳定性的研究

研究在微重力条件下溶液法晶体生长的一个二维数学模型中晶体生长界面的稳定性问题.对晶体生长界面为不同倾斜角度的平面的情况作了数值计算,计算结果表明有可能存在一个稳定的晶体生长界面,它应该是一个在Y=λ这一端向后倾的适当形状的曲面 关键词： 微重力 溶液法晶体生长 二维模型 生长界面的稳定性     

超导体MgB2的晶核形成及生长过程研究

根据镁和硼的基本化学性质、杂化轨道理论、前线轨道理论和粉末反应理论,分析了粉末反应中MgB2晶核的形成及生长过程.这一过程可分为三步完成：1.两种粉粒碰撞接触后,做反相微幅受迫振动,这种振动产生晶核的形成及生长区;2.两个硼原子相遇,价轨道经sp2杂化后形成B2,镁原子的两个3s价电子填入B2的π轨道形成π键,生成Mg...     

SiC晶体生长中流场的优化设计

物理气相输运法(PVT)是实验室最为常见的碳化硅(SiC)大块单晶生长方法.本文在碳化硅晶体生长模型化研究中,针对碳化硅单晶PVT生长过程中的传热传质等现象引入了对流传热中的场协同原理,利用这一原理对生长室内的流场温度场进行了优化,并对改良前后分别进行了数值模拟,研究了该原理对晶体生长的影响.实验室碳化硅单晶的生长成功...     

Fe基合金与金刚石单晶生长

 本文通过Fe基催化剂在生长金刚石单晶中获得的不同现象与Fe基合金晶格常数、组分、磁距、Mossbauer谱相比较，揭示了Fe基催化剂常温常压下磁性质与金刚石单晶生长的关系。     

外加磁场对Co纳米线生长过程的影响

关键词：     

晶体生长的缺陷机制

晶体生长是一个复杂的相变过程。自80年代以来,闵乃本及其研究组系统地研究了晶体生长的缺陷机制。在理论分析和实验观察的基础上,他们发展了晶体生长的位错机制（包括刃位错和混合位错机制）,层错机制,孪晶机制、重入角机制以及重入角生长和粗糙界面生长的协同机制。根据这些机制可以得出结论：任何可以在晶体生长表面提供台阶源的缺陷都能为晶体生长作出贡献,这些台阶源包括完全台阶和不完全台阶（亚台阶）,近年来,P.Bennema及其合作者系统地研究了在照相工业中广泛应用的卤化银和金属银的晶体生长机理,在大量实验事实和理论分析的基础上,他们认为亚台阶理论（称作闵氏理论）不仅可适用于溶液生长,也适用于气相生长的机理研究;不仅适于作理论分析,而且可用于寻求最佳生产条件的指导,亚台阶理论是晶体生长的一个普适理论,文章介绍了闵乃本及其研究组提出理论及P.Bennema研究组近年来在这方面的工作进展。     

微重力条件下晶体生长过程的实时观察

从材料科学的微重力效应和晶体生长基本过程等两个方面出发，阐明了一种新的生长技术（晶体生长过程的光学实时观察法）的必要性，并介绍了空间高温实时观察装置的基本特性．在我国的科学技术探测卫星上，该装置进行了搭载实验，并首次清楚地观察到了空间溶质扩散效应和高温溶液的表面张力对流图像．     

掺铟的铋钙钒石榴石铁氧体单晶生长与磁性

用助熔剂法生长了石榴石型铁氧体(Bi_3-2xCa_2xFe_5-x-yIn_yV_xO₁₂)单晶,成分为x=1.35±0.02,y=0—0.388。采用本文所述工艺,对不同掺铟量的材料都长出了线度在10毫米以上的包容物很少的单晶。这个系列的单晶材料和Ga-YIG相比居里温度要高10—30℃;磁晶各向异性常数随非磁性离子铟的代入量的增加而很快下降;各向异性场随饱和磁化强度的降低开始略有下降,而后缓慢增加,饱和磁化强度在530—200高斯范围,各向异性场都在40奥以下;X波段共振线宽随饱和磁化强度的降低而增加,似乎存在着与偶极致窄相联系的损耗机构,在上述饱和磁化强度范围,线宽为1—4奥。目前获得的最好材料其磁晶各向异性场为16奥,线宽0.7奥。这些结果表明,这个系列的材料适用于低微波频率单晶器件。     

BeAl2O4:Cr3+紫外光谱的研究

在强场理论的基础上,本文考虑了组态相互作用,拟合了各能级位置,并对其紫外光谱进行了讨论.     

INFLUENCE OF SEED CRYSTAL DIMENSION ON CRYSTAL GROWTH FROM SOLUTION UNDER MICROGRAVITY

The influence of the dimension of seed crystal on the characteristics of crystal growth from solution under microgravity is studied. The dimensionless average velocity of fluid V_av, the dimensionless maximum velocity of fluid V_max, the temperature distribution index S_θ, the concentration distribution index S_φ and the dimensionless average growth rate of crystal \overline{V}_cg are calculated by only taking into account the variation of the solution density caused by the temperature change, that caused by the concentration change being neglected. In certain regions of the parameter (Ra, Pr,Sc and μ) space, some scaling laws are generated: the scales of S_φ and \overline{V}_cg are given by power functions of μ with negative exponents. It is shown that the characteristics of crystal growth for small seed crystal are different from those for large seed crystal.